公开(公告)号：KR1020140074142A

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020127030485

申请日：2011-12-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C03C10/0018 ,  C04B35/106 ,  C04B35/16 ,  C04B35/185 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/9607 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: GaN계 막의 제조 방법은, 불화수소산에 용해되는 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 지지 기판(11)의 주면(11m) 내의 열팽창 계수가, GaN 결정의 열팽창 계수와 비교해서, 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)의 주면(13m) 상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정과, 지지 기판(11)을, 불화수소산에 용해함으로써 제거하는 공정을 포함한다. 이에 따라, 주면의 면적이 크고 휨이 작고 결정성이 양호한 GaN계 막이 효율적으로 얻어지는 GaN계 막의 제조 방법 및 그것에 이용되는 복합 기판이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020130098156A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020127029950

申请日：2011-11-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 GaN계 막의 제조 방법은, 주면(11m)내의 열팽창계수가 GaN 결정의 a축 방향의 열팽창계수에 비교해서 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 단결정막(13)이 단결정막(13)의 주면(13m)에 수직인 축에 대하여 3회 대칭성을 갖는 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 복합 기판(10)에 있어서의 단결정막(13)의 주면(13m)상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정을 포함한다. 이로써, 주면의 면적이 크고 휘어짐이 작은 GaN계 막을 제조하는 것이 가능한 GaN계 막의 제조 방법이 제공된다.