Abstract:
An epoxy resin composition for sealing a semiconductor device is provided to achieve excellent flame retardance, moldability and reliability without using any halogen flame retardant which generates by-products harmful on human and environment upon combustion. The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device comprises a Polytetrafluoroethylene(PTFE)-based organic filler and as a non-halogen flame retardant, magnesium zinc hydroxide which is represented by a formula 1: Mg1-xZnx(OH)2, wherein an average value of X is greater than 0 and not more than 1. In the epoxy resin composition, a total content of the PTFE-based organicfiller and the magnesium zinc hydroxide is 0.5-5 wt% with regard to the entire resin composition. The epoxy resin composition further comprises a polyaromatic epoxy resin represented by a formula 2 and a polyaromatic phenol resin represented by a formula 3, wherein an average value of n is 1-7.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로 보다 상세하게는 인체나 기기에 유해한 할로겐계 난연제 및 인계 난연제를 사용하지 않고, 다방향족 에폭시 수지와 다방향족 경화제를 사용하며, 여기에 무기난연제인 징크보레이트(zinc borate) 및/또는 마그네슘 징크 하이드록사이드(Magnesium Zinc Hydroxide)를 사용하여 난연성을 달성한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 할로겐 난연제, 인계 난연제, 다방향족 에폭시 수지, 다방향족 경화제, 징크보레이트, 마그네슘 징크 하이드록사이드
Abstract:
본발명의아크릴계화합물은하기화학식 1로표시되는것을특징으로한다. 상기아크릴계화합물은할로겐원소를포함하지않으며, 굴절률 1.65 이상의고굴절률을갖는다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R 및 R는각각독립적으로탄소수 2 내지 10의알킬렌기, 탄소수 6 내지 20의아릴렌기, 탄소수 7 내지 20의알킬아릴렌기또는아릴알킬렌기이고, Ar은탄소수 6 내지 10의아릴기이고, X 및 X는각각독립적으로 -O- 또는 -S-이고, Y 및 Y는각각독립적으로수소원자, -OH, -NH, 또는(여기서, R는수소원자또는메틸기이고, X는 -O- 또는 -N(R)-(R: 수소원자또는알킬기)이며, *는결합부위를나타냄)이고, Y 및 Y 중적어도하나는상기이며, n 및 n의평균값은각각독립적으로 1 내지 4이다.
Abstract translation:本发明的丙烯酸类化合物由化学式1表示。丙烯酸类化合物不包含卤素元素,折射率高于或等于1.65的高折射率。 在化学式1中,R 1和R 2各自独立地为具有2至10个碳原子的亚烷基,具有6至20个碳原子的亚芳基,烷基亚芳基或具有7至20个碳原子的芳基亚烷基。 Ar_1是6至10个碳原子的芳基。 X 1和X 2各自独立地为-O-或-S-。 Y 1和Y 2各自独立地为氢原子,-OH,-NH 2或(甲基)丙烯酸酯基,其中R 3为氢原子或甲基; X 3为-O-或-N(R) - (R为氢原子或烷基)。 和*表现出结合部分。 Y_1和Y2中的至少一个是(甲基)丙烯酸酯基团。 平均值n_1和n_2各自独立地为1至4。
Abstract:
본 발명의 폴리에테르설폰 제조방법은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리아릴렌 에테르 설폰-설파이드 화합물을 유기산 수용액 및 과산화수소 수용액으로 산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 폴리에테르설폰의 제조방법은 전체 공정이 190℃ 이하의 온화한 조건에서 수행되며, 염기성 화합물로부터 형성되는 반응 부산물 분리 등 복잡한 후처리 공정 없이, 경제적으로 폴리에테르설폰을 제조할 수 있다. [화학식 1]
상기 화학식 1에서, R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 PTFE(Polytetrafluoroethylene)계 유기충전제와 비할로겐계 난연제로서 마그네슘 징크 하이드록사이드를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 연소 시 인체 및 환경에 유해한 부산물을 발생시키는 할로겐족 난연제를 사용하지 않고서도 우수한 난연성을 달성할 수 있으며 성형성 및 신뢰성도 우수한 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로 보다 상세하게는 인체나 기기에 유해한 할로겐계 난연제 및 인계 난연제를 사용하지 않고, 다방향족 에폭시 수지와 다방향족 경화제를 사용하며, 여기에 무기난연제인 징크보레이트(zinc borate) 및/또는 마그네슘 징크 하이드록사이드(Magnesium Zinc Hydroxide)를 사용하여 난연성을 달성한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
Abstract:
An epoxy resin composition for packaging a semiconductor device is provided to reduce the problem of adhesion generated between an epoxy packaging material and a wafer chip, thereby improving reliance. An epoxy resin composition comprises 1-6 wt% of a diglycidyl ether bisphenol modified epoxy resin represented by the formula 1; 2-8 wt% of a polyaromatic epoxy resin represented by the formula 3; 1-5 wt% of a polyaromatic curing agent represented by the formula 4; 0.1-1.5 wt% of a triazine-based resin represented by the formula 6; 0.11-2.1 wt% of a coupling agent represented by X3-Si-CH2-CH2-CH2-O-CH2-R (wherein R is a cyclo epoxy group, an amino group, a methacryl group, or a vinyl group; and X are independently a methoxy group or an ethoxy group); 0.05-1 wt% of a curing accelerator; and 80-90 wt% of an inorganic filler. In the formula 1, R is a hydroxyl group or a methyl group; G is a glycidyl group; and n is an integer of 1-3. In the formulae 3 and 4, R1 and R2 are independently a C1-C4 alkyl group; a is an integer of 0-4; and n is an integer of 1-7.
Abstract:
본발명의아크릴계화합물은하기화학식 1로표시되는것을특징으로한다. 상기아크릴계화합물은할로겐원소를포함하지않으며, 굴절률 1.65 이상의고굴절률을갖는다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R 및 R는각각독립적으로탄소수 2 내지 10의알킬렌기, 탄소수 6 내지 20의아릴렌기, 탄소수 7 내지 20의알킬아릴렌기또는아릴알킬렌기이고, Ar은탄소수 6 내지 10의아릴기이고, X 및 X는각각독립적으로 -O- 또는 -S-이고, Y 및 Y는각각독립적으로수소원자, -OH, -NH, 또는(여기서, R는수소원자또는메틸기이고, X는 -O- 또는 -N(R)-(R: 수소원자또는알킬기)이며, *는결합부위를나타냄)이고, Y 및 Y 중적어도하나는상기이며, n 및 n의평균값은각각독립적으로 1 내지 4이다.