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公开(公告)号：KR1020120100108A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018777
申请日：2011-03-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a CoP alloy thin film and a perpendicular magnetic recording medium are provided to obtain a CoP alloy thin film with high perpendicular anisotropy and rectangularity ratio, which can be applied to a perpendicular magnetic recording medium, by employing an additive in an electroplating process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a CoP alloy thin film comprises the steps of: dipping a substrate with a seed layer in plating solution including saccharine(C7H5NO3S) of 20-50mM and implementing electroplating for forming a CoP alloy thin film. The plating solution comprises Co(NH2SO3)2 of 0.1M, (NH4)2C6H6O7 of 0.1M, NH2CH2COOH of 0.1M, and Na2H2PO2·H2O of 0.1M.
Abstract translation: 目的：提供CoP合金薄膜和垂直磁记录介质的制造方法，以获得具有高垂直各向异性和矩形比的CoP合金薄膜，其可以应用于垂直磁记录介质，通过使用添加剂 电镀工艺。 构成：CoP合金薄膜的制造方法包括以下步骤：将含有种子层的基材浸入包括20-50mM的糖精（C7H5NO3S）的镀液中，并实施用于形成CoP合金薄膜的电镀。 电镀液由0.1M的Co（NH2SO3）2，0.1M的（NH4）2C6H6O7，0.1M的NH2CH2COOH和0.1M的Na2H2PO2·H2O组成。
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公开(公告)号：KR101152266B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100025448
申请日：2010-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05K9/00
Abstract: 본발명은동박적층필름상에포토리소그래피공정을통해포토레지스트를사용하여도트형태의패턴을형성하는단계; 상기동박적층필름상에형성된도트형태의패턴에연자성체를도금하는단계; 상기연자성체를도금한후 포토레지스트를제거하는단계; 및상기단계를거쳐도트형태로연자성체가도금된동박적층필름의구리층을에칭액을사용하여에칭하는단계를포함하는동박적층필름을이용한전자파흡수시트의제조방법에관한것이다. 본발명은전자파흡수시트를제조함에있어롤투롤방식을이용한연속제조공정이가능하며, 전자파흡수시트를플렉서블하고현재상용화된제품에비해두께를현저히얇게제조할수 있는동박적층필름을이용한전자파흡수시트의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101044973B1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090053852
申请日：2009-06-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 고저항체로 사용할 수 있는 고저항 서멧 저항체 및 그 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체의 형성방법은, 고저항체로 사용되는 서멧 저항체를 형성하는 방법에 있어서, 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질과 양극산화에 안정한 안정금속을 함께 증착하여 혼합체를 형성하고, 상기 혼합체를 양극산화하여 상기 활성물질만 선택적으로 산화된 서멧을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체는 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질을 양극산화한 산화물을 기반으로 하여 양극산화에 안정한 안정금속 입자가 분산된 상태의 서멧으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 증착공정을 실시한 뒤에 양극산화공정을 실시하여 산소결핍의 문제를 방지함으로써, 뛰어난 열안정성 및 고주파특성을 갖는 고저항체를 제조할 수 있으며, 서멧을 직접 증착하지 않기 때문에 증착과정에서 옥사이드 타겟 또는 산소기체를 사용하지 않음으로써, 증착용 챔버의 오염을 막을 수 있는 효과가 있다.
양극산화, 애노다이징, 서멧, cermet, 저항-
公开(公告)号：KR1020100104484A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020090022927
申请日：2009-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/131 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the free lead solder bump in which the mechanical reliability is improved is that solder the front side of the formed copper post is the capping is formed in substrate. The resistance about the shear stress is increased. CONSTITUTION: A copper wire(2) is formed on the substrate(1). The photoresist layer(3) is formed on the copper wire. According to the pattern of the photoresist layer, the copper post(5) is formed on the copper wire. The photoresist layer(4) is formed in order to have the pattern of the same diameter as the diameter of the bottom part of the copper post. The solder(10) is formed so that the frontal face of upper part of the copper post be capped.
Abstract translation: 目的：提高机械可靠性的自由铅焊料凸块的制造方法是在基板上形成形成铜柱的前侧的焊料为封盖。 关于剪切应力的阻力增加。 构成：在基板（1）上形成铜线（2）。 光致抗蚀剂层（3）形成在铜线上。 根据光致抗蚀剂层的图案，铜柱（5）形成在铜线上。 形成光致抗蚀剂层（4）以具有与铜柱的底部的直径相同直径的图案。 焊料（10）被形成为使得铜柱的上部的正面被盖住。
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公开(公告)号：KR1020100011215A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020080072338
申请日：2008-07-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/02263 , H01L21/0274 , H01L21/3213 , H01L21/76838 , H01L21/76897
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a multi-layer circuit board using selective plating by forming a middle-layer is provided to manufacture a multiple layers through a simple process by selectively forming and plating an interlayer. CONSTITUTION: A metal layer is formed on the surface of a material layer, and a first protective covering pattern is formed on the surface of the metal layer. The material layer is selectively processed by anode oxidation and a first protective covering pattern is removed. An interlayer is formed on the surface from which the first protective covering was removed. The second protective covering pattern is formed on the surface of the intermediate layer. The intermediate layer is selectively etched by the second protective covering pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种通过形成中间层制造使用选择性镀覆的多层电路板的方法，通过简单的工艺通过选择性地形成和镀覆中间层来制造多层。 构成：在材料层的表面上形成金属层，在金属层的表面上形成第一保护覆盖图案。 通过阳极氧化选择性地处理材料层，并且去除第一保护覆盖图案。 在去除了第一保护层的表面上形成中间层。 第二保护覆盖图案形成在中间层的表面上。 中间层被第二保护覆盖图案选择性地蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090104378A
公开(公告)日：2009-10-06
申请号：KR1020080029778
申请日：2008-03-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L23/12
Abstract: PURPOSE: A multilayer manufacturing method using the anode oxidation is provided to apply the aluminum oxide to the interlayer dielectric layer and to improve the high electrical characteristic of insulation performance. CONSTITUTION: The multilayer manufacturing method using the anode oxidation comprises as follows. The first metal layer is formed in the surface of a substrate(S1). The first circuit has the first part oxidative region and the first metal wirings by oxidizing the first metal layer partially. The interlayer dielectric layer is formed by anodizing extensively the first metal layer and the first part oxidative region(S3). The penetration hole is formed by partially etching the interlayer dielectric layer. The second metal layer is formed within the surface and penetration hole of the interlayer dielectric layer(S5). The second circuit has the second part oxidative region and the second metal wirings.
Abstract translation: 目的：提供使用阳极氧化的多层制造方法以将氧化铝施加到层间电介质层，并提高绝缘性能的高电特性。 构成：使用阳极氧化的多层制造方法如下。 第一金属层形成在基板的表面（S1）中。 第一电路通过部分氧化第一金属层而具有第一部分氧化区和第一金属布线。 通过对第一金属层和第一部分氧化区域进行阳极氧化而形成层间电介质层（S3）。 穿透孔通过部分蚀刻层间电介质层而形成。 第二金属层形成在层间介质层的表面和贯通孔内（S5）。 第二电路具有第二部分氧化区和第二金属布线。
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公开(公告)号：KR101013434B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080029203
申请日：2008-03-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전자파 차폐필터의 제조방법은, 절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판의 상부면에 제1도전물질을 증착하여 제1도전막을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판을 일정각도로 기울인 상태에서 회전상태로 드라이 에칭공정을 실시하여, 상기 리세스의 바닥면과 측면 일부, 또는 상기 리세스의 바닥면을 제외한 나머지 부분의 상기 제1도전막을 제거하는 단계와; 상기 리세스의 바닥면에 남아있는 상기 제1도전막을 시드층(seed layer)으로 하여, 제2도전물질이 상기 리세스의 내부를 채우도록 전기도금공정을 수행하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 별도의 포토공정이 없이 베이스 기판을 기울여서 에칭공정을 수행하고 전기도금 공정을 수행함에 의해 간단하면서도 질적으로 우수한 전자파 차폐필터를 제조할 수 있는 효과가 있다.
전자파, 차폐, 필터, 임프린트, 전기도금, 이온에칭-
公开(公告)号：KR1020100135469A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020090053852
申请日：2009-06-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A high resistance cermet resistor and a forming method thereof are provided to prevent hypoxia by selectively performing anodizing process after a deposition process. CONSTITUTION: A first photoresist pattern is formed on a substrate(10). A metal electrode(30) is deposited on the front of a substrate. A first photo resistor pattern is removed from the substrate. A second photo resist pattern is formed on the substrate without a resistor formation position. A mixture is deposited on the front of the substrate and is made of active material and stable metal. A cermet resistor(60) is formed by anodizing the mixture. A second photoresist pattern is removed from the substrate.
Abstract translation: 目的：提供高电阻金属陶瓷电阻器及其形成方法，以在沉积工艺之后选择性地进行阳极氧化处理来防止缺氧。 构成：在衬底（10）上形成第一光致抗蚀剂图案。 金属电极（30）沉积在基板的前面。 从衬底去除第一光电阻图案。 在基板上形成第二光刻胶图案，而不形成电阻器形成位置。 混合物沉积在基材的前面，并由活性材料和稳定的金属制成。 通过阳极氧化混合物形成金属陶瓷电阻（60）。 从衬底去除第二光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020090098538A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：KR1020080023992
申请日：2008-03-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38
Abstract: A method for releasing deposit stress in Cu electroplating and a Cu plating bath using the same are provided to remove electroplating stress generated on a Cu deposition layer by applying an additive to the Cu plating bath for electroplating. A method for releasing deposit stress in Cu electroplating comprises the steps of preparing a cathode and an anode and a Cu plating bath, applying an additive for releasing electroplating stress to the Cu plating bath, dipping the cathode and the anode in the Cu plating bath, applying direct current density of 20mA/cm^2 between the anode and the cathode at the room temperature, and performing Cu electroplating until the thickness of the deposited copper has reached about 5~6mum. The additive includes thiourea of 0.0002~0.0006M. The Cu plating bath is mainly composed of copper sulfate and copper.
Abstract translation: 提供了一种用于释放Cu电镀中的沉积应力的方法和使用其的Cu电镀浴，以通过向用于电镀的Cu电镀浴中施加添加剂来除去在Cu沉积层上产生的电镀应力。 一种用于在Cu电镀中释放沉积应力的方法包括以下步骤：制备阴极和阳极以及镀铜浴，向Cu镀浴施加用于释放电镀应力的添加剂，将阴极和阳极浸入Cu镀浴中， 在室温下在阳极和阴极之间施加20mA / cm 2的直流电流密度，并执行Cu电镀，直到沉积的铜的厚度达到约5〜6μm。 添加剂包括0.0002〜0.0006M的硫脲。 镀铜浴主要由硫酸铜和铜组成。
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公开(公告)号：KR100878916B1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：KR1020070094273
申请日：2007-09-17
Applicant: 삼성전기주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/3651
Abstract: A solder bump is provided to prevent mechanical strength of the solder bump from decreasing by sequentially forming a copper post, silver plating layers and tin plating layers, thereby suppressing the production of Ag3Sn that is an intermetallic compound produced on an interface of the copper post and a solder. A solder bump(30) comprises a copper post(2), silver plating layers(4,8), and tin plating layers(6,10). The copper post is formed on a metal layer(12) forming an electronic component through the electroplating process. The silver plating layers and tin plating layers are sequentially formed on the copper post. The metal layer means a circuit pattern formed on a printed circuit board or a wafer level package. The solder bump further comprises a gold plating layer(14) formed between the metal layer and the copper post.
Abstract translation: 提供了一种焊料凸块以通过顺序地形成铜柱，镀银层和镀锡层来防止焊料凸块的机械强度降低，由此抑制作为在铜柱的界面上产生的金属间化合物的Ag 3 Sn的产生 焊锡 焊料凸块（30）包括铜柱（2），镀银层（4,8）和镀锡层（6,10）。 铜柱通过电镀工艺形成在形成电子部件的金属层（12）上。 镀铜层和镀锡层依次形成在铜柱上。 金属层是指形成在印刷电路板或晶片级封装上的电路图案。 焊料凸块还包括形成在金属层和铜柱之间的镀金层（14）。
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