플렉서블 나노 제너레이터 및 제조 방법
    1.
    发明申请
    플렉서블 나노 제너레이터 및 제조 방법 审中-公开
    柔性纳米粒子及其制造方法

    公开(公告)号:WO2015122727A1

    公开(公告)日:2015-08-20

    申请号:PCT/KR2015/001511

    申请日:2015-02-13

    CPC classification number: H01L41/183 H01L41/313

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 나노제너레이터는 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판 상에 적층된 압전물질층; 및 상기 압전물질층 상에 형성된 전극을 포함하며, 상기 압전물질층은 투명 희생기판상에 적층된 후, 레이저 리프트 오프 방식으로 분리된다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 적층형 플렉서블 나노 제너레이터는, 플렉서블 기재; 및 상기 플렉서블 기재 상에 적층되는 복수의 압전 소자층;을 포함하며, 상기 복수의 압전 소자층은 상기 플렉서블 기재의 상면에 적층되는 제1 압전 소자층 및 상기 제1 압전 소자층의 상면 또는 상기 플렉서블 기재의 하면에 적층되는 제2 압전 소자층을 포함한다. 본 발명은 레이저 리프트 오프 공정을 통해 제조되는 압전소자층을 포함하는 복수의 자가 발전기를 적층하는 과정을 통해 플라스틱 기판 상에서 차지하는 면적을 줄이는 동시에 부피를 최소화할 수 있게 하고, 플라스틱 기판의 사용을 줄임으로써 제작 비용의 감소를 기대하게 한다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的柔性纳米发生器包括:柔性基底; 堆叠在柔性基板上的压电材料层; 以及形成在所述压电材料层上的电极,其中所述压电材料层堆叠在透明牺牲基板上,然后通过激光剥离工艺分离。 根据本发明另一实施例的三维叠层型柔性纳米发生器包括:柔性基底材料; 以及层叠在柔性基材上的多个压电元件层,其中,所述多个压电元件层包括堆叠在所述柔性基材的上侧的第一压电元件层和层叠在所述柔性基材的上侧的第二压电元件层 第一压电元件层或柔性基材的下侧。 本发明能够通过层叠多个通过激光剥离工艺制造的压电元件层的自发电机的堆叠步骤,同时使体积最小化,从而减小塑料基板上的占用面积, 通过减少塑料基板的使用来降低制造成本。

    단결정 압전물질층을 포함하는 플라스틱 나노제너레이터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노제너레이터
    4.
    发明公开
    단결정 압전물질층을 포함하는 플라스틱 나노제너레이터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노제너레이터 有权
    包含单晶压电材料的塑料纳米粒子的制造方法及其制造的纳米粒子

    公开(公告)号:KR1020160006862A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:KR1020140086165

    申请日:2014-07-09

    CPC classification number: H01L41/22 H01L41/083 H01L41/16

    Abstract: 본발명에따른플라스틱나노제너레이터제조방법은층상기판상에압전물질층및 금속층을적층시켜압전소자를형성하는단계, 상기압전소자상에분리유도금속을접합시키는단계, 상기압전소자상에전사기판을접합시키는단계, 상기층상기판을제거하는단계, 상기압전소자를플라스틱기판상에전사시키는단계, 및상기압전소자상에접합된분리유도금속을제거하는단계를포함하고, 상기압전물질층은단결정 PMN-PT (Pb(MgNb)O- PbTiO)를포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明的塑料纳米发生器的制造方法包括通过在压电基板上堆叠压电材料和金属层来形成压电元件的步骤,将分离感应金属接合到压电元件上的步骤, 电气元件,将转印基板接合到压电元件上的步骤,去除层叠基板的步骤,将压电元件转印到塑料基板上的步骤,以及将分离感应金属去除的步骤 压电元件。 压电材料包括单晶PMN-PT(Pb(Mg_1 / _3Nb_2 _ / _3)O_3-PbTiO_3)。

    버퍼층을 이용한 나노제너레이터 분리 방법 및 이를 이용한 플렉서블 나노제너레이터 제조방법
    7.
    发明公开
    버퍼층을 이용한 나노제너레이터 분리 방법 및 이를 이용한 플렉서블 나노제너레이터 제조방법 有权
    分离纳米机的方法和使用其制造纳米机的方法

    公开(公告)号:KR1020150094945A

    公开(公告)日:2015-08-20

    申请号:KR1020140015885

    申请日:2014-02-12

    Abstract: 희생기판 상에 버퍼층을 적층하는 단계; 상기 버퍼층 상에 나노제너레이터를 제조하는 단계; 상기 나노제너레이터 상에 금속층을 적층하는 단계; 및 상기 버퍼층으로부터 상기 나노제너레이터를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노제너레이터 분리방법이 제공된다.
    본 발명은 종래의 습식 식각 등의 공정을 통하여 희생기판으로부터 나노제너레이터를 분리하는 방식이 아닌, 희생기판과 상기 금속층 사이의 응력 차이를 이용하여 나노제너레이터를 분리한다. 특히 니켈과 같은 금속층에서의 인장 응력과, 하부 실리콘 기판 사이의 압축 응력 차이에 따라 버퍼층인 실리콘 산화물층으로부터 나노제너레이터가 그대로 분리된다. 따라서, 기계적인 방식으로 나노제너레이터를 희생기판으로부터 분리할 수 있으므로, 식각액을 이용한 화학적 분리 방식에 비하여 보다 안전하고, 경제적이다. 더 나아가, 식각액으로 인한 나노제너레이터의 손상을 미리 피할 수 있다는 장점이 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种分离纳米发生器的方法。 该方法包括以下步骤:在牺牲衬底上层叠缓冲层; 在缓冲层上制造纳米发生器; 在纳米发生器上层压金属层; 并将纳米发生器与缓冲层分离。 通过使用牺牲衬底和金属层之间的应力差来分离纳米发生器,这与通过诸如湿式蚀刻的处理从牺牲衬底分离非发生器的现有方法不同。 特别地,通过镍等金属层的拉伸强度和下硅基板的压缩应力之间的差异,将纳米发生器从作为缓冲层的氧化硅层分离而不损坏。 因此,与使用蚀刻溶液的化学分离方式相比,纳米发生器可以以机械方式与牺牲衬底分离,这是更安全和更经济的。 此外,可以防止由蚀刻溶液引起的纳米发生器的损伤。

    이방 전도성 필름
    9.
    发明授权
    이방 전도성 필름 有权
    各向异性导电膜

    公开(公告)号:KR101115686B1

    公开(公告)日:2012-03-05

    申请号:KR1020090092623

    申请日:2009-09-29

    Abstract: 본발명은제1전자부품의전기접속부인제1접속부와제2전자부품의전기접속부인제2접속부간의선택적통전및 제1전자부품과제2전자부품간의기계적결합을위한이방전도성필름(ACF; Anisotropic Conductive Film)에관한것으로, 상세하게본 발명에따른이방전도성필름은비전도성폴리머인나노파이버(nano fiber) 및전도성입자를포함하고상기전도성입자가상기나노파이버의폴리머에감싸여(embedded) 물리적으로상기나노파이버에고정되어있으며상기전도성입자가고정된상기나노파이버가서로불규칙적으로엉켜형성된나노구조체;를함유하는특징이있다.

    Abstract translation: 本发明涉及第一电子部件的电连接部分和第二电子部件的第二电部分的第二部分之间的第一电子部件的通电和通电。 详细地说,根据本发明的各向异性导电膜包括作为非导电聚合物的纳米纤维和导电粒子,并且导电粒子嵌入在纳米纤维的聚合物中并物理嵌入纳米纤维中。 并且固定到纳米颗粒的纳米结构和固定有导电颗粒的纳米纤维彼此不规则地缠结。

    열 및 기계적 특성이 개선된 플립칩 접속용 필름
    10.
    发明公开
    열 및 기계적 특성이 개선된 플립칩 접속용 필름 失效
    用于具有改进的热和机械性能的片芯互连膜和其制备方法

    公开(公告)号:KR1020070027800A

    公开(公告)日:2007-03-12

    申请号:KR1020050079620

    申请日:2005-08-29

    Abstract: A flip chip connecting film is provided to enhance thermal and mechanical characteristics without the degradation of an electrical connection by using a physical property improving layer. A flip chip connecting film includes a physical property improving layer. The physical property improving layer is formed like a three-dimensional network structure. The three-dimensional network structure is obtained by reacting a multi-functional epoxy resin on a hardening agent. The multi-functional epoxy resin contains at least three epoxy radicals. The flip chip connecting film further includes conductive grains.

    Abstract translation: 提供了一种倒装芯片连接膜,以通过使用物理性能改进层来增强热和机械特性,而不会降低电连接。 倒装芯片连接膜包括物理性能改进层。 物理性质改善层形成为三维网状结构。 通过使多功能环氧树脂在硬化剂上反应来获得三维网状结构。 多官能环氧树脂含有至少三个环氧基。 倒装芯片连接膜还包括导电颗粒。

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