광학시트, 이를 위한 광학패턴 형성용 조성물, 이를 포함하는 복합 광학시트 및 이를 포함하는 광학표시장치
    1.
    发明公开
    광학시트, 이를 위한 광학패턴 형성용 조성물, 이를 포함하는 복합 광학시트 및 이를 포함하는 광학표시장치 无效
    光学片,其形成光学图案的组合物,包含该光学图案的复合光学片和包含该光学显示装置的光学显示装置

    公开(公告)号:KR1020160000103A

    公开(公告)日:2016-01-04

    申请号:KR1020140076822

    申请日:2014-06-23

    Abstract: 기재필름및 상기기재필름일면에형성된광학패턴층을포함하고, 상기광학패턴층은굴절률이 1.58 이상이고, 상기광학패턴층은하기 i) 내지 iv)의조건에서인덴터로상기광학패턴층을누르는경우, 상기인덴터로상기광학패턴층을누르는힘이 30mN이되었을때 상기인덴터가상기광학패턴층에들어가는깊이인 hmax가 5㎛이상인광학시트, 이를위한광학패턴형성용조성물, 이를포함하는복합광학시트및 이를포함하는광학표시장치가제공된다. i) 인덴터가광학패턴층을누르는최초힘:0mN ii) 인덴터가광학패턴층을누르는힘의초당증가율:0.6mN/s iii) 인덴터가광학패턴층을누르는방향: 광학패턴층에대해수직방향 iv) 인덴터는단면이직경 50㎛의원형인바(bar)를사용함.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括基膜的光学片和形成在该基膜的一侧上的光学图案层。 光学图案层的折射率至少为1.58。 如果压头在i)或iv)的条件下按压光学图案层,并且通过压头对光学图案层施加压力,达到30mN,hmax,压头进入光学图案的进入深度 层,至少为5μm。 提供了当在液晶显示装置上使用光学片时,基于高折射率提高亮度的光学片,包括该光学片的复合光学片和包括该光学片的光学显示装置。 上述条件如下:i)压头在光学图案层上的初始力,施加压力为0mN。 ii)每秒压头对光学图案层的增加力,施加压力为0.6mN / s。 iii)压光器在光学图案层上的按压方向垂直于光学图案层。 iv)压头使用一边直径为50μm的圆形棒。

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
    3.
    发明公开
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 失效
    用于密封半导体器件的环氧树脂组合物

    公开(公告)号:KR1020070069386A

    公开(公告)日:2007-07-03

    申请号:KR1020050131438

    申请日:2005-12-28

    Abstract: An epoxy resin composition for sealing a semiconductor device is provided to achieve excellent flame retardance, moldability and reliability without using any halogen flame retardant which generates by-products harmful on human and environment upon combustion. The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device comprises a Polytetrafluoroethylene(PTFE)-based organic filler and as a non-halogen flame retardant, magnesium zinc hydroxide which is represented by a formula 1: Mg1-xZnx(OH)2, wherein an average value of X is greater than 0 and not more than 1. In the epoxy resin composition, a total content of the PTFE-based organicfiller and the magnesium zinc hydroxide is 0.5-5 wt% with regard to the entire resin composition. The epoxy resin composition further comprises a polyaromatic epoxy resin represented by a formula 2 and a polyaromatic phenol resin represented by a formula 3, wherein an average value of n is 1-7.

    Abstract translation: 提供用于密封半导体器件的环氧树脂组合物,以实现优异的阻燃性,成型性和可靠性,而不使用任何卤素阻燃剂,其在燃烧时产生对人体和环境有害的副产物。 用于密封半导体器件的环氧树脂组合物包括基于聚四氟乙烯(PTFE)的有机填料和作为非卤素阻燃剂,由式1表示的氢氧化镁锌:Mg1-xZnx(OH)2,其中平均 X的值大于0且不大于1.在环氧树脂组合物中,关于整个树脂组合物,PTFE基有机填料和氢氧化镁锌的总含量为0.5-5重量%。 环氧树脂组合物还包含由式2表示的多芳族环氧树脂和由式3表示的多芳族酚醛树脂,其中n的平均值为1-7。

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
    4.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 失效
    用于密封半导体器件的环氧树脂组合物

    公开(公告)号:KR100611458B1

    公开(公告)日:2006-08-09

    申请号:KR1020030100374

    申请日:2003-12-30

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로 보다 상세하게는 인체나 기기에 유해한 할로겐계 난연제 및 인계 난연제를 사용하지 않고, 다방향족 에폭시 수지와 다방향족 경화제를 사용하며, 여기에 무기난연제인 징크보레이트(zinc borate) 및/또는 마그네슘 징크 하이드록사이드(Magnesium Zinc Hydroxide)를 사용하여 난연성을 달성한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
    할로겐 난연제, 인계 난연제, 다방향족 에폭시 수지, 다방향족 경화제, 징크보레이트, 마그네슘 징크 하이드록사이드

    Abstract translation: 本发明无需使用有害的卤素系阻燃剂和在具体人体基于磷的阻燃剂和设备比用于密封半导体元件的组合物的环氧树脂组合物的,和芳族环氧树脂的用途与芳族固化剂,在此无机阻燃剂 本发明涉及通过使用硼酸锌和/或氢氧化镁锌来实现阻燃性的用于密封半导体器件的环氧树脂组合物。

    고굴절률 아크릴계 화합물 및 이의 제조방법
    5.
    发明公开
    고굴절률 아크릴계 화합물 및 이의 제조방법 有权
    高折射率丙烯酸酯化合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020160000101A

    公开(公告)日:2016-01-04

    申请号:KR1020140076807

    申请日:2014-06-23

    CPC classification number: C07F9/5325 A01N57/20 C07F9/5337

    Abstract: 본발명의아크릴계화합물은하기화학식 1로표시되는것을특징으로한다. 상기아크릴계화합물은할로겐원소를포함하지않으며, 굴절률 1.65 이상의고굴절률을갖는다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R 및 R는각각독립적으로탄소수 2 내지 10의알킬렌기, 탄소수 6 내지 20의아릴렌기, 탄소수 7 내지 20의알킬아릴렌기또는아릴알킬렌기이고, Ar은탄소수 6 내지 10의아릴기이고, X 및 X는각각독립적으로 -O- 또는 -S-이고, Y 및 Y는각각독립적으로수소원자, -OH, -NH, 또는(여기서, R는수소원자또는메틸기이고, X는 -O- 또는 -N(R)-(R: 수소원자또는알킬기)이며, *는결합부위를나타냄)이고, Y 및 Y 중적어도하나는상기이며, n 및 n의평균값은각각독립적으로 1 내지 4이다.

    Abstract translation: 本发明的丙烯酸类化合物由化学式1表示。丙烯酸类化合物不包含卤素元素,折射率高于或等于1.65的高折射率。 在化学式1中,R 1和R 2各自独立地为具有2至10个碳原子的亚烷基,具有6至20个碳原子的亚芳基,烷基亚芳基或具有7至20个碳原子的芳基亚烷基。 Ar_1是6至10个碳原子的芳基。 X 1和X 2各自独立地为-O-或-S-。 Y 1和Y 2各自独立地为氢原子,-OH,-NH 2或(甲基)丙烯酸酯基,其中R 3为氢原子或甲基; X 3为-O-或-N(R) - (R为氢原子或烷基)。 和*表现出结合部分。 Y_1和Y2中的至少一个是(甲基)丙烯酸酯基团。 平均值n_1和n_2各自独立地为1至4。

    폴리에테르설폰의 제조방법
    6.
    发明公开
    폴리에테르설폰의 제조방법 无效
    制备聚醚砜的方法

    公开(公告)号:KR1020150031151A

    公开(公告)日:2015-03-23

    申请号:KR1020140017315

    申请日:2014-02-14

    CPC classification number: C08G75/23 C08G75/00 C08G2261/22 C08L81/06

    Abstract: 본 발명의 폴리에테르설폰 제조방법은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리아릴렌 에테르 설폰-설파이드 화합물을 유기산 수용액 및 과산화수소 수용액으로 산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 폴리에테르설폰의 제조방법은 전체 공정이 190℃ 이하의 온화한 조건에서 수행되며, 염기성 화합물로부터 형성되는 반응 부산물 분리 등 복잡한 후처리 공정 없이, 경제적으로 폴리에테르설폰을 제조할 수 있다.
    [화학식 1]

    상기 화학식 1에서, R
    1 , R
    2 , R
    3 및 R
    4 는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기이고, a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.

    Abstract translation: 本发明的制备聚醚砜的方法包括通过有机酸溶液和过氧化物溶液氧化包含由化学式1表示的重复单元的聚芳醚砜硫化物化合物的步骤。 根据制备聚醚砜的方法,所有方法在低于或等于190℃的温和条件下操作,并且经济地制造聚醚砜,而不需要复杂的后处理,例如由碱性化合物制成的反应性副产物的分离。 在化学式1中,R 1,R 2,R 3和R 4分别独立地为1至10个碳原子的烃基,a,b,c和d分别为0至4的整数。

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
    7.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 失效
    用于密封的环氧树脂组合物与其密封的半导体器件和半导体器件

    公开(公告)号:KR100758881B1

    公开(公告)日:2007-09-14

    申请号:KR1020050131438

    申请日:2005-12-28

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 PTFE(Polytetrafluoroethylene)계 유기충전제와 비할로겐계 난연제로서 마그네슘 징크 하이드록사이드를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 연소 시 인체 및 환경에 유해한 부산물을 발생시키는 할로겐족 난연제를 사용하지 않고서도 우수한 난연성을 달성할 수 있으며 성형성 및 신뢰성도 우수한 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다.

    PTFE(Polytetrafluoroethylene)계 유기충전제, 비할로겐계 난연제, 마그네슘 징크 하이드록사이드, 난연성, 성형성, 신뢰성

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

    公开(公告)号:KR1020050070621A

    公开(公告)日:2005-07-07

    申请号:KR1020030100374

    申请日:2003-12-30

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로 보다 상세하게는 인체나 기기에 유해한 할로겐계 난연제 및 인계 난연제를 사용하지 않고, 다방향족 에폭시 수지와 다방향족 경화제를 사용하며, 여기에 무기난연제인 징크보레이트(zinc borate) 및/또는 마그네슘 징크 하이드록사이드(Magnesium Zinc Hydroxide)를 사용하여 난연성을 달성한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
    9.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 有权
    用于包装半导体器件的环氧树脂组合物

    公开(公告)号:KR100797976B1

    公开(公告)日:2008-01-24

    申请号:KR1020060139237

    申请日:2006-12-31

    Abstract: An epoxy resin composition for packaging a semiconductor device is provided to reduce the problem of adhesion generated between an epoxy packaging material and a wafer chip, thereby improving reliance. An epoxy resin composition comprises 1-6 wt% of a diglycidyl ether bisphenol modified epoxy resin represented by the formula 1; 2-8 wt% of a polyaromatic epoxy resin represented by the formula 3; 1-5 wt% of a polyaromatic curing agent represented by the formula 4; 0.1-1.5 wt% of a triazine-based resin represented by the formula 6; 0.11-2.1 wt% of a coupling agent represented by X3-Si-CH2-CH2-CH2-O-CH2-R (wherein R is a cyclo epoxy group, an amino group, a methacryl group, or a vinyl group; and X are independently a methoxy group or an ethoxy group); 0.05-1 wt% of a curing accelerator; and 80-90 wt% of an inorganic filler. In the formula 1, R is a hydroxyl group or a methyl group; G is a glycidyl group; and n is an integer of 1-3. In the formulae 3 and 4, R1 and R2 are independently a C1-C4 alkyl group; a is an integer of 0-4; and n is an integer of 1-7.

    Abstract translation: 提供一种用于封装半导体器件的环氧树脂组合物,用于减少在环氧树脂封装材料和晶片芯片之间产生的粘附问题,从而提高依赖性。 环氧树脂组合物包含1-6重量%的由式1表示的二缩水甘油醚双酚改性环氧树脂; 2-8重量%由式3表示的多芳族环氧树脂; 1-5重量%由式4表示的多芳族固化剂; 0.1-1.5重量%的由式6表示的三嗪基树脂; 由X3-Si-CH2-CH2-CH2-O-CH2-R(其中R是环氧基,氨基,甲基丙烯酰基或乙烯基)表示的偶联剂的0.11-2.1重量% 独立地是甲氧基或乙氧基); 0.05-1重量%的固化促进剂; 和80-90重量%的无机填料。 在式1中,R是羟基或甲基; G是缩水甘油基; n为1-3的整数。 在式3和4中,R 1和R 2独立地为C 1 -C 4烷基; a是0-4的整数; n为1-7的整数。

    고굴절률 아크릴계 화합물 및 이의 제조방법
    10.
    发明授权
    고굴절률 아크릴계 화합물 및 이의 제조방법 有权
    高折射率丙烯酸化合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR101737171B1

    公开(公告)日:2017-05-18

    申请号:KR1020140076807

    申请日:2014-06-23

    Abstract: 본발명의아크릴계화합물은하기화학식 1로표시되는것을특징으로한다. 상기아크릴계화합물은할로겐원소를포함하지않으며, 굴절률 1.65 이상의고굴절률을갖는다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R 및 R는각각독립적으로탄소수 2 내지 10의알킬렌기, 탄소수 6 내지 20의아릴렌기, 탄소수 7 내지 20의알킬아릴렌기또는아릴알킬렌기이고, Ar은탄소수 6 내지 10의아릴기이고, X 및 X는각각독립적으로 -O- 또는 -S-이고, Y 및 Y는각각독립적으로수소원자, -OH, -NH, 또는(여기서, R는수소원자또는메틸기이고, X는 -O- 또는 -N(R)-(R: 수소원자또는알킬기)이며, *는결합부위를나타냄)이고, Y 및 Y 중적어도하나는상기이며, n 및 n의평균값은각각독립적으로 1 내지 4이다.

    Abstract translation: 本发明的丙烯酸类化合物的特征在于由以下通式(1)表示。 丙烯酸类化合物不含卤素元素,并具有1.65以上的高折射率。 其中R和R各自独立地为具有2至10个碳原子的亚烷基,具有6至20个碳原子的亚芳基,烷基亚芳基或具有7至20个碳原子的芳基亚烷基, 并且X和X各自独立地为-O-或-S-,Y和Y各自独立地为氢原子,-OH,-NH或其中R为氢原子或甲基 其中X是-O-或-N(R) - (R是氢原子或烷基),并且*表示结合位点,Y和Y中的一个也是如上所述,并且n和n的平均值是独立的 Lt。

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