公开(公告)号：KR1020110057295A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020090113633

申请日：2009-11-24

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 정성일 ,  오현석 ,  니키브로프 ,  김판겸 ,  김현택 ,  전정우 ,  김종문

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32009

Abstract: PURPOSE: A device and method for processing various kinds of spices using plasma immersion ions are provided to efficiently polish a surface of large cylindrical processing materials by colliding ions accelerated to a sheath with rotary processing materials. CONSTITUTION: Plasma is filled in a vacuum chamber. A support(12) and a rotation device(13) are installed in a vacuum chamber. A cover(15) includes a slot(14) arranged along the surface of the processing materials. The cover is electrically connected to the processing materials. A power source(16) supplies power to the processing materials and the cover.

Abstract translation: 目的：提供使用等离子体浸渍离子处理各种香料的装置和方法，以通过与旋转处理材料碰撞加速到护套的离子来有效地抛光大圆柱形处理材料的表面。 构成：将等离子体填充在真空室中。 支撑件（12）和旋转装置（13）安装在真空室中。 盖（15）包括沿着处理材料的表面布置的槽（14）。 盖子与处理材料电连接。 电源（16）向处理材料和盖子供电。

公开(公告)号：KR101048057B1

公开(公告)日：2011-07-11

申请号：KR1020090113633

申请日：2009-11-24

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 정성일 ,  오현석 ,  니키브로프 ,  김판겸 ,  김현택 ,  전정우 ,  김종문

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32009

Abstract: 본 발명은 가속 이온을 이용한 저온 플라즈마 잠입 이온으로 다양한 종류의 시편을 가공 처리하는 장치와 방법에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공장치는 챔버 내부에 원통형 가공물이 놓여짐과 아울러 원통형 가공물 주위로 저온 플라즈마가 둘러싸게 되고, 다중 슬롯을 갖는 가공물 덮개가 원통형 가공물 주위에 씌워지면서 플라즈마로부터 분리시키게 되며, 스퍼터링을 유발시키기에 충분한 음전위가 원통형 가공물과 가공물 덮개에 부가됨으로써, 플라즈마로부터 나온 이온이 덮개와 플라즈마 사이에 형성된 쉬스층 안으로 가속되고, 슬롯을 통과하여 원통형 가공물에 충돌하게 되어 원통형 가공물의 표면 거칠기를 감소시키는 방식으로 이루어진다.
이러한 본 발명의 가공 장치 및 방법은 대면적의 원통형 기판, 특히 마이크로 또는 나노 패턴 전사 기술을 위한 기판의 표면을 수 나노 미터의 표면 거칠기로 만드는데 효과가 있다.
그리고, 본 발명의 방법은 단일 또는 다중 챔버 내에서 플라즈마 세정, 표면 활성, 표면 연마, 건식 식각, 증착, 플라즈마 잠입 이온 주입 및 증착 등의 공정을 수행할 수 있다.
플라즈마, 잠입, 이온, 표면처리, 스퍼터링, 챔버, 가공물 덮개, 슬롯, 가속, 가공

Abstract translation: 本发明涉及使用加速离子使用低温等离子体流入离子处理各种样品的设备和方法。

公开(公告)号：KR101410743B1

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：KR1020120142435

申请日：2012-12-10

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 김판겸 ,  오현석 ,  정성일 ,  니키브로프 ,  김종문 ,  전정우

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/317 ,  H01L21/302

Abstract: 본 발명은 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가속 이온을 이용한 저온 플라즈마 잠입 이온으로 시편의 표면에 다양한 형태의 나노패턴을 형성하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
이에 본 발명은, 전기적으로 절연되며, 플라즈마가 채워지는 진공 챔버; 가공물이 놓여지는 부분으로서, 진공 챔버의 내부에 설치되어 가공물과 함께 회전가능한 받침대; 상기 가공물 및 받침대의 회전을 위한 회전수단; 전도성을 가지면서 가공물을 둘러싸서 가공물을 플라즈마로부터 분리시키며, 전기적으로 가공물과 연결되는 덮개; 적어도 상기 덮개의 한 면 이상에 회전가능하게 구비되고, 가공물의 표면을 따라 배치되는 슬롯;을 포함하며, 상기 슬롯을 회전시켜 형성하고자 하는 나노패턴의 형상에 따라 소정의 각도로 세팅함으로써, 플라즈마로부터 나온 이온이 슬롯을 통해 덮개와 가공물 사이의 공간으로 이끌리게 되어 가공물의 표면에 충돌하게 될 때, 상기 슬롯의 각도에 따라 가공물의 표면에 원하는 나노패턴을 형성할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020140074464A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020120142435

申请日：2012-12-10

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 김판겸 ,  오현석 ,  정성일 ,  니키브로프 ,  김종문 ,  전정우

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/317 ,  H01L21/302

Abstract: The present invention relates to a device and a method for processing nanopatterns using plasma immersion ions and, more specifically, to a device and a method for forming nanopatterns of various types on the surface of a sample by low temperature plasma immersion ions by using acceleration ions. The device for processing nanopatterns using plasma immersion ions comprises: a vacuum chamber which is electrically insulated and is filled with plasma; a rack which is installed in the vacuum chamber to receive a processed article and is rotatable along with the processed article; a rotating means to rotate the processed article and the rack; a cover which has conductivity, covers the processed article to separate the processed article from the plasma, and is electrically connected to the processed article; and a slot which is included to be rotated in at least one or more surfaces of the cover and is arranged along the surface of the processed article. The desired nanopatterns are formed on the surface of the processed article according to an angle of the slot by rotating the slot to be set at a certain angle according to the shape of nanopatterns to be formed when the ions extracted from the plasma are led to the space between the cover and the processed article through the slot and the ions collide with the surface of the processed article.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用等离子体浸没离子处理纳米图案的装置和方法，更具体地涉及通过使用加速离子通过低温等离子体浸入离子在样品表面上形成各种类型的纳米图案的装置和方法 。 使用等离子体浸没离子处理纳米图案的装置包括：电绝缘并填充有等离子体的真空室; 安装在真空室中以容纳处理物品并与处理物品一起旋转的搁架; 用于旋转经处理的物品和搁架的旋转装置; 具有导电性的覆盖物覆盖加工制品以将处理的物品与等离子体分离，并与处理物品电连接; 以及包括在所述盖的至少一个或多个表面中旋转并沿着所述处理物品的表面布置的槽。 根据当从等离子体提取的离子被引导到所形成的纳米图案的形状时，根据槽的角度将所需的纳米图案的形状转换成一定角度，形成所需的纳米图案。 通过狭槽，盖子和被处理物品之间的空间和离子与处理物品的表面碰撞。