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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100227787B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960043787
申请日：1996-10-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 큰 종횡비와 작은 저항 및 변형이 없는 실리콘 구조체를 표면 미세 가공 기술로 제작할 수 없었던 종래 기술의 문제점을 가운데의 두꺼운 실리콘층과 농도 조절을 위한 상하의 얇은 실리콘층으로 실리콘 다층 구조를 형성하여 박막의 상하 방향으로 불순물을 대칭으로 분포시켜 응력 구배를 제거하고, 가운데의 실리콘 박막에 잔류 응력이 존재하는 경우 상하에 주입되는 불순물의 양을 조절함으로써 기존의 응력 구배를 상쇄시켜 미소 구조체의 휨 변형을 최소화시킬 수 있는 실리콘 미소 구조체 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1019980025599A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960043787
申请日：1996-10-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 큰 종횡비와 작은 저항 및 변형이 없는 실리콘 구조체를 표면 미세 가공 기술로 제작할 수 없었던 종래 기술의 문제점을 가운데의 두꺼운 실리콘 층과 농도 조절을 위한 상하의 얇은 실리콘 층으로 실리콘 다층 구조를 형성하여 박막의 상하 방향으로 불순물을 대칭으로 분포시켜 응력 구배를 제거하고, 가운데의 실리콘 박막에 잔류 응력이 존재하는 경우 상하에 주입되는 불순물의 양을 조절함으로써 기존의 응력 구배를 상쇄시켜 미소 구조체의 휨 변형을 최소화시킬 수 있는 실리콘 미소 구조체 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100233829B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019970039495
申请日：1997-08-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 특히 미세가공기술로 제작 가능한 압전 박막을 이용하여 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지도록 하는 마이크로 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
실리콘 미세가공기술을 이용해 정전기력 및 자기력으로 구동되는 종래의 진동형 마이크로 자이로스코프는 진동 방향과 수직한 방향으로 발생하는 코리올리 힘을 이용하여 각속도를 측정하게 되는데, 공기 감쇠의 효과를 줄여 감도를 높이기 위해서는 진공 패키징이 요구되며, 가진과 검출의 진동 모드를 가능한 정확히 조율해야 하는 문제점이 발생한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은 센서의 구조가 실리콘, 압전 박막 및 금속의 적층형으로 구성되어 있어 반도체 제조 공정으로 구현이 가능하고, 직선적으로 전파되는 진행파를 압전박판에 발생시켰을 때 외부 회전 각속도에 의해 받게되는 코리올리 힘을 전기적 신호로 검출되도록 함으로써, 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지게 되어 제작공정이 단순화되며 진공 패키징 및 주파수 조율이 필요 없는 저가의 고감도 각속도를 제시한다.-
公开(公告)号：KR1019990016809A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970039495
申请日：1997-08-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 특히 미세가공기술로 제작 가능한 압전 박막을 이용하여 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지도록 하는 마이크로 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
실리콘 미세가공기술을 이용해 정전기력 및 자기력으로 구동되는 종래의 진동형 마이크로 자이로스코프는 진동 방향과 수직한 방향으로 발생하는 코리올리 힘을 이용하여 각속도를 측정하게 되는데, 공기 감쇠의 효과를 줄여 감도를 높이기 위해서는 진공 패키징이 요구되며, 가진과 검출의 진동 모드를 가능한 정확히 조율해야 하는 문제점이 발생한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은 센서의 구조가 실리콘, 압전 박막 및 금속의 적층형으로 구성되어 있어 반도체 제조 공정으로 구현이 가능하고, 종래의 정전 용량 검출법의 단점을 보완하기 위해, 원판 구동형이 아닌 직선적으로 전파되는 진행파를 이용한 압전 박판이 외부 회전 각속도에 의해 받게되는 코리올리 힘을 전기적 신호로 검출되도록 함으로써, 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루지게 되어 회로가 단순화되며 진공 패키징 및 주파수 조율이 필요 없는 저가의 고감도 각속도계를 제시한다.-
公开(公告)号：KR100712078B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050119222
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 본 발명은 4방향 게이트에 의해 수직방향과 수평방향으로 동시에 공핍영역이 조절되는 수평형 접합전계효과 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수평형 접합전계효과 트랜지스터는 수직방향으로의 공핍을 제어하는 상부 및 하부 게이트와, 수평방향으로의 공핍을 제어하는 측면 게이트를 포함하며, 4방향의 게이트와 직교하는 수평방향으로 전도성 캐리어들이 흐르도록 설계된다. 여기서 측면 게이트는 주된 게이트 역할을 하고, 상부 및 하부 게이트는 보조 게이트 역할을 한다. 본 발명에 의하면, 측면 게이트에서 공정 변화에 따른 채널의 폭 및 캐리어 농도 변화가 심하지 않기 때문에 문턱전압 및 흐르는 전류의 균일도가 우수하며, 온-오프 스위치 특성이 우수한 수평형 접합전계효과 트랜지스터 소자를 구현할 수 있다.
JFET(Junction FET), 수평형(Lateral), 공핍, 수평, 측면, 4방향, 게이트Abstract translation: 本发明涉及一种水平结型场效应晶体管，其中耗尽区通过四路栅极在垂直和水平方向上被同时控制。 根据本发明的水平耦合场效应晶体管包括用于控制垂直方向上的耗尽的上和下栅极和用于控制水平方向上的耗尽的侧栅极， 运营商被设计为流动。 这里，侧门用作主门，并且上门和下门用作辅助门。 根据本发明，由于在栅极宽度，并根据工艺变化严重的阈值电压和流过的电流的均匀性优异的信道的载流子浓度，并开闭的术语开关特性实现优异的横向结型场效应晶体管器件 可以。
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