유연소자의 테스트 방법 및 장치
    2.
    发明申请
    유연소자의 테스트 방법 및 장치 审中-公开
    用于测试柔性元件的方法和装置

    公开(公告)号:WO2016076671A1

    公开(公告)日:2016-05-19

    申请号:PCT/KR2015/012248

    申请日:2015-11-13

    CPC classification number: G01R1/04 G01R31/28 G01R31/30

    Abstract: 본 발명에 따른 유연소자의 테스트 방법은 측정하고자 하는 유연소자를 본체부에 고정시키는 단계, 본체부에 포함된 지지면의 둘레를 따라 배치된 하나 이상의 전극 패드를 포함하는 전기적 접속부와 유연소자를 전기적으로 접촉하는 단계, 본체부에 포함된 챔버에 매개체를 입력 또는 출력하여 챔버의 압력을 조절하는 단계, 및 챔버의 압력에 의하여 유도된 응력에 의해 변형된 유연소자를 테스트하는 단계 및 테스트를 위한 장치를 포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明,提供了一种用于测试柔性元件的方法和装置,该方法包括:将主体单元固定到待测量的柔性元件的步骤; 制造电连接单元的步骤,其包括沿着包括在主体单元中的支撑表面的圆周布置的一个或多个电极焊盘和柔性元件以彼此电接触; 通过将介质放入/从包含在主体单元中的室中的介​​质来调节室的压力的步骤; 以及通过由室的压力引起的应力而变形的柔性元件的测试步骤。

    산화물 반도체막의 형성 방법
    3.
    发明公开
    산화물 반도체막의 형성 방법 审中-实审
    形成氧化物半导体膜的方法

    公开(公告)号:KR1020140068536A

    公开(公告)日:2014-06-09

    申请号:KR1020120136144

    申请日:2012-11-28

    CPC classification number: H01L21/02554 H01L21/02565 H01L21/02623 H01L21/324

    Abstract: A method of forming an oxide semiconductor is provided. The method comprises a step of coating a substrate with an oxide semiconductor solution; a step of providing the substrate to an oxygen atom-containing gas atmosphere; and a step of forming the oxide semiconductor solution into an oxide semiconductor film by conducting a thermal treatment process at 300°C or less.

    Abstract translation: 提供一种形成氧化物半导体的方法。 该方法包括用氧化物半导体溶液涂覆衬底的步骤; 将基板提供到含氧原子的气体气氛的步骤; 以及通过在300℃以下的热处理工序将氧化物半导体溶液形成氧化物半导体膜的工序。

    전기 변색 소자 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR102215307B1

    公开(公告)日:2021-02-16

    申请号:KR1020150013420

    申请日:2015-01-28

    Abstract: 본발명에따른전기변색소자는제1 전극상에서, 제1 포어를갖는제1 나노구조체및 상기제1 나노구조체상에제공된제1 전기변색분자들을포함하는제1 전기변색층,; 상기제1 전기변색층의상면상에배치되고, 상기제1 전기변색층의제1 함몰부로연장되는전해질; 및상기전해질상에배치되는제2 나노구조체를포함할수 있다. 상기제1 나노구조체는그 상면상에제1 함몰부를가질수 있다. 상기제2 나노구조체는그 내부에제2 포어및 그하면상에제2 함몰부를가질수 있다.

    듀얼 모드 동작 픽셀 및 이를 포함하는 듀얼 모드 동작 디스플레이
    9.
    发明授权
    듀얼 모드 동작 픽셀 및 이를 포함하는 듀얼 모드 동작 디스플레이 有权
    双模式操作像素和双模式操作显示器包括它们

    公开(公告)号:KR101827496B1

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:KR1020120013203

    申请日:2012-02-09

    Inventor: 류호준 박상희

    Abstract: 투사되는빛의세기에따라자체적으로빛을방출하는제1모드또는상기투사되는빛을선택적으로반사하는제2모드로동작하여투사되는빛에세기에관계없이높은시인성을가지는듀얼모드동작픽셀을제안한다. 본발명에의한듀얼모드동작픽셀은상부에자발광소자가형성된제1멤브레인(membrane), 상기제1멤브레인및 상기하나이상의멤브레인하부에상기제1멤브레인및 상기하나이상의멤브레인과이격하여형성되는하부층을포함하고, 제1모드동작시상기자발광소자를구동하여빛을방출하고, 제2모드동작시상기제1멤브레인및 상기하나이상의멤브레인과상기하부층사이에서발생하는빛의간섭을이용하여투사되는빛을선택적으로반사한다.

    Abstract translation: 建议无论强度的具有高能见度通过操作第一模式或投影光通过本身根据光的强度来发射光被投影到被投影作为可选第二模式用于反射光的双模式操作,像素 的。 的双模式操作,下层像素是自发光元件的上半部分,所述第一膜(膜)中,所述第一膜和由所述一个或多个膜的下方形成所述第一膜和从本发明形成的至少一个膜隔开 其中第一操作模式包括驱动发光元件发光并且基于在膜与膜和下层中的至少一个之间产生的光的干涉产生第二操作模式, 中反映出来。

    홀로그램 제조 방법
    10.
    发明公开
    홀로그램 제조 방법 审中-实审
    全息图制造方法

    公开(公告)号:KR1020170107347A

    公开(公告)日:2017-09-25

    申请号:KR1020160089452

    申请日:2016-07-14

    Abstract: 본발명은홀로그램제조방법에관한것이다. 홀로그램제조방법은기판상에상전이막, 하드마스크막, 및포토레지스트막을순차적으로제공하는것; 상기포토레지스트막 상에패턴개구부를갖는포토마스크를배치하는것; 상기패턴개구부를통해상기포토레지스트막으로제1 광을조사하여, 상기포토레지스트막에상기하드마스크막을노출시키는제1 개구부를형성하는것; 상기하드마스크막을식각하여, 상기하드마스크막에상기상전이막을노출시키는제2 개구부를형성하는것; 그리고, 상기제2 개구부를통해상기상전이막으로제2 광을조사하여, 상기상전이막의일부를상전이시켜홀로그램영역을형성하는것을포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造全息图的方法。 一种全息图制造方法,包括:在基板上依次提供相变膜,硬掩模膜和光刻胶膜; 在光致抗蚀剂膜上设置具有图案开口的光掩模; 通过经由所述图案开口以第一光照射所述光致抗蚀剂膜而形成用于将所述硬掩模膜暴露于所述光致抗蚀剂膜的第一开口; 蚀刻硬掩模膜以形成用于将相变膜暴露于硬掩模膜的第二开口; 并且通过第二开口用第二光照射相变膜以相变相变膜的一部分以形成全息图区域。

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