公开(公告)号：WO2013094930A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/KR2012/010835

申请日：2012-12-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 서광원 ,  조경래 ,  최재원

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/04 ,  C08F20/10 ,  H01L21/58

CPC classification number: C08F20/10 ,  C08L33/10 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/27 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/83 ,  C08L33/066 ,  C08L33/14

Abstract: 본원 발명은 아크릴 공중합체를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 20 내지 40 중량부로 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 또한 본원 발명은 경화 후 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含丙烯酸共聚物的切割模片接合薄膜，涉及一种非紫外线切割模片接合薄膜，其包含相对于100重量份丙烯酸共聚物，20至40重量份的 含羟基的丙烯酸酯单体和聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯，使得对环框的粘着力是突出的。 本发明还涉及一种非紫外线切割芯片接合薄膜，其包括粘合剂层，所述粘合剂层相对于环形框架具有至少2.5N / 25mm的后固化粘着力（x），并且其中 y）和相对于粘合剂层的粘着力（y）的粘合力不大于1.3，从而防止了由于环形框架脱离引起的加工缺陷， 展示成功率。

公开(公告)号：KR1020160000102A

公开(公告)日：2016-01-04

申请号：KR1020140076821

申请日：2014-06-23

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김진우 ,  강용희 ,  김규영 ,  김선대 ,  김현석 ,  박철진 ,  이창민 ,  박경곤 ,  원동훈 ,  이동훈 ,  조경래 ,  조장현 ,  최진우

IPC: G02B5/04 ,  G02B5/30 ,  F21V8/00 ,  G02B5/02 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02B5/045 ,  G02B5/0231 ,  G02B5/305 ,  G02B6/0051 ,  G02F1/133536 ,  G02F2001/133607

Abstract: 기재필름및 상기기재필름상에형성된광학패턴층을포함하고, 상기광학패턴층은굴절률이 1.62 이상이고, 상기광학패턴층은 EDS(energy dispersive X ray spectroscopy)에의할때 P 피크의높이/C 피크의높이의비가 0.1 이상이고, 광학시트는휘도계로측정한△x, △y의절대값이각각 0.003 이하인광학시트,이를위한광학패턴형성용조성물, 이를포함하는복합광학시트및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括基膜的光学片和形成在基膜上的光学图案层。 光学图案层的折射率至少为1.62。 根据能量色散X射线光谱（EDS），光学图案层的P峰高与C峰高比为至少0.1。 光学片的Δx和Δy的绝对值中的每一个都通过亮度计测量为0.003以下。 提供了当在液晶显示器上使用光学片时的折射率高的光学片，包括该光学片的复合光学片以及包括该光学片的光学显示装置。

公开(公告)号：KR1020120067197A

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020100128660

申请日：2010-12-15

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 편아람 ,  어동선 ,  황민규 ,  송기태 ,  조경래 ,  김지호

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A dicing die-bonding film is provided to differently produce peeling force of a surface contacting with a base film and a surface contacting with a wafer by adding specific metal oxide filler. CONSTITUTION: A dicing die-bonding film(10) has a first side(A) contacting to a base film and a second side(B) contacting to a semiconductor wafer. The dicing die-bonding film is formed into monolayer. Peel force of the first side is under 0.1 N/25mm. The peel force of the second side is over 0.2 N/25mm. A light hardening degree of the first side is 90% to 99%. A light hardening degree of the second side is 10% to 50%. The ratio of the first side and the second side is 1:5-30. The dicing die-bonding film includes a metal oxide particle selected by titanium dioxide, zinc oxide, or mixture thereof.

Abstract translation: 目的：通过添加特定的金属氧化物填料，提供切割芯片接合薄膜以不同地产生与基底膜接触的表面和与晶片接触的表面的剥离力。 构成：切割芯片接合膜（10）具有与基膜接触的第一侧（A）和与半导体晶片接触的第二侧（B）。 切割芯片接合膜形成为单层。 第一面的剥离力在0.1N / 25mm以下。 第二面的剥离力超过0.2N / 25mm。 第一侧的光硬化度为90％〜99％。 第二面的光硬化度为10％〜50％。 第一面和第二面的比例为1:5-30。 切割芯片接合膜包括由二氧化钛，氧化锌或其混合物选择的金属氧化物颗粒。

公开(公告)号：KR101309815B1

公开(公告)日：2013-09-23

申请号：KR1020100128660

申请日：2010-12-15

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 편아람 ,  어동선 ,  황민규 ,  송기태 ,  조경래 ,  김지호

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 다이싱 다이본딩 필름은 기재필름에 접하는 제1면(A)과 반도체 웨이퍼에 접하는 제2면(B)을 가지며, 상기 제2면의 박리력은 제1면의 박리력보다 크고, 상기 제2면의 박리력은 0.2 N/25mm 이상인 것을 특징으로 한다. 상기 다이싱 다이본딩 필름은 기재필름 쪽에서는 박리가 잘 되고 웨이퍼 쪽에서는 다이싱 다이본딩 필름의 박리가 발생하지 않아 우수한 픽업 성능을 지니게 된다.

公开(公告)号：KR1020140118378A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020130034162

申请日：2013-03-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김지호 ,  양승용 ,  유용식 ,  조경래 ,  최재원

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: A back grinding protection film for protecting a semiconductor wafer is disclosed. The back grinding protection film for protecting a semiconductor wafer, as a back grinding protection film for protecting a semiconductor wafer where a buffer layer and an adhesive layer are stacked on a base material film, features that elastic modulus of indentation of the buffer layer at 25°C can be increased four to eighty times by ultraviolet irradiation.

Abstract translation: 公开了一种用于保护半导体晶片的背面磨削保护膜。 用于保护半导体晶片的背面磨削保护膜作为用于保护半导体晶片的背面研磨保护膜，其中缓冲层和粘合剂层堆叠在基材膜上，其特征在于缓冲层的压缩弹性模量为25 通过紫外线照射可以提高四至八十次。

公开(公告)号：KR1020140069508A

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：KR1020120136835

申请日：2012-11-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 양승용 ,  김지호 ,  유용식 ,  조경래 ,  최재원

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09J7/29 ,  C09J7/22 ,  C09J7/385 ,  C09J133/04 ,  C09J2201/60 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/6836

Abstract: The present invention relates to an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer including an adhesive layer containing a silane coupling agent, and more specifically, to an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer, wherein the increase rate of a void area is 10% or less 12 hours after the film is attached to the bump forming face of the semiconductor wafer.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于保护半导体晶片的表面的粘合膜，其包括含有硅烷偶联剂的粘合剂层，更具体地说，涉及一种用于保护半导体晶片表面的粘合膜，其中空隙的增加率 在膜附着到半导体晶片的凸块形成面12小时后，面积为10％以下。

公开(公告)号：KR1020140062984A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020120129358

申请日：2012-11-15

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 유용식 ,  김지호 ,  양승용 ,  조경래 ,  최재원

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J7/385 ,  C09J7/22 ,  C09J133/04 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/30 ,  C09J2205/30 ,  H01L21/304

Abstract: The present invention relates to a wafer back grinding adhesive film comprising a buffer layer including a first acrylic copolymer; and an adhesion layer including a second acrylic copolymer, wherein the glass transition temperature difference between the first acrylic copolymer and the second acrylic copolymer is -10-10 °C.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含缓冲层的晶片背面研磨粘合剂膜，该缓冲层包括第一丙烯酸共聚物; 以及包含第二丙烯酸共聚物的粘合层，其中第一丙烯酸类共聚物和第二丙烯酸类共聚物之间的玻璃化转变温度差为-10-10℃。

公开(公告)号：KR1020140139212A

公开(公告)日：2014-12-05

申请号：KR1020130059564

申请日：2013-05-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 유용식 ,  김상진 ,  김지호 ,  김철수 ,  조경래 ,  최재원

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/20

Abstract: 본 발명은,
접착제층; 및 상기 접착제층에 접한 점착제층을 포함하며,
상기 점착제층의 ASTM D2979-71에 따라 측정된 자외선 조사 전(A
0 )과 자외선 조사 후(A
1 )의 점착력의 비(A
0 /A
1 )가 11 이상이고,
상기 점착제층의 자외선 조사 후 25 ℃에서의 저장탄성율이 0.5 x 10
6 Pa 내지 5 x 10
8 Pa 범위인, 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明包括粘合层; 以及接触粘合剂层的粘合剂层。 根据粘合剂层的ASTM D2979-71，在紫外线辐射（A0）至紫外线辐射后（A1）之前的粘附比（A0 / A1）为11以上。 在粘合剂层的紫外线辐射之后的25℃下的储能模量在0.5×10 -6 Pa至5×10 8 Pa的范围内。

公开(公告)号：KR101455610B1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：KR1020110138245

申请日：2011-12-20

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 서광원 ,  조경래 ,  최재원

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/04 ,  C08F20/10 ,  H01L21/58

CPC classification number: C08F20/10 ,  C08L33/10 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/27 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/83 ,  C08L33/066 ,  C08L33/14

Abstract: 본원 발명은 아크릴 공중합체를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 20 내지 40 중량부로 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
또한 본원 발명은 경화 후 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020140058075A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：KR1020120124643

申请日：2012-11-06

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 유용식 ,  김지호 ,  양승용 ,  조경래 ,  최재원

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/60 ,  C09J133/04

CPC classification number: C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J133/04 ,  C09J2201/12 ,  C09J2203/326 ,  H01L2021/6006

Abstract: The present invention relates to an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer to prevent damage to a wafer and a wafer bump formation surface and contamination during the grinding process of a bump non-formation surface of the surface of a semiconductor wafer. More specifically, the present invention relates an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer including a base film and an intermediate layer laminated on the base film. The intermediate layer includes an acrylic resin containing an alkyl (meth) acrylate monomer with two or more carbon atoms of an alkyl group. The elongation rate of the base film with laminated intermediate layer is 400 to 900%.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于保护半导体晶片表面的粘合膜，以防止在半导体晶片的表面的凸块非形成表面的研磨过程期间对晶片和晶片凸块形成表面的损坏和污染。 更具体地说，本发明涉及一种用于保护半导体晶片的表面的粘合膜，该半导体晶片包括基膜和层压在基膜上的中间层。 中间层包括含有具有两个或更多个烷基碳原子的（甲基）丙烯酸烷基酯单体的丙烯酸树脂。 具有层压中间层的基膜的伸长率为400〜900％。