公开(公告)号：KR1020090056829A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020080113391

申请日：2008-11-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  요시다히로아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/32 ,  C30B19/02 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: A III-nitride crystal substrate, and a light-emitting device and a method of the same are provided to allow the III-nitride crystal substrate to be suitable for an emitting diode by using a substrate with a low current density and a high crystallinity. In a III-nitride crystal substrate, and a light-emitting device and a method of the same, the III-nitride crystal substrate has a main substrate(100m) over 10cm^2. A peripheral region is positioned within 5mm or less from the circumference of the main side. The total dislocation density is over 1x10^4 cm-2 or less than 3x10^6 cm-2 at a region excluding the circumference, and the ratio of the spiral density to the total potential density is over 0.5.

Abstract translation: 提供III族氮化物晶体基板以及发光器件及其制造方法，以通过使用具有低电流密度和高结晶度的衬底来允许III族氮化物晶体衬底适用于发光二极管。 在III族氮化物晶体基板和发光器件及其制造方法中，III族氮化物晶体基板具有超过10cm 2的主衬底（100m）。 周边区域位于主侧面的5mm以内。 在除圆周外的区域，总位错密度超过1×10 ^ 4cm -2或小于3×10 6 cm -2，并且螺旋密度与总电位密度之比超过0.5。

公开(公告)号：KR1020130141465A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020137007075

申请日：2012-02-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  요시다히로아키 ,  야마모토요시유키 ,  하치고아키히로 ,  마츠바라히데키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/76254

Abstract: 본 보호막 부착 복합 기판(2Q)은, 지지 기판(10)과, 지지 기판(10) 상에 배치된 산화물막(20)과, 산화물막(20) 상에 배치된 반도체층(30a)과, 산화물막(20) 중 지지 기판(10) 및 반도체층(30a) 중 어느 것으로도 덮여 있지 않은 부분(20s, 20t)을 덮음으로써 산화물막(20)을 보호하는 보호막(40)을 포함한다. 본 반도체 디바이스의 제조 방법은, 보호막 부착 복합 기판(2Q)을 준비하는 공정과, 보호막 부착 복합 기판(2Q)의 반도체층(30a) 상에, 반도체 디바이스로서의 기능을 발현시키는 적어도 1층의 기능 반도체층을 에피택셜 성장시키는 공정을 포함한다. 이에 따라, 고품질의 기능 반도체층을 에피택셜 성장시킬 수 있는 유효 영역이 큰 보호막 부착 복합 기판, 및 이러한 보호막 부착 복합 기판을 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130129817A

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020127027472

申请日：2011-11-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  요시다히로아키 ,  야마모토요시유키 ,  하치고아키히로 ,  마츠바라히데키

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254

Abstract: 본 III족 질화물 복합 기판(1)은, 지지 기판(10)과, 지지 기판(10) 상에 형성되어 있는 산화물막(20)과, 산화물막(20) 상에 형성되어 있는 III족 질화물층(30a)을 포함한다. 여기서, 산화물막(20)은, TiO
2 막 및 SrTiO
3 막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 막으로 할 수 있고, 불순물을 첨가할 수 있다. 이에 따라, 지지 기판과 III족 질화물층과의 접합 강도가 높은 III족 질화물 복합 기판이 제공된다.

公开(公告)号：KR101519657B1

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：KR1020080113391

申请日：2008-11-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  요시다히로아키

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 발광 디바이스에 적합하게 이용되는 III족 질화물 결정 기판 및 그 기판을 포함하는 발광 디바이스 및 그 발광 디바이스의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 III족 질화물 결정 기판은, 면적이 10 ㎝
2 이상의 주요면을 가지며, 주요면의 외주로부터의 거리가 5 ㎜ 이하의 외주 영역을 제외하는 주영역에서, 총 전위 밀도가 1×10
4 ㎝
-2 이상 3×10
6 ㎝
-2 이하이고, 총 전위 밀도에 대한 나선 전위 밀도의 비가 0.5 이상이다.

公开(公告)号：KR1020100039452A

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：KR1020107005238

申请日：2008-09-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에마츠고지 ,  요시다히로아키 ,  히로타류 ,  후지와라신스케 ,  다나카하루코

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/04

Abstract: Disclosed is a method for growing a group III nitride crystal, which enables to grow a large crystal by a liquid phase process. Specifically disclosed is a method for growing a group III nitride crystal (10) by a liquid phase process, which comprises a step for preparing a group III nitride crystal substrate (1) having the same chemical composition as the group III nitride crystal (10) and a thickness of not less than 0.5 mm, and a step for bringing a solution, which is obtained by dissolving a nitrogen-containing gas (5) into a solvent (3) containing a group III metal, into contact with a major surface (1m) of the group III nitride crystal substrate (1) and growing the group III nitride crystal (10) on the major surface (1m).

Abstract translation: 公开了一种用于生长III族氮化物晶体的方法，其能够通过液相法生长大晶体。 具体公开的是通过液相法生长III族氮化物晶体（10）的方法，其包括用于制备具有与III族氮化物晶体（10）相同的化学组成的III族氮化物晶体衬底（1）的步骤， 厚度不小于0.5mm，将含氮气体（5）溶解在含有III族金属的溶剂（3）中得到的溶液与主表面接触的工序 1m），并且在主表面（1m）上生长III族氮化物晶体（10）。