-
公开(公告)号：KR1020160143453A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：KR1020150080217
申请日：2015-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F3/0488 , G06F3/0481 , G06F12/0223
Abstract: 전자장치의메모리관리방법은물리메모리를연속된페이지(page)들을포함하는적어도하나이상의영역(region)으로분할하는동작; 프로세스(process) 또는운영체제의메모리할당요청이있으면, 유휴페이지를포함하는영역에물리메모리공간을할당하는동작; 및메모리가할당된상기영역중에서동일한특성을가지는적어도하나이상의영역을묶어서도메인을구성하는동작을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种管理电子设备的存储器的方法，包括：将物理存储器分为包括连续页面的一个或多个区域; 当存在进程或操作系统的存储器分配请求时，将物理存储器空间分配到包括空闲页的区域; 以及通过收集分配有存储器的区域中具有相同特征的一个或多个区域来配置域。
-
公开(公告)号：KR1020150112076A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020140035146
申请日：2014-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F3/068 , G06F3/0611 , G06F3/065 , G06F3/0656 , G06F2003/0691
Abstract: 본발명은하이브리드메모리장치, 그것을포함하는메모리시스템및 그것의데이터처리방법에관한것이다. 본발명에의한하이브리드메모리장치는데이터를저장하는제 1 메모리, 상기제 1 메모리의동작속도와는서로다른동작속도로억세스되는제 2 메모리및 상기제 1 메모리에저장된데이터의일부를상기제 2 메모리에카피하여상기제 1 메모리의공간을확보하는플러쉬동작을수행하는메모리컨트롤러를포함하며, 상기메모리컨트롤러는저장요청된데이터를상기저장요청된데이터에대응되는속성정보에응답하여복수의상태들중 하나로분류하며, 상기제 1 메모리에저장된데이터의상태를판별하고, 상기제 1 메모리에저장된데이터중 제 1 상태의데이터가저장된공간에상기저장요청된데이터를오버라이트하며, 상기플러쉬동작시상기제 1 메모리에저장된데이터중 제 2 상태의데이터는상기제 1 메모리에유지한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种混合存储装置，包括该混合存储装置的存储系统及其数据处理方法。 根据本发明，混合存储装置包括：存储数据的第一存储器; 以与第一存储器不同的操作速度访问的第二存储器; 以及存储器控制器，其将存储在第一存储器中的一部分数据复制到第二存储器，以执行刷新操作以获得第一存储器中的空间。 存储器控制器响应于与请求存储的数据相对应的属性信息，将请求存储的数据分类为多个状态之一，确定存储在第一存储器中的数据的状态，覆盖数据 ，其处于第一状态并且被存储在第一存储器中，请求存储的数据，并且在刷新操作期间将存储在第一存储器中的数据维持在第一存储器中的第二状态。
-
公开(公告)号：KR101250256B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020110018777
申请日：2011-03-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 수직자기 기록매체의 자기기록층으로 사용되는 CoP 합금 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 사카린(saccharine, C
7 H
5 NO
3 S)을 첨가한 도금용액에 시드층이 형성된 기판을 침지하고 전해 도금하다 상기 CoP 합금 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 전해도금 과정에서 첨가제를 첨가함으로써, 수직 이방성과 각형비가 크게 향상되어 수직자기 기록매체에 적용할 수 있는 CoP 합금 박막을 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제조방법으로 제조된 CoP 합금 박막은 재료비가 저렴하며 제조공정이 간단하여 수직자기 기록매체의 제조공정과 비용을 크게 낮출 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020120132738A
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：KR1020110051046
申请日：2011-05-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A flash memory system and operation method thereof are provided to collect garbage based on pages which modification requests are generated in a block of a flash memory. CONSTITUTION: When an upper layer(10) modifies the data of a flash memory based on a buffer cache(20), a sector information extraction unit(110) extracts the sector information of the data. A sector information conversion interface(120) converts the sector information in order to enable an FTL(file translation layer) to recognize the sector information. The FTL manages the flash memory based on the converted sector information. The FTL eliminates a process which is not necessary in the flash memory based on the converted sector information. [Reference numerals] (10) Upper layer; (100) Flash memory system; (110) Sector information extraction unit; (120) Sector information conversion interface; (130) Flash memory based disk; (131) Flash conversion layer; (132) Flash memory; (20) Buffer cache
Abstract translation: 目的：提供一种闪存系统及其操作方法，用于基于在闪速存储器块中生成修改请求的页面来收集垃圾。 构成：当上层（10）基于缓冲器高速缓存（20）修改闪速存储器的数据时，扇区信息提取单元（110）提取数据的扇区信息。 扇区信息转换接口（120）转换扇区信息以使FTL（文件转换层）能够识别扇区信息。 FTL根据转换的扇区信息来管理闪存。 FTL消除了基于转换的扇区信息在闪存中不需要的处理。 （附图标记）（10）上层; （100）闪存系统; （110）部门信息提取单位; （120）部门信息转换界面; （130）基于闪存的磁盘; （131）闪光转换层; （132）闪存; （20）缓存缓存
-
公开(公告)号：KR1020120010528A
公开(公告)日：2012-02-03
申请号：KR1020100072120
申请日：2010-07-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A preparation method of a lead free solder bump using a sacrificial layer is provided to improve the mechanical reliability of a free lead solder bump which is formed finally by suppressing the growth of an inter metallic compound in the interface of copper post and a tin-based solder. CONSTITUTION: In a preparation method of a lead free solder bump using a sacrificial layer, a copper post(110) is formed on a substrate(100). A sacrificial layer(130) is formed on the copper post. The sacrificial layer is formed with a metal which is selected from palladium and a group which is formed with gold and platinum. A reflow process is performed after forming solder in the sacrificial layer. The solder is formed with a binary composite and or a ternary composite through electrolytic plating.
Abstract translation: 目的：提供一种使用牺牲层的无铅焊料凸块的制备方法，以提高自由铅焊料凸块的机械可靠性，最终通过抑制铜柱和锡的界面中的金属间化合物的生长而形成 的焊料。 构成：在使用牺牲层的无铅焊料凸块的制备方法中，在基板（100）上形成铜柱（110）。 牺牲层（130）形成在铜柱上。 牺牲层由选自钯和由金和铂形成的基团的金属形成。 在牺牲层中形成焊料之后进行回流工艺。 焊料通过电解电镀形成二元复合材料和/或三元复合材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110127513A
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020100047043
申请日：2010-05-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/10
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon interposer is provided to easily form a solder bump by overcharging copper in the TSV(Through Silicon Via) of a substrate and projecting a copper post more than the substrate. CONSTITUTION: A TSV(Through Silicon Via)(130) is formed in a silicon substrate. An oxide film(140) and a copper seed layer(150) are formed in the silicon substrate in which the TSV is formed. A mask layer is formed in the upper side and the lower side of the silicon substrate. A copper post is formed to be dented more than a mask layer. One end of the cooper post is projected more than the silicon substrate by filling the copper in the TSV. Solder is deposited in one end of the copper post and the mask layer is removed. A solder bump is formed in one end of the copper post through a reflow process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造硅插入件的方法，以便通过在基板的TSV（通过硅通孔）中对铜进行过充电而容易地形成焊料凸块，并将铜柱突出于基板以上。 构成：在硅衬底中形成TSV（硅通孔）（130）。 在形成TSV的硅衬底中形成氧化膜（140）和铜籽晶层（150）。 在硅衬底的上侧和下侧形成掩模层。 铜柱形成为比掩模层更凹陷。 通过在TSV中填充铜，铜柱的一端比硅衬底更突出。 在铜柱的一端沉积焊料，去除掩模层。 通过回流工艺在铜柱的一端形成焊料凸块。
-
公开(公告)号：KR1020110106184A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020100025448
申请日：2010-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05K9/00
Abstract: 본 발명은 동박 적층 필름 상에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트를 사용하여 도트 형태의 패턴을 형성하는 단계; 상기 동박 적층 필름 상에 형성된 도트 형태의 패턴에 연자성체를 도금하는 단계; 상기 연자성체를 도금한 후 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 단계를 거쳐 도트 형태로 연자성체가 도금된 동박 적층 필름의 구리층을 에칭액을 사용하여 에칭하는 단계를 포함하는 동박 적층 필름을 이용한 전자파 흡수시트의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전자파 흡수시트를 제조함에 있어 롤투롤 방식을 이용한 연속 제조 공정이 가능하며, 전자파 흡수시트를 플렉서블하고 현재 상용화된 제품에 비해 두께를 현저히 얇게 제조할 수 있는 동박 적층 필름을 이용한 전자파 흡수시트의 제조방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020090049436A
公开(公告)日：2009-05-18
申请号：KR1020070115693
申请日：2007-11-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/11 , H01L2224/12
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징에 이용되는 마이크로 솔더볼 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 제조가 매우 용이할 뿐만 아니라 균일한 사이즈의 솔더볼을 제조할 수 있는 솔더볼 제조방법에 관한 것이다.
이에, 본 발명의 솔더볼 제조방법은, 솔더 및 상기 솔더와의 젖음성이 낮은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 마스크층을 형성하는 마스크층 형성단계; 상기 마스크층을 패터닝하여 홈을 형성하는 단계; 상기 마스크층의 홈에 솔더를 도금하는 솔더 도금단계; 상기 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계; 상기 솔더를 가열함으로써 솔더볼을 형성하는 단계; 및 상기 솔더볼을 기판에서 분리시키는 솔더볼 분리단계를 포함하여 이루어진다.
반도체패키징, 솔더볼, 젖음성, Sn-AgAbstract translation: 本发明涉及一种用于半导体封装的微型焊料球的制造方法，更具体地说，涉及一种能够制造均匀尺寸的焊球并且非常易于制造的焊料球制造方法。
-
公开(公告)号：KR102248915B1
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：KR1020140035146
申请日：2014-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은하이브리드메모리장치, 그것을포함하는메모리시스템및 그것의데이터처리방법에관한것이다. 본발명에의한하이브리드메모리장치는데이터를저장하는제 1 메모리, 상기제 1 메모리의동작속도와는서로다른동작속도로억세스되는제 2 메모리및 상기제 1 메모리에저장된데이터의일부를상기제 2 메모리에카피하여상기제 1 메모리의공간을확보하는플러쉬동작을수행하는메모리컨트롤러를포함하며, 상기메모리컨트롤러는저장요청된데이터를상기저장요청된데이터에대응되는속성정보에응답하여복수의상태들중 하나로분류하며, 상기제 1 메모리에저장된데이터의상태를판별하고, 상기제 1 메모리에저장된데이터중 제 1 상태의데이터가저장된공간에상기저장요청된데이터를오버라이트하며, 상기플러쉬동작시상기제 1 메모리에저장된데이터중 제 2 상태의데이터는상기제 1 메모리에유지한다.
-
公开(公告)号：KR101685839B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020150128022
申请日：2015-09-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 플래시메모리에대한중복제거방법은호스트장치가저장장치에포함된플래시메모리로부터데이터를읽는단계, 상기호스트장치가상기플래시메모리에서복수의페이지가중복된데이터를저장하고있는지여부를검사하는단계, 상기호스트장치가상기중복된데이터에대한정보를상기저장장치에전달하는단계및 상기저장장치가상기정보를기준으로상기저장장치가관리하는논리적페이지테이블및 가상페이지테이블을정정하여상기중복된데이터를제거하는단계를포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.026 seconds)
