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公开(公告)号：KR1020110097223A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016955
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 음극전기도금 방법을 사용하여 알루미늄 박막 상에 고유전체층을 형성한 후, 양극산화 과정을 수행하여 알루미늄 상에 순차적으로 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )층, Al-M(금속기) 산화물층 및 고유전체층을 균일한 두께로 형성할 수 있는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법을 제공함으로써, 알루미늄 전해 콘덴서의 수명을 향상시키며, 정전용량, 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자동차 분야의 전자화, 디지털 가전 분야, 반도체 공정분야 등에 사용되어 고용량 커패시터를 실현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090105746A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080031380
申请日：2008-04-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium is provided to reduce the noise and improve the signal to noise ratio of the medium by magnetically separating the particles in the recording layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium includes a step of laminating a soft-magnetic layer, a non magnetic middle layer, and a recording layer successively on the surface of a substrate(S1~S3), and a step of wet-etching the recording layer in order to separate the particles in it(S4). The recording layer is made of Co-Pt alloy, and nitric acid solution is used for wet-etching.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造垂直磁记录介质的方法，以通过磁记录层中的颗粒的磁分离来降低噪声并提高介质的信噪比。 构成：垂直磁记录介质的制造方法包括在基板表面上依次层叠软磁性层，非磁性中间层和记录层的工序（S1〜S3），以及湿式工序 - 记录层，以分离其中的颗粒（S4）。 记录层由Co-Pt合金制成，硝酸溶液用于湿蚀刻。
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公开(公告)号：KR1020090030786A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070096331
申请日：2007-09-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium is provided to improve the thermal stability of recording layer by depositing a soft-magnetic layer on the substrate surface with applying a magnetic field in the horizontal direction. A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium comprises a soft-magnetic layer(2), a non-magnetic intermediate layer, and a recording layer which are deposited in sequence on the surface of a substrate(1). The soft-magnetic layer is deposited by sputtering at the state that a magnetic field parallel to the horizontal plane of the substrate is applied from the opposite side of the deposition plane.
Abstract translation: 提供一种用于制造垂直磁记录介质的方法，通过在水平方向上施加磁场而在基板表面上沉积软磁层来提高记录层的热稳定性。 一种用于制造垂直磁记录介质的方法包括依次沉积在基板（1）的表面上的软磁层（2），非磁性中间层和记录层。 在从沉积平面的相对侧施加平行于衬底的水平面的磁场的状态下，通过溅射沉积软磁性层。
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公开(公告)号：KR101250256B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020110018777
申请日：2011-03-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 수직자기 기록매체의 자기기록층으로 사용되는 CoP 합금 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 사카린(saccharine, C
7 H
5 NO
3 S)을 첨가한 도금용액에 시드층이 형성된 기판을 침지하고 전해 도금하다 상기 CoP 합금 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 전해도금 과정에서 첨가제를 첨가함으로써, 수직 이방성과 각형비가 크게 향상되어 수직자기 기록매체에 적용할 수 있는 CoP 합금 박막을 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제조방법으로 제조된 CoP 합금 박막은 재료비가 저렴하며 제조공정이 간단하여 수직자기 기록매체의 제조공정과 비용을 크게 낮출 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101184594B1
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：KR1020100033554
申请日：2010-04-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일 상에 자기조립 단분자층으로 형성된 에칭터널 패턴을 형성한 후, 상기 에칭터널 패턴 이외의 부분에 산화물 마스크를 형성하고 전해에칭함으로써 알루미늄 호일 상에 에칭터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 전해콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전해콘덴서용 알루미늄 전극은 에칭터널 형성시 산화물 마스크에 의해 에칭용액에 의한 알루미늄 부식이 억제되어 제조됨으로써 알루미늄 상부의 표면적이 유실되는 것이 방지되어 전해콘덴서의 내전압 및 파괴전압에 대한 신뢰성과 정전용량이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110114108A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020100033554
申请日：2010-04-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일 상에 자기조립 단분자층으로 형성된 에칭터널 패턴을 형성한 후, 상기 에칭터널 패턴 이외의 부분에 산화물 마스크를 형성하고 전해에칭함으로써 알루미늄 호일 상에 에칭터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 전해콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전해콘덴서용 알루미늄 전극은 에칭터널 형성시 산화물 마스크에 의해 에칭용액에 의한 알루미늄 부식이 억제되어 제조됨으로써 알루미늄 상부의 표면적이 유실되는 것이 방지되어 전해콘덴서의 내전압 및 파괴전압에 대한 신뢰성과 정전용량이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100136798A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：KR1020090055100
申请日：2009-06-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0332 , H01L21/486 , H01L21/76838
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal wire using a selective anodizing process is provided to perform a selective anodizing process without high expensive equipment by using an oxidation layer made by oxidizing the surface of a metal substrate as a mask. CONSTITUTION: An oxidation film pattern with the same shape as a metal wire pattern is formed by oxidizing the surface of a metal substrate(S1). An insulation layer is formed by selectively anodizing the metal substrate using the oxidation film pattern as a mask(S2). The oxidation film pattern is removed(S3). A mask unit filled with the metal wire pattern is formed after anodizing the surface of the metal substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种使用选择性阳极氧化处理形成金属线的方法，通过使用通过氧化金属基底的表面作为掩模制成的氧化层，进行选择性阳极氧化处理而不需要昂贵的设备。 构成：通过氧化金属基材的表面（S1）形成与金属线图案相同形状的氧化膜图案。 通过使用氧化膜图案作为掩模选择性地阳极氧化金属基板来形成绝缘层（S2）。 除去氧化膜图案（S3）。 在阳极氧化金属基板的表面之后形成填充有金属线图案的掩模单元。
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公开(公告)号：KR100916771B1
公开(公告)日：2009-09-14
申请号：KR1020070101019
申请日：2007-10-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 등에 관통형 전극을 형성하기 위한 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그 도금공정이 매우 짧은 시간 내에 진행될 수 있을 뿐만 아니라 기공율이 최소화된 관통형전극의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 관통형전극 형성방법은, 기판에 관통공을 형성시키는 관통공 형성단계; 상기 관통공의 내벽면에 원주방향으로 도전체재질의 측벽시드층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일면에 상기 관통공의 일단을 폐쇄하는 마감층을 형성하는 마감층 형성단계; 및 상기 측벽시드층으로부터 내경방향으로 도전체를 도금하여 성장시킴으로써 관통형 전극을 형성하는 관통형전극 형성단계를 포함한다.
기판, 배선, 접속, 관통형전극, 기공율, 시드층-
公开(公告)号：KR1020120007902A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR1020100068684
申请日：2010-07-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01G4/33
Abstract: PURPOSE: An aluminum electrode for a thin high-capacity multi-layer film condenser and a manufacturing method thereof are provided to arrange an Al2O3 insulating layer by anodizing an aluminum layer after arranging the aluminum layer, thereby simplifying manufacturing processes by omitting insulating layer formation. CONSTITUTION: An aluminum substrate is prepared. An Al2O3 insulating layer is formed by anodizing the aluminum substrate with fixed thickness. An aluminum layer is arranged on the Al2O3 insulating layer. The Al2O3 insulating layer is additionally formed by anodizing the aluminum layer with fixed thickness. The Al2O3 insulating layer is arranged into a multilayer structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于薄型大容量多层膜冷凝器的铝电极及其制造方法，其在布置铝层之后通过阳极化铝层来布置Al2O3绝缘层，由此通过省略绝缘层形成来简化制造工艺。 构成：准备铝基板。 通过对具有固定厚度的铝基板进行阳极氧化来形成Al 2 O 3绝缘层。 在Al2O3绝缘层上设置铝层。 通过以固定厚度阳极氧化铝层另外形成Al 2 O 3绝缘层。 Al2O3绝缘层被布置成多层结构。
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