公开(公告)号：KR1020150077737A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130166516

申请日：2013-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  문재경 ,  장우진 ,  배성범 ,  박영락 ,  전치훈 ,  문석환 ,  장우영 ,  김정진 ,  장현규 ,  나제호 ,  남은수

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/47 ,  H01L21/02 ,  H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/475 ,  H01L29/778

Abstract: 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体器件的方法。 提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括在生长衬底上形成电极，其中连续堆叠第一和第二氮化物半导体层，在每个电极上形成上部金属层，将第一氮化物半导体层的下表面暴露于第一氮化物半导体层的下表面 去除生长衬底，以及在暴露的第一氮化物半导体层的下表面上形成第三氮化物半导体层和下金属层。

公开(公告)号：KR101758082B1

公开(公告)日：2017-07-17

申请号：KR1020130166516

申请日：2013-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  문재경 ,  장우진 ,  배성범 ,  박영락 ,  전치훈 ,  문석환 ,  장우영 ,  김정진 ,  장현규 ,  나제호 ,  남은수

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/47 ,  H01L21/02 ,  H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.