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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120100108A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018777
申请日：2011-03-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a CoP alloy thin film and a perpendicular magnetic recording medium are provided to obtain a CoP alloy thin film with high perpendicular anisotropy and rectangularity ratio, which can be applied to a perpendicular magnetic recording medium, by employing an additive in an electroplating process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a CoP alloy thin film comprises the steps of: dipping a substrate with a seed layer in plating solution including saccharine(C7H5NO3S) of 20-50mM and implementing electroplating for forming a CoP alloy thin film. The plating solution comprises Co(NH2SO3)2 of 0.1M, (NH4)2C6H6O7 of 0.1M, NH2CH2COOH of 0.1M, and Na2H2PO2·H2O of 0.1M.
Abstract translation: 目的：提供CoP合金薄膜和垂直磁记录介质的制造方法，以获得具有高垂直各向异性和矩形比的CoP合金薄膜，其可以应用于垂直磁记录介质，通过使用添加剂 电镀工艺。 构成：CoP合金薄膜的制造方法包括以下步骤：将含有种子层的基材浸入包括20-50mM的糖精（C7H5NO3S）的镀液中，并实施用于形成CoP合金薄膜的电镀。 电镀液由0.1M的Co（NH2SO3）2，0.1M的（NH4）2C6H6O7，0.1M的NH2CH2COOH和0.1M的Na2H2PO2·H2O组成。
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公开(公告)号：KR101250256B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020110018777
申请日：2011-03-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 수직자기 기록매체의 자기기록층으로 사용되는 CoP 합금 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 사카린(saccharine, C
7 H
5 NO
3 S)을 첨가한 도금용액에 시드층이 형성된 기판을 침지하고 전해 도금하다 상기 CoP 합금 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 전해도금 과정에서 첨가제를 첨가함으로써, 수직 이방성과 각형비가 크게 향상되어 수직자기 기록매체에 적용할 수 있는 CoP 합금 박막을 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제조방법으로 제조된 CoP 합금 박막은 재료비가 저렴하며 제조공정이 간단하여 수직자기 기록매체의 제조공정과 비용을 크게 낮출 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101184594B1
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：KR1020100033554
申请日：2010-04-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일 상에 자기조립 단분자층으로 형성된 에칭터널 패턴을 형성한 후, 상기 에칭터널 패턴 이외의 부분에 산화물 마스크를 형성하고 전해에칭함으로써 알루미늄 호일 상에 에칭터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 전해콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전해콘덴서용 알루미늄 전극은 에칭터널 형성시 산화물 마스크에 의해 에칭용액에 의한 알루미늄 부식이 억제되어 제조됨으로써 알루미늄 상부의 표면적이 유실되는 것이 방지되어 전해콘덴서의 내전압 및 파괴전압에 대한 신뢰성과 정전용량이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120010528A
公开(公告)日：2012-02-03
申请号：KR1020100072120
申请日：2010-07-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A preparation method of a lead free solder bump using a sacrificial layer is provided to improve the mechanical reliability of a free lead solder bump which is formed finally by suppressing the growth of an inter metallic compound in the interface of copper post and a tin-based solder. CONSTITUTION: In a preparation method of a lead free solder bump using a sacrificial layer, a copper post(110) is formed on a substrate(100). A sacrificial layer(130) is formed on the copper post. The sacrificial layer is formed with a metal which is selected from palladium and a group which is formed with gold and platinum. A reflow process is performed after forming solder in the sacrificial layer. The solder is formed with a binary composite and or a ternary composite through electrolytic plating.
Abstract translation: 目的：提供一种使用牺牲层的无铅焊料凸块的制备方法，以提高自由铅焊料凸块的机械可靠性，最终通过抑制铜柱和锡的界面中的金属间化合物的生长而形成 的焊料。 构成：在使用牺牲层的无铅焊料凸块的制备方法中，在基板（100）上形成铜柱（110）。 牺牲层（130）形成在铜柱上。 牺牲层由选自钯和由金和铂形成的基团的金属形成。 在牺牲层中形成焊料之后进行回流工艺。 焊料通过电解电镀形成二元复合材料和/或三元复合材料。
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公开(公告)号：KR1020110114108A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020100033554
申请日：2010-04-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일 상에 자기조립 단분자층으로 형성된 에칭터널 패턴을 형성한 후, 상기 에칭터널 패턴 이외의 부분에 산화물 마스크를 형성하고 전해에칭함으로써 알루미늄 호일 상에 에칭터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 전해콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전해콘덴서용 알루미늄 전극은 에칭터널 형성시 산화물 마스크에 의해 에칭용액에 의한 알루미늄 부식이 억제되어 제조됨으로써 알루미늄 상부의 표면적이 유실되는 것이 방지되어 전해콘덴서의 내전압 및 파괴전압에 대한 신뢰성과 정전용량이 향상될 수 있다.
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