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公开(公告)号：KR101152267B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100047043
申请日：2010-05-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/10
Abstract: 본발명은기판의 TSV에구리를과충진하여구리포스트가기판보다돌출되게함으로써솔더범프의형성이용이하고, 제작공정을단축시킬수 있는실리콘인터포저의제작방법에관한것으로서, 실리콘기판을준비하는단계; 실리콘기판에 TSV(Through Silicon Via)를형성하는단계; TSV가형성된실리콘기판에산화막및 구리시드층을형성하는단계; 실리콘기판의상면과하면에마스크층을형성하는단계; TSV에구리를충진하여일단이실리콘기판보다돌출되고마스크층보다함몰된형태의구리포스트를형성하는단계; 구리포스트의일단에솔더를증착하고, 마스크층을제거하는단계; 및리플로우공정을통해구리포스트의일단에솔더범프를형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101016729B1
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090014518
申请日：2009-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 열안정성이 우수하며 높은 저항값을 가지는 세라믹-금속 나노복합체를 이용한 박막 내장형 저항체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 내장형 저항체는 세라믹-금속 나노복합체를 이용하여 제조됨으로써 산화 구조로 인해 산화의 영향을 적게 받아 우수한 열안정성을 나타낼 뿐만 높은 저항값을 나타내어 회로의 집적도를 높인 저항 내장형 인쇄회로기판 등에 사용될 수 있다.
박막 내장형 저항체, 산화실리콘, 백금, 열안정성, 고저항-
公开(公告)号：KR101002300B1
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR1020070078588
申请日：2007-08-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 알루미늄 양극 산화시에 알루미늄에 규칙적인 나노 홀 형성을 유도할 수 있는 가이드 패턴을 미리 형성하고 양극 산화를 실시함에 의해 가이드 패턴을 따라 알루미늄 상에 나노 홀을 규칙적인 형성할 수 있는 규칙적인 알루미늄 양극 산화 홀의 형성방법 및 이를 이용한 자기기록매체의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 알루미늄층 위에 노출되는 알루미늄 영역을 선택적으로 차단하여 양극 산화시에 형성되는 양극산화 홀의 형성위치를 가이드하기 위한 가이드 패턴을 선택적으로 형성하는 단계와, 상기 노출된 알루미늄 영역에 대한 양극산화를 실시하여 노출된 알루미늄 영역을 마스킹하는 가이드 패턴의 막 종류에 따라 나노 홀의 생성 위치를 제어하여 외표면에 알루미나가 형성된 다수의 나노 홀을 규칙적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
알루미늄, 양극 산화, 자기기록매체, 나노 홀, 규칙적 생성-
公开(公告)号：KR1020100095308A
公开(公告)日：2010-08-30
申请号：KR1020090014518
申请日：2009-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: PURPOSE: A thin film embedded resistor prepared using a ceramic-metal nano-composite is provided to increase the integration of a circuit, thereby allowing a user to implement a fine pitch member. CONSTITUTION: An oxidation silicon - platinum nano-composite is deposited on a substrate to distribute platinum particle inside a matrix. The oxidation silicon - platinum nano-composite has an atomic ratio of 67:33 or 42:58 of oxidation silicon and platinum, respectively. The size of the platinum particles distributed within the oxidation silicon matrix is 3-5 nm. The thin film embedded register has 3K at a TCR of 100 ppm.
Abstract translation: 目的：提供使用陶瓷 - 金属纳米复合材料制成的薄膜嵌入式电阻器，以增加电路的集成度，从而允许使用者实现细间距元件。 构成：将氧化硅 - 铂纳米复合材料沉积在基底上以将铂颗粒分布在基体内。 氧化硅 - 铂纳米复合材料的氧化硅和铂的原子比分别为67:33或42:58。 分布在氧化硅基质中的铂颗粒的尺寸为3-5nm。 薄膜嵌入寄存器在TCR为100ppm时具有3K。
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公开(公告)号：KR100924818B1
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：KR1020070115693
申请日：2007-11-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징에 이용되는 마이크로 솔더볼 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 제조가 매우 용이할 뿐만 아니라 균일한 사이즈의 솔더볼을 제조할 수 있는 솔더볼 제조방법에 관한 것이다.
이에, 본 발명의 솔더볼 제조방법은, 솔더 및 상기 솔더와의 젖음성이 낮은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 마스크층을 형성하는 마스크층 형성단계; 상기 마스크층을 패터닝하여 홈을 형성하는 단계; 상기 마스크층의 홈에 솔더를 도금하는 솔더 도금단계; 상기 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계; 상기 솔더를 가열함으로써 솔더볼을 형성하는 단계; 및 상기 솔더볼을 기판에서 분리시키는 솔더볼 분리단계를 포함하여 이루어진다.
반도체패키징, 솔더볼, 젖음성, Sn-Ag-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101013434B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080029203
申请日：2008-03-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전자파 차폐필터의 제조방법은, 절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판의 상부면에 제1도전물질을 증착하여 제1도전막을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판을 일정각도로 기울인 상태에서 회전상태로 드라이 에칭공정을 실시하여, 상기 리세스의 바닥면과 측면 일부, 또는 상기 리세스의 바닥면을 제외한 나머지 부분의 상기 제1도전막을 제거하는 단계와; 상기 리세스의 바닥면에 남아있는 상기 제1도전막을 시드층(seed layer)으로 하여, 제2도전물질이 상기 리세스의 내부를 채우도록 전기도금공정을 수행하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 별도의 포토공정이 없이 베이스 기판을 기울여서 에칭공정을 수행하고 전기도금 공정을 수행함에 의해 간단하면서도 질적으로 우수한 전자파 차폐필터를 제조할 수 있는 효과가 있다.
전자파, 차폐, 필터, 임프린트, 전기도금, 이온에칭-
公开(公告)号：KR1020100135469A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020090053852
申请日：2009-06-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A high resistance cermet resistor and a forming method thereof are provided to prevent hypoxia by selectively performing anodizing process after a deposition process. CONSTITUTION: A first photoresist pattern is formed on a substrate(10). A metal electrode(30) is deposited on the front of a substrate. A first photo resistor pattern is removed from the substrate. A second photo resist pattern is formed on the substrate without a resistor formation position. A mixture is deposited on the front of the substrate and is made of active material and stable metal. A cermet resistor(60) is formed by anodizing the mixture. A second photoresist pattern is removed from the substrate.
Abstract translation: 目的：提供高电阻金属陶瓷电阻器及其形成方法，以在沉积工艺之后选择性地进行阳极氧化处理来防止缺氧。 构成：在衬底（10）上形成第一光致抗蚀剂图案。 金属电极（30）沉积在基板的前面。 从衬底去除第一光电阻图案。 在基板上形成第二光刻胶图案，而不形成电阻器形成位置。 混合物沉积在基材的前面，并由活性材料和稳定的金属制成。 通过阳极氧化混合物形成金属陶瓷电阻（60）。 从衬底去除第二光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020090124700A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080051056
申请日：2008-05-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/28
CPC classification number: Y02P80/30 , H01L21/76873 , H01L21/2885 , H01L21/76865
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of electrode for selective plating process is provided to selectively form the plating electrode on the groove by removing the seed layer. CONSTITUTION: The metal seed layer(20) is formed in the substrate(10) surface in which groove is formed. The roller(30) is close to the surface of the substrate in which the metal seed layer is formed to remove the metal seed layer. The roller is arranged in the upper side and lower side of the substrate. The distance between the up-down rollers can be controlled. The speed of rotation of roller can be controlled. The material of roller is rubber.
Abstract translation: 目的：提供一种用于选择性电镀工艺的电极的制造方法，通过去除种子层来选择性地在沟槽上形成电镀电极。 构成：金属种子层（20）形成在形成有槽的基板（10）表面中。 辊（30）靠近形成有金属种子层的基板的表面以去除金属种子层。 辊布置在基板的上侧和下侧。 可以控制上下辊之间的距离。 可以控制滚筒的旋转速度。 辊子的材料是橡胶。
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公开(公告)号：KR1020090098538A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：KR1020080023992
申请日：2008-03-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38
Abstract: A method for releasing deposit stress in Cu electroplating and a Cu plating bath using the same are provided to remove electroplating stress generated on a Cu deposition layer by applying an additive to the Cu plating bath for electroplating. A method for releasing deposit stress in Cu electroplating comprises the steps of preparing a cathode and an anode and a Cu plating bath, applying an additive for releasing electroplating stress to the Cu plating bath, dipping the cathode and the anode in the Cu plating bath, applying direct current density of 20mA/cm^2 between the anode and the cathode at the room temperature, and performing Cu electroplating until the thickness of the deposited copper has reached about 5~6mum. The additive includes thiourea of 0.0002~0.0006M. The Cu plating bath is mainly composed of copper sulfate and copper.
Abstract translation: 提供了一种用于释放Cu电镀中的沉积应力的方法和使用其的Cu电镀浴，以通过向用于电镀的Cu电镀浴中施加添加剂来除去在Cu沉积层上产生的电镀应力。 一种用于在Cu电镀中释放沉积应力的方法包括以下步骤：制备阴极和阳极以及镀铜浴，向Cu镀浴施加用于释放电镀应力的添加剂，将阴极和阳极浸入Cu镀浴中， 在室温下在阳极和阴极之间施加20mA / cm 2的直流电流密度，并执行Cu电镀，直到沉积的铜的厚度达到约5〜6μm。 添加剂包括0.0002〜0.0006M的硫脲。 镀铜浴主要由硫酸铜和铜组成。
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公开(公告)号：KR1020090065985A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020070133560
申请日：2007-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/1335 , G02F1/136 , H01L2224/80031
Abstract: A manufacturing method of a COG(Chip On Glass) substrate using anode oxidation is provided to perform an anode oxidation process on the surface of the COG substrate, thereby having no need of separate insulating layer formation or an etching process after the formation of a circuit pattern. An aluminum layer is formed on the surface of a glass substrate(S1). A photoresist pattern is formed on the surface of the aluminum layer(S2). The aluminum layer is selectively anodized by the photoresist pattern(S3). A metal layer is selectively coated in the surface of the aluminum layer according to a pattern after removing the photoresist pattern(S4).
Abstract translation: 提供使用阳极氧化的COG（玻璃上芯片）基板的制造方法，以在COG基板的表面上进行阳极氧化处理，从而在形成电路之后不需要单独的绝缘层形成或蚀刻工艺 模式。 在玻璃基板的表面上形成铝层（S1）。 在铝层的表面上形成光刻胶图案（S2）。 通过光致抗蚀剂图案选择性地阳极氧化铝层（S3）。 在除去光致抗蚀剂图案之后，根据图案将金属层选择性地涂覆在铝层的表面中（S4）。
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