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公开(公告)号：KR102225540B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190059409A
申请日：2019-05-21
Applicant: 한국과학기술연구원 , 서울대학교병원 , 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: A61B3/145 , A61B3/14 , G02B21/025 , A61B3/0008 , A61B3/12 , A61B5/7275 , G02B21/0032 , G02B21/365 , G06T7/0012 , G02B26/06 , G06T2207/30041
Abstract: 본 개시는 광원으로부터의 광을 두 개의 광으로 분산하고, 안구에 입사되는 상기 두 개의 광의 경로를 조절하여 제1 배율로, 상기 안구의 적어도 하나의 안저 이미지를 획득하며, 상기 안구에 입사되는 상기 두 개의 광의 경로를 조절하여 제2 배율로, 상기 획득된 적어도 하나의 안저 이미지 전체의 망막에 대해서, 상기 제1 배율 보다 높은 제2 배율로 복수의 DIC 이미지를 획득하는 망막 이미지 촬영에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR102225540B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190059409
申请日：2019-05-21
Applicant: 한국과학기술연구원 , 서울대학교병원 , 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본개시는광원으로부터의광을두 개의광으로분산하고, 안구에입사되는상기두 개의광의경로를조절하여제1 배율로, 상기안구의적어도하나의안저이미지를획득하며, 상기안구에입사되는상기두 개의광의경로를조절하여제2 배율로, 상기획득된적어도하나의안저이미지전체의망막에대해서, 상기제1 배율보다높은제2 배율로복수의 DIC 이미지를획득하는망막이미지촬영에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1019970029938A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950045595
申请日：1995-11-30
IPC: H01H3/00
Abstract: 단일 스위치 내에서 전극간 접속 혹은 정전 용량 급속변화에 필요한 가속도 또는 전압의 임계치를 전기적으로 조절 할 수 있으며, 양방향 스위치 임계치를 각각 독립적으로 조절할 수 있는 가변 임계 미소 스위치를 제공할 목적으로 ;
실리콘 기판으로 이루어지며, 그 길이방향 중앙부의 상하부가 소정의 폭을 갖고 요입되어, 단면에서 볼 때 중앙부분이 소 두께부로 이루어지고, 그 양측 부분이 대 두께부로 이루어지며, 그 중앙부에 장방형의 공간부가 형성되는 베이스 플레이트와 ;
상기 베이스 플레이트의 공간부 하측을 제외한 부분에 2중으로 도포되며, 상기 공간부의 상측부에는 길이방향 양측이 절취되어 양단 고정보가 되도록 형성되는 내, 외측 박막층과 ;
상기 양단 고정보의 중간부에 부착되어 현수되는 질량체와 ;
상기 양단 고정보와 질량체의 하측으로 형성되는 상, 하부 전극과 ;
상기 베이스 플레이트의 양 대폭부 상하면에 형성되는 접착부 상, 하부 전극과 ;
일면으로 띠상의 전극이 형성되어 이의 전극이 양단 고정보와 직교되는 방향에서 베이스 플레이트의 상하면에 부착되는 상, 하부 유리를 포함하여 이루어지는 가변 임계 미소 스위치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1019970023513A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037075
申请日：1995-10-25
IPC: H01H3/00
Abstract: 마이크로 머신 제작시 여러 가지 문제점을 유발케 하는 잔류 응력을 유리한 측면으로 역이용하여 잔류 응력에 의한 구조물의 좌굴을 이용하는 미소 스위치를 제공할 목적으로; 실리콘 기판으로 이루어지며, 그 길이 방향 중앙부의 상측부분 이하측으로 요입되어 그 중앙부에 소정 크기의 공간부가 형성되는 베이스 플레이트와; 상기 베이스 플레이트의 공간부 하측을 제외한 부분에 2중으로 도포되며, 상기 공간부의 상측부에는 길이 방향 양측이 절취되어 양단 고정보가 되도록 형성되는 내,외측 박막층과; 상기 양단 고정보의 상측으로 형성되는 하부 전극과; 상기 베이스 플레이트의 양측에 상기 양단 고정보와 동일 방향으로 형성되는 접착부 전극과, 하면으로 전극이 형성되어 베이스 플레이트의 상면에 부착되는 유리판을 포함하여 이루어지는 임계 미소 스위치 및 이의 제조방법을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020200133996A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：KR1020190059409
申请日：2019-05-21
Applicant: 한국과학기술연구원 , 서울대학교병원 , 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본개시는광원으로부터의광을두 개의광으로분산하고, 안구에입사되는상기두 개의광의경로를조절하여제1 배율로, 상기안구의적어도하나의안저이미지를획득하며, 상기안구에입사되는상기두 개의광의경로를조절하여제2 배율로, 상기획득된적어도하나의안저이미지전체의망막에대해서, 상기제1 배율보다높은제2 배율로복수의 DIC 이미지를획득하는망막이미지촬영에관한것이다.
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公开(公告)号：KR100154055B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950037075
申请日：1995-10-25
IPC: H01H3/00
Abstract: 마이크로 머신 제작시 여러 가지 문제점을 유발케 하는 잔류 응력을 유리한 측면으로 역이용하여 잔류 응력에 의한 구조물의 좌굴을 이용하는 미소 스위치를 제공할 목적으로; 실리콘 기판으로 이루어지며, 그 길이 방향 중앙부의 상측부분이 하측으로 요입되어 그 중앙부에 소정 크기의 공간부가 형성되는 베이스 플레이트와; 상기 베이스 플레이트의 공간부 하측을 제외한 부분에 2중으로 도포되며, 상기 공간부의 상측부에는 길이 방향 양측이 절취되어 양단 고정보가 되도록 형성되는 내,외측 박막층과; 상기 양단 고정보의 상측으로 형성되는 하부 전극과; 상기 베이스 플레이트의 양측에 상기 양단 고정보와 동일 방향으로 형성되는 접착부 전극과; 하면으로 전극이 형성되어 베이스 플레이트의 상면에 부착되는 유리판을 포함하여 이루어지는 임계 미소 스위치 및 이의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR102242910B1
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：KR1020190058324
申请日：2019-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N33/543 , G01N33/68 , G01N27/327
Abstract: 본발명은그래핀기반전극을이용한수용체의특성을분석하는방법에관한것으로, 구체적으로 i) 수용체를포함하는베지클을제조하는단계; ii) 그래핀기반전극표면에지질이중층을형성하는단계; 및 iii) 순환전압전류법으로측정하는단계;를포함하는것인수용체의감응성을측정하는방법, 및특정자극에대한반응성을나타낼것으로예상되는수용체후보군을스크리닝하는방법에관한것이다. 본발명은자극에대한수용체의반응을실시간으로확인할수 있으며, 샘플의손상없이다수의샘플을동시에, 간단하게실험할수 있으므로, 다양한수용체들의자극에대한반응과신호전달메커니즘을밝히고, 인공적으로제조한수용체의성능을파악하고분석하는데유용하게이용될수 있다.
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公开(公告)号：KR100158161B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950045595
申请日：1995-11-30
IPC: H01H3/00
Abstract: 단일 스위치 내에서 전극간 접속 혹은 정전 용량 급속변화에 필요한 가속도 또는 전압의 임계치를 전기적으로 조절할 수 있으며, 양방향 스위치 임계치를 각각 독립적으로 조절할 수 있는 가변 임계 미소 스위치를 제공할 목적으로; 실리콘 기판으로 이루어지며, 그 길이방향 중앙부의 상하부가 소정의 폭을 갖고 요입되어, 단면에서 볼 때 중앙부분이 소 두께부로 이루어지고, 그 양측 부분이 대 두께부로 이루어지며, 그 중앙부에 장방형의 공간부가 형성되는 베이스 플레이트와; 상기 베이스 플레이트의 공간부 하측을 제외한 부분에 2중으로 도포되며, 상기 공간부의 상측부에는 길이방향 양측이 절취되어 양단 고정보가 되도록 형성되는 내,외측 박막층과; 상기 양단 고정보의 중간부에 부착되어 현수되는 질량체와; 상기 양단 고정보와 질량체의 하측으로 형성되는 상,하부 전극과; 상기 베이스 플레이트의 양 대폭부 상하면에 형성되는 접착부 상,하부 전극과; 일면으로 띠상의 전극이 형성되어 이의 전극이 양단 고정보와 직교되는 방향에서 베이스 플레이트의 상하면에 부착되는 상,하부 유리를 포함하여 이루어지는 가변 임계 미소 스위치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020200132578A
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：KR1020190058324
申请日：2019-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N33/543 , G01N33/68 , G01N27/327
Abstract: 본발명은그래핀기반전극을이용한수용체의특성을분석하는방법에관한것으로, 구체적으로 i) 수용체를포함하는베지클을제조하는단계; ii) 그래핀기반전극표면에지질이중층을형성하는단계; 및 iii) 순환전압전류법으로측정하는단계;를포함하는것인수용체의감응성을측정하는방법, 및특정자극에대한반응성을나타낼것으로예상되는수용체후보군을스크리닝하는방법에관한것이다. 본발명은자극에대한수용체의반응을실시간으로확인할수 있으며, 샘플의손상없이다수의샘플을동시에, 간단하게실험할수 있으므로, 다양한수용체들의자극에대한반응과신호전달메커니즘을밝히고, 인공적으로제조한수용체의성능을파악하고분석하는데유용하게이용될수 있다.
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