公开(公告)号：KR1020100136798A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：KR1020090055100

申请日：2009-06-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  장주희 ,  윤형철 ,  정근희 ,  이창형 ,  최우성 ,  박정갑

IPC: H01L21/32 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76838

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal wire using a selective anodizing process is provided to perform a selective anodizing process without high expensive equipment by using an oxidation layer made by oxidizing the surface of a metal substrate as a mask. CONSTITUTION: An oxidation film pattern with the same shape as a metal wire pattern is formed by oxidizing the surface of a metal substrate(S1). An insulation layer is formed by selectively anodizing the metal substrate using the oxidation film pattern as a mask(S2). The oxidation film pattern is removed(S3). A mask unit filled with the metal wire pattern is formed after anodizing the surface of the metal substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种使用选择性阳极氧化处理形成金属线的方法，通过使用通过氧化金属基底的表面作为掩模制成的氧化层，进行选择性阳极氧化处理而不需要昂贵的设备。 构成：通过氧化金属基材的表面（S1）形成与金属线图案相同形状的氧化膜图案。 通过使用氧化膜图案作为掩模选择性地阳极氧化金属基板来形成绝缘层（S2）。 除去氧化膜图案（S3）。 在阳极氧化金属基板的表面之后形成填充有金属线图案的掩模单元。

公开(公告)号：KR101073486B1

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020090055100

申请日：2009-06-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  장주희 ,  윤형철 ,  정근희 ,  이창형 ,  최우성 ,  박정갑

IPC: H01L21/32 ,  H01L21/30

Abstract: 본발명에따르면, 낮은비용으로선택적양극산화를실시하여금속배선을형성할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020110097223A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100016955

申请日：2010-02-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  장주희 ,  최우성 ,  김남정

IPC: C25D11/04 ,  H01G9/045

CPC classification number: C25D11/04 ,  C25D5/50 ,  H01G9/045

Abstract: 본 발명은 음극전기도금 방법을 사용하여 알루미늄 박막 상에 고유전체층을 형성한 후, 양극산화 과정을 수행하여 알루미늄 상에 순차적으로 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )층, Al-M(금속기) 산화물층 및 고유전체층을 균일한 두께로 형성할 수 있는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법을 제공함으로써, 알루미늄 전해 콘덴서의 수명을 향상시키며, 정전용량, 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자동차 분야의 전자화, 디지털 가전 분야, 반도체 공정분야 등에 사용되어 고용량 커패시터를 실현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100987106B1

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：KR1020080072338

申请日：2008-07-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  박인수 ,  나성훈 ,  김진수 ,  이광근 ,  최우성

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/10

Abstract: 본 발명은 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 재료의 제한 없이 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 중간층 형성을 통한 선택적 도금을 이용한 멀티레이어 기판 제조방법은, 기재의 표면에 금속층을 형성하는 1단계; 상기 금속층의 표면에 제1보호피막 패턴을 형성하는 2단계; 상기 금속층을 상기 제1보호피막 패턴에 의해 선택적으로 양극산화시킨 뒤에 상기 제1보호피막을 제거하는 3단계; 상기 3단계에서 제1보호피막을 제거한 표면에 중간층을 형성하는 4단계; 상기 중간층의 표면에 제2보호피막 패턴을 형성하는 5단계; 상기 중간층을 상기 제2보호피막 패턴에 의해 선택적으로 에칭하는 6단계; 및 상기 제2보호피막을 제거하고 에칭 뒤에 남은 중간층에 도금을 실시하는 7단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 도금이 쉬운 중간층을 형성하여 선택적 도금방법으로 도금층을 형성함으로써, 간단한 공정으로 멀티레이어 기판을 제조할 수 있으며, 도금이 어려운 재료를 이용하여 멀티레이어 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
멀티레이어 기판, 양극산화, 알루미늄, 중간층

公开(公告)号：KR101160907B1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：KR1020100016955

申请日：2010-02-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  장주희 ,  최우성 ,  김남정

IPC: C25D11/04 ,  H01G9/045

Abstract: 본 발명은 음극전기도금 방법을 사용하여 알루미늄 박막 상에 고유전체층을 형성한 후, 양극산화 과정을 수행하여 알루미늄 상에 순차적으로 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )층, Al-M(금속기) 산화물층 및 고유전체층을 균일한 두께로 형성할 수 있는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법을 제공함으로써, 알루미늄 전해 콘덴서의 수명을 향상시키며, 정전용량, 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자동차 분야의 전자화, 디지털 가전 분야, 반도체 공정분야 등에 사용되어 고용량 커패시터를 실현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100011215A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：KR1020080072338

申请日：2008-07-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  박인수 ,  나성훈 ,  김진수 ,  이광근 ,  최우성

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/10

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76897

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a multi-layer circuit board using selective plating by forming a middle-layer is provided to manufacture a multiple layers through a simple process by selectively forming and plating an interlayer. CONSTITUTION: A metal layer is formed on the surface of a material layer, and a first protective covering pattern is formed on the surface of the metal layer. The material layer is selectively processed by anode oxidation and a first protective covering pattern is removed. An interlayer is formed on the surface from which the first protective covering was removed. The second protective covering pattern is formed on the surface of the intermediate layer. The intermediate layer is selectively etched by the second protective covering pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种通过形成中间层制造使用选择性镀覆的多层电路板的方法，通过简单的工艺通过选择性地形成和镀覆中间层来制造多层。 构成：在材料层的表面上形成金属层，在金属层的表面上形成第一保护覆盖图案。 通过阳极氧化选择性地处理材料层，并且去除第一保护覆盖图案。 在去除了第一保护层的表面上形成中间层。 第二保护覆盖图案形成在中间层的表面上。 中间层被第二保护覆盖图案选择性地蚀刻。

公开(公告)号：KR1020090124700A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020080051056

申请日：2008-05-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  김진수 ,  박인수 ,  이광근 ,  최우성 ,  임승규

IPC: H01L21/28

CPC classification number: Y02P80/30 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76865

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of electrode for selective plating process is provided to selectively form the plating electrode on the groove by removing the seed layer. CONSTITUTION: The metal seed layer(20) is formed in the substrate(10) surface in which groove is formed. The roller(30) is close to the surface of the substrate in which the metal seed layer is formed to remove the metal seed layer. The roller is arranged in the upper side and lower side of the substrate. The distance between the up-down rollers can be controlled. The speed of rotation of roller can be controlled. The material of roller is rubber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于选择性电镀工艺的电极的制造方法，通过去除种子层来选择性地在沟槽上形成电镀电极。 构成：金属种子层（20）形成在形成有槽的基板（10）表面中。 辊（30）靠近形成有金属种子层的基板的表面以去除金属种子层。 辊布置在基板的上侧和下侧。 可以控制上下辊之间的距离。 可以控制滚筒的旋转速度。 辊子的材料是橡胶。