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公开(公告)号：KR101222436B1
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020100068684
申请日：2010-07-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01G4/33
Abstract: 본 발명은 알루미늄 기판을 양극산화시켜 Al
2 O
3 절연층을 형성하고, 이후 상기 Al
2 O
3 절연층 상에 알루미늄을 형성한 후 양극산화시켜 Al
2 O
3 절연층을 형성하는 과정을 반복하여 제조된, 얇고 다층인 고용량 필름콘덴서용 알루미늄 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 필름콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 따라 필름콘덴서용 알루미늄 전극을 제조하는 경우 제조 공정이 간소하여 제조 원가를 낮출 수 있으며, 고용량 및 고신뢰성을 갖는 필름콘덴서용 알루미늄 전극을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120007902A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR1020100068684
申请日：2010-07-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01G4/33
Abstract: PURPOSE: An aluminum electrode for a thin high-capacity multi-layer film condenser and a manufacturing method thereof are provided to arrange an Al2O3 insulating layer by anodizing an aluminum layer after arranging the aluminum layer, thereby simplifying manufacturing processes by omitting insulating layer formation. CONSTITUTION: An aluminum substrate is prepared. An Al2O3 insulating layer is formed by anodizing the aluminum substrate with fixed thickness. An aluminum layer is arranged on the Al2O3 insulating layer. The Al2O3 insulating layer is additionally formed by anodizing the aluminum layer with fixed thickness. The Al2O3 insulating layer is arranged into a multilayer structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于薄型大容量多层膜冷凝器的铝电极及其制造方法，其在布置铝层之后通过阳极化铝层来布置Al2O3绝缘层，由此通过省略绝缘层形成来简化制造工艺。 构成：准备铝基板。 通过对具有固定厚度的铝基板进行阳极氧化来形成Al 2 O 3绝缘层。 在Al2O3绝缘层上设置铝层。 通过以固定厚度阳极氧化铝层另外形成Al 2 O 3绝缘层。 Al2O3绝缘层被布置成多层结构。
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公开(公告)号：KR101184594B1
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：KR1020100033554
申请日：2010-04-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일 상에 자기조립 단분자층으로 형성된 에칭터널 패턴을 형성한 후, 상기 에칭터널 패턴 이외의 부분에 산화물 마스크를 형성하고 전해에칭함으로써 알루미늄 호일 상에 에칭터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 전해콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전해콘덴서용 알루미늄 전극은 에칭터널 형성시 산화물 마스크에 의해 에칭용액에 의한 알루미늄 부식이 억제되어 제조됨으로써 알루미늄 상부의 표면적이 유실되는 것이 방지되어 전해콘덴서의 내전압 및 파괴전압에 대한 신뢰성과 정전용량이 향상될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101179386B1
公开(公告)日：2012-09-03
申请号：KR1020100032244
申请日：2010-04-08
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19015 , H01L2924/19041 , Y10T436/170769 , H01L2224/13099
Abstract: There are provided a package substrate and a method fabricating thereof. The package substrate includes: a wafer having a cavity formed in an upper surface thereof, the cavity including a chip mounting region; a first wiring layer and a second wiring layer formed to be spaced apart from the first wiring layer, which are formed to be extended in the cavity; a chip positioned in the chip mounting region to be connected to the first wiring layer and the second wiring layer; a through-hole penetrating through the wafer and a via filled in the through-hole; and at least one electronic device connected to the via. Accordingly, a package substrate capable of having a passive device having a predetermined capacity embedded therein, while reducing a pattern size and increasing a component mounting density, and a method fabricating thereof may be provided.
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公开(公告)号：KR1020110114108A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020100033554
申请日：2010-04-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일 상에 자기조립 단분자층으로 형성된 에칭터널 패턴을 형성한 후, 상기 에칭터널 패턴 이외의 부분에 산화물 마스크를 형성하고 전해에칭함으로써 알루미늄 호일 상에 에칭터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 전해콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전해콘덴서용 알루미늄 전극은 에칭터널 형성시 산화물 마스크에 의해 에칭용액에 의한 알루미늄 부식이 억제되어 제조됨으로써 알루미늄 상부의 표면적이 유실되는 것이 방지되어 전해콘덴서의 내전압 및 파괴전압에 대한 신뢰성과 정전용량이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110112974A
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020100032244
申请日：2010-04-08
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19015 , H01L2924/19041 , Y10T436/170769 , H01L2224/13099
Abstract: There are provided a package substrate and a method fabricating thereof. The package substrate includes: a wafer having a cavity formed in an upper surface thereof, the cavity including a chip mounting region; a first wiring layer and a second wiring layer formed to be spaced apart from the first wiring layer, which are formed to be extended in the cavity; a chip positioned in the chip mounting region to be connected to the first wiring layer and the second wiring layer; a through-hole penetrating through the wafer and a via filled in the through-hole; and at least one electronic device connected to the via. Accordingly, a package substrate capable of having a passive device having a predetermined capacity embedded therein, while reducing a pattern size and increasing a component mounting density, and a method fabricating thereof may be provided.
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公开(公告)号：KR1020110097223A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016955
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 음극전기도금 방법을 사용하여 알루미늄 박막 상에 고유전체층을 형성한 후, 양극산화 과정을 수행하여 알루미늄 상에 순차적으로 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )층, Al-M(금속기) 산화물층 및 고유전체층을 균일한 두께로 형성할 수 있는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법을 제공함으로써, 알루미늄 전해 콘덴서의 수명을 향상시키며, 정전용량, 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자동차 분야의 전자화, 디지털 가전 분야, 반도체 공정분야 등에 사용되어 고용량 커패시터를 실현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101160907B1
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：KR1020100016955
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 음극전기도금 방법을 사용하여 알루미늄 박막 상에 고유전체층을 형성한 후, 양극산화 과정을 수행하여 알루미늄 상에 순차적으로 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )층, Al-M(금속기) 산화물층 및 고유전체층을 균일한 두께로 형성할 수 있는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법을 제공함으로써, 알루미늄 전해 콘덴서의 수명을 향상시키며, 정전용량, 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자동차 분야의 전자화, 디지털 가전 분야, 반도체 공정분야 등에 사용되어 고용량 커패시터를 실현할 수 있다.
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