양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법
    2.
    发明公开
    양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법 失效
    用于扩展半导体光学放大器增益带宽的方法

    公开(公告)号:KR1020010077675A

    公开(公告)日:2001-08-20

    申请号:KR1020000005631

    申请日:2000-02-07

    Abstract: PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to obtain the semiconductor optical amplifier having a wide gain bandwidth by using a quantum dot as a gain region of the semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An InP(Indium Phosphorus) buffer layer is grown at a predetermined thickness(S10). After the growing of the InP buffer layer, a predetermined gas is supplied(S20, S30, S40). An InAs(Indium arsenide) single well layer is grown on the InP buffer layer(S50). After the growing of the InAs layer, a predetermined gas is supplied(S60, S70, S80). An InP cap layer is grown on the InAs layer(S90).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法,通过使用量子点作为半导体光放大器的增益区,获得具有宽增益带宽的半导体光放大器。 构成:以预定厚度生长InP(铟磷)缓冲层(S10)。 在InP缓冲层生长之后,提供预定的气体(S20,S30,S40)。 在InP缓冲层上生长InAs(砷化铟)单阱层(S50)。 在InAs层生长之后,提供预定的气体(S60,S70,S80)。 InAs层在InAs层上生长(S90)。

    양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법
    5.
    发明授权
    양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법 失效
    使用量子点的半导体光放大器的增益带宽扩展方法

    公开(公告)号:KR100361035B1

    公开(公告)日:2002-11-18

    申请号:KR1020000005631

    申请日:2000-02-07

    Abstract: 본 발명은 스스로 뭉쳐서 형성된 양자점에서 나오는 광의 스펙트럼이 매우 넓은 것을 이용하여 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭을 확장하는 방법에 관한 것이다.
    더 상세하게는 InGaAs/InGaAsP/InP 양자우물 반도체 광증폭기의 이득 대역폭 확장방법에 있어서, 소정 두께의 InP 버퍼층을 성장시키는 과정과, 상기 InP 버퍼층 성장후 소정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 과정과, 상기 InP 버퍼층 위로 InAs 단일 우물 구조층을 성장시키는 과정과, 상기 InAs 층 성장 후 소정 가스를 공급하여 격자 상수가 맞지 않는 상기 InAs 층이 서로 뭉쳐서 양자점을 형성하도록 하는 제2 가스 공급 과정과, 상기 InAs 층 위로 소정 두께의 InP 캡층을 성장시키는 과정으로 양자점을 생성하여 반도체 광 증폭기의 이득영역으로 양자점을 도입하고, 상기 InAs가 서로 뭉치면서 각 점들의 크기와 높이가 불균일하게 서로 독립적인 점을 형성하게 함을 특징으로 한다.

    새로운방향족폴리술폰에테르케톤중합체
    6.
    发明授权
    새로운방향족폴리술폰에테르케톤중합체 失效
    新型芳香族聚砜醚酮聚合物

    公开(公告)号:KR1019930006259B1

    公开(公告)日:1993-07-09

    申请号:KR1019900001238

    申请日:1990-02-02

    CPC classification number: C08G75/23 C08G65/4012 C08L2205/05

    Abstract: The polymer having a repeating unit of formula (I) is prepared by condensation reacting aromatic dihalogen compound (A) of formula (II) and aromatic diol (B) of formula (III) in the presence of alkali metal salt at 140-250 deg.C for 1-12 hr. In formulae, Ar is phenylene, biphenylene, etc., X is chlorine and M is alkali metal, compound (A) is 4-fluoro-4'-(4-fluorobenzoyl phenyloxy)diphenylsulfone and compound (B) is selected from 2,2-bis- (4-hydroxyphenyl)propane, hydroquinone or 4,4'-biphenol. The alkali metal salt is potassium carbonate and its addition amount is 1.0-20 wt.% w.r.t. aromatic diol.

    Abstract translation: 具有式(I)的重复单元的聚合物通过在140-250度的碱金属盐存在下使式(II)的芳族二卤化合物(A)和式(III)的芳族二醇(B) C 1〜12小时。 式中,Ar为亚苯基,亚联苯等,X为氯,M为碱金属,化合物(A)为4-氟-4' - (4-氟苯甲酰苯氧基)二苯砜,化合物(B) 丙二醇,对苯二酚或4,4'-联苯酚。 碱金属盐是碳酸钾,其添加量为1.0-20重量%w.r.t. 芳族二醇。

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