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公开(公告)号：KR1020120007902A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR1020100068684
申请日：2010-07-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01G4/33
Abstract: PURPOSE: An aluminum electrode for a thin high-capacity multi-layer film condenser and a manufacturing method thereof are provided to arrange an Al2O3 insulating layer by anodizing an aluminum layer after arranging the aluminum layer, thereby simplifying manufacturing processes by omitting insulating layer formation. CONSTITUTION: An aluminum substrate is prepared. An Al2O3 insulating layer is formed by anodizing the aluminum substrate with fixed thickness. An aluminum layer is arranged on the Al2O3 insulating layer. The Al2O3 insulating layer is additionally formed by anodizing the aluminum layer with fixed thickness. The Al2O3 insulating layer is arranged into a multilayer structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于薄型大容量多层膜冷凝器的铝电极及其制造方法，其在布置铝层之后通过阳极化铝层来布置Al2O3绝缘层，由此通过省略绝缘层形成来简化制造工艺。 构成：准备铝基板。 通过对具有固定厚度的铝基板进行阳极氧化来形成Al 2 O 3绝缘层。 在Al2O3绝缘层上设置铝层。 通过以固定厚度阳极氧化铝层另外形成Al 2 O 3绝缘层。 Al2O3绝缘层被布置成多层结构。
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公开(公告)号：KR101220118B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020110028644
申请日：2011-03-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 절연층의 전열성능과 열전달능력을 향상시키고, 박리강도를 향상시킨 방열 인쇄회로기판에 관한 것으로, 메탈층; 상기 메탈층의 일면에 접하는 절연층; 및 상기 절연층의 타면에 접하는 기판을 포함하여 구성되며, 상기 절연층에 접하는 상기 메탈층의 일면에는 다수의 요철이 형성되고, 상기 절연층의 일면이 상기 요철에 삽입 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 절연층과 메탈층의 접촉면적을 넓힘으로써, 절연특성이 향상될 뿐만 아니라, 열전달 면적이 증가에 의하여 방열특성도 향상되는 효과가 있다.
또한, 절연층과 메탈층의 사이에 산화물층을 형성함으로써, 절연특성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020120110645A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110028644
申请日：2011-03-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A heat dissipating printed circuit board and a manufacturing method thereof are provided to improve an insulation property by forming an oxide layer between an insulating layer and a metal layer. CONSTITUTION: An aluminum foil to be used as a metal(110) is prepared. Concave grooves(112) with a predetermined depth are formed on a metal layer of an aluminum material which is prepared form surface unevenness. A surface area of the metal layer is broadened by forming a square concave groove. A wet etch process using a mask is used to form the concave groove having the predetermined depth. An etching mask material resist to an etchant is coated an aluminum surface. An oxide layer(114) is formed by oxidizing a surface of the metal layer having the concave groove. The oxide layer is formed between the metal layer and an insulating layer(120).
Abstract translation: 目的：提供散热印刷电路板及其制造方法，以通过在绝缘层和金属层之间形成氧化物层来提高绝缘性能。 构成：准备用作金属（110）的铝箔。 在由表面不均匀制成的铝材的金属层上形成具有预定深度的凹槽（112）。 通过形成方形凹槽来使金属层的表面积变宽。 使用使用掩模的湿蚀刻工艺来形成具有预定深度的凹槽。 对蚀刻剂抗蚀刻的蚀刻掩模材料涂覆有铝表面。 通过氧化具有凹槽的金属层的表面形成氧化物层（114）。 在金属层和绝缘层（120）之间形成氧化物层。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101222436B1
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020100068684
申请日：2010-07-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01G4/33
Abstract: 본 발명은 알루미늄 기판을 양극산화시켜 Al
2 O
3 절연층을 형성하고, 이후 상기 Al
2 O
3 절연층 상에 알루미늄을 형성한 후 양극산화시켜 Al
2 O
3 절연층을 형성하는 과정을 반복하여 제조된, 얇고 다층인 고용량 필름콘덴서용 알루미늄 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 필름콘덴서용 알루미늄 전극의 제조방법에 따라 필름콘덴서용 알루미늄 전극을 제조하는 경우 제조 공정이 간소하여 제조 원가를 낮출 수 있으며, 고용량 및 고신뢰성을 갖는 필름콘덴서용 알루미늄 전극을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101289566B1
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：KR1020110078478
申请日：2011-08-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/647 , H01L23/142 , H01L23/49562 , H01L33/64 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/4918 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014
Abstract: 반도체 장치용 기판이 개시된다. 반도체 장치용 기판은 제1 금속 배선부, 제2 금속 배선부, 금속 지지부, 제1 절연부 및 제2 절연부를 포함한다. 제1 금속 배선부는 반도체 소자의 제1 전극과 전기적으로 연결된다. 제2 금속 배선부는 반도체 소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되고, 제1 금속 배선부와 이격된다. 금속 지지부는 제1 금속 배선부와 제2 금속 배선부 사이에 배치된다. 제1 절연부는 제1 금속 배선부와 금속 지지부 사이에 배치되고, 제1 금속 배선부와 금속 지지부를 전기적으로 절연시킨다. 제2 절연부는 제2 금속 배선부와 금속 지지부 사이에 배치되고, 제2 금속 배선부와 금속 지지부를 전기적으로 절연시킨다.
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公开(公告)号：KR1020130016502A
公开(公告)日：2013-02-18
申请号：KR1020110078478
申请日：2011-08-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/647 , H01L23/142 , H01L23/49562 , H01L33/64 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/4918 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A substrate for a semiconductor device, a semiconductor device having the substrate and a method for manufacturing the semiconductor device are provided to form the uniform thickness of a dielectric layer by using an anode oxidation method for forming an insulating layer. CONSTITUTION: A first metal line part(140) is electrically connected to a first electrode of a semiconductor device. A second metal line part(150) is electrically connected to a second electrode of the semiconductor device. A metal support part is arranged between the first metal line part and the second metal line part. A first insulation part(120) electrically insulates the first metal line part and the metal support part. A second insulation part(130) electrically insulates the second metal line part and the metal support part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的衬底，具有衬底的半导体器件和用于制造半导体器件的方法，以通过使用用于形成绝缘层的阳极氧化法形成电介质层的均匀厚度。 构成：第一金属线部分（140）电连接到半导体器件的第一电极。 第二金属线部分（150）电连接到半导体器件的第二电极。 在第一金属线部分和第二金属线部分之间布置金属支撑部分。 第一绝缘部件（120）使第一金属线部分和金属支撑部分电绝缘。 第二绝缘部件（130）使第二金属线部分和金属支撑部分电绝缘。
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公开(公告)号：KR1020100136798A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：KR1020090055100
申请日：2009-06-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0332 , H01L21/486 , H01L21/76838
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal wire using a selective anodizing process is provided to perform a selective anodizing process without high expensive equipment by using an oxidation layer made by oxidizing the surface of a metal substrate as a mask. CONSTITUTION: An oxidation film pattern with the same shape as a metal wire pattern is formed by oxidizing the surface of a metal substrate(S1). An insulation layer is formed by selectively anodizing the metal substrate using the oxidation film pattern as a mask(S2). The oxidation film pattern is removed(S3). A mask unit filled with the metal wire pattern is formed after anodizing the surface of the metal substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种使用选择性阳极氧化处理形成金属线的方法，通过使用通过氧化金属基底的表面作为掩模制成的氧化层，进行选择性阳极氧化处理而不需要昂贵的设备。 构成：通过氧化金属基材的表面（S1）形成与金属线图案相同形状的氧化膜图案。 通过使用氧化膜图案作为掩模选择性地阳极氧化金属基板来形成绝缘层（S2）。 除去氧化膜图案（S3）。 在阳极氧化金属基板的表面之后形成填充有金属线图案的掩模单元。
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