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公开(公告)号：KR101116402B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090048234
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 본발명에따른실리콘알콕사이드화합물은상온에서액체상태로존재하며낮은온도에서휘발되는특성을나타냄으로실리콘을포함하는물질의박막증착또는여러가지합금제조에실리콘원료물질로유용하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100129608A
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020090048255
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
CPC classification number: C07F7/1804 , C23C16/24 , C23C16/401 , C23C16/45525 , H01L21/2053
Abstract: PURPOSE: A silicon amino alkoxide compound is provided to use as a silicon ingredient for thin film deposition or alloy manufacturing. CONSTITUTION: A silicon amino alkoxide compound is denoted by chemical formula 1. A silicon amino alkoxide compound is prepared by reacting alkali metal salt of chemical formulas 4(M^1O-A^1-ONR^1R^2) and 5(M^2O-A^2-ONR^4R^5) with a silicon compound of chemical formula 3([R^6]_3-a-bX^1_bX^2_aSi-SiX^1_nX^2_m[R^3]_3-n-m). A silicon-containing thin film is prepared using the silicon amino alkoxide compound as a precursor. The thin film is formed by metal organic chemical vapor deposition or atom layer deposition.
Abstract translation: 目的：提供硅氨基醇盐化合物作为薄膜沉积或合金制造的硅成分。 组成：硅烷氧基化合物由化学式1表示。硅氨基烷氧基化合物是通过使化学式4的碱金属盐（M 1 O-A 1 - ONR ^ 1R ^ 2）和5（M' 2 O-A ^ 2-ONR ^ 4R ^ 5）与化学式3的硅化合物（[R 6] 3-a-bX 1 1-x X 2 2-Si x Si 1 N x ^ 2] [R 3 3] _3nm） 。 使用硅氨基醇盐化合物作为前体制备含硅薄膜。 薄膜由金属有机化学气相沉积或原子层沉积形成。
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公开(公告)号：KR100961562B1
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080036387
申请日：2008-04-18
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 새로운 실리콘(IV) 착화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 착화합물로서, 실리콘에 디알킬아미노기가 배위된 착화합물은 열적으로 안정하고 공기 중에서도 안정하며 휘발성이 높고 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의한 박막 형성시 탄소나 할로겐 오염을 일으키지 않아 양질의 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있는 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막의 화학증착용 선구 물질로서 유용한 새로운 실리콘(IV) 착화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
SiR
1
m (OCR
2 R
3 (CH
2 )
n NR
4 R
5 )
4-m
상기 식에서, R
1 , R
2 , R
3 , R
4 및 R
5 는 각각 독립적으로 C
1 -C
7 선형 또는 분지형 알킬이고, m,n은 1 내지 3 범위의 정수이다.
실리콘, 착화합물, 실리콘 산화물, 박막, 화학증착-
公开(公告)号：KR1020090110737A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：KR1020080036387
申请日：2008-04-18
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F7/1804 , C07F7/10 , C23C16/24 , C23C16/401
Abstract: PURPOSE: A method for producing a novel silicon(IV) complex is provided to ensure stability in the water and use as a precursor for producing oxidant thin film. CONSTITUTION: A novel silicon(IV) complex is denoted by the chemical formula 1, SiR^1m(OCR^2R^3(CH2)nNR^4R^5)4-m. The silicon complex contains tri(methyl)-(1-dimethylamino-2-methyl-2-propoxy)silicon, (methyl)-bis(1-dimethylamino-2-methyl-2-propoxy)silicon or (methyl)-tri(1-dimethylamino -2-methyl-2-propoxy)silicon.
Abstract translation: 目的：提供一种制备新型硅（IV）配合物的方法，以确保水中的稳定性并用作生产氧化剂薄膜的前体。 构成：新的硅（IV）络合物由化学式1表示，SiR 1m（OCR 2 R 3 3（CH 2）n N R 4 4R 5）4-m。 硅配合物含有三（甲基） - （1-二甲基氨基-2-甲基-2-丙氧基）硅，（甲基） - 双（1-二甲基氨基-2-甲基-2-丙氧基）硅或（甲基） 1-二甲基氨基-2-甲基-2-丙氧基）硅。
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公开(公告)号：KR100897495B1
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070102354
申请日：2007-10-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 갈륨 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 수소 또는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R
3 는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C
1 -C
5 )알킬실릴기이다.]
본 발명에 따르는 갈륨 화합물은 갈륨 또는 산화 갈륨의 선구 물질로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 승화되는 특성을 나타냄으로 갈륨을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 갈륨 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
갈륨, 갈륨 산화물 선구물질, 갈륨 산화물, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101017897B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020090021464
申请日：2009-03-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 새로운 실리콘 착화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 실리콘에 알킬옥사이드가 배위된 착화합물은 열적으로 안정하고 공기 중에서도 안정하며 휘발성이 높고 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)에 의한 박막 형성시 탄소나 할로겐 오염을 일으키지 않아 양질의 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다.
[화학식 1]
Si(R
1 )
n {OCR
2 R
3 (CH
2 )
m OR
4 }
4-n
[상기 화학식 1에서, R
1 , R
2 , R
3
및 R
4 는 각각 독립적으로 선형 또는 분지형의 (C1-C4)알킬이고; m은 1내지 3의 정수이며; n은 0 내지 3의 정수이다.]
실리콘 착화합물, 실리콘알콕시알콕사이드-
公开(公告)号：KR1020100129591A
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020090048234
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
CPC classification number: C07F7/1804 , C23C16/24 , C23C16/401 , C23C16/45525 , H01L21/2053
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a novel silicon alkoxide compound is provided to ensure volatile characteristic at low temperature and to use as a silicon ingredient. CONSTITUTION: A silicon alkoxide compound is denoted by chemical formula 1. The silicon alkoxide compound is prepared by reacting alkali metal salt of chemical formulas 5(M^2O-A^2-OR^3) and 4(M^1O-A^1-OR^1) with a silicon compound of chemical formula 3([R^4]3-a-bX^1bX^2aSi-SiX^1nX^2m[R^2]3-n-m). A silicon-containing thin film is produced using the silicon alkoxide compound as a precursor. The silicon-containing thin film is formed by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) or atom layer deposition(ALD).
Abstract translation: 目的：提供一种制备新的硅烷氧化物化合物的方法，以确保低温下的挥发性特征并用作硅成分。 构成：硅烷氧化物化合物由化学式1表示。硅烷氧化物化合物通过使化学式5（M 2 O-A 2 2- OR 3）和4（M 1 O-A ^ 1-OR 1）与化学式3的硅化合物（[R 4] 3-a-bX 1，1b 3）2 Si-SiX 1 1 X 2 2 [[R 2] 3-nm）反应。 使用硅醇盐化合物作为前体制造含硅薄膜。 含硅薄膜由金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）形成。
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公开(公告)号：KR101116246B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090048255
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 본발명에따른실리콘아미노알콕사이드화합물은상온에서액체상태로존재하며낮은온도에서휘발되는특성을나타냄으로실리콘을포함하는물질의박막증착또는여러가지합금제조에실리콘원료물질로유용하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100103054A
公开(公告)日：2010-09-27
申请号：KR1020090021464
申请日：2009-03-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , H01L29/786
CPC classification number: C07F7/1804 , H01L21/2053
Abstract: PURPOSE: A novel silicon complex compound and a method for manufacturing the same are provided to use a silicon precursor for metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) or atomic layer deposition(ALD). CONSTITUTION: A silicon complex compound is denoted by chemical formula 1(Si(R^1)_n(OCR^2R^3(CH_2)_mOR^4)_4-n). The silicon complex compound is prepared by reacting alkali metal salt of chemical formula 3(MOCR_2R_3(CH_2)_mOR^4) with silicon compound of chemical formula 2(Si(R^1)_nX_4-n). In chemical formula 3, M is an alkali metal of Li, Na or K. A solvent is pentane, hexane, diethyl ether, tetrahydrofuran, or toluene. A silicon thin film or silicon oxide thin film is obtained using the silicon complex compound as a precursor by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD).
Abstract translation: 目的：提供一种新的硅配合物及其制造方法，以使用用于金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）的硅前体。 构成：硅化合物由化学式1（Si（R 1））（OCR 2 R 2 3（CH 2）2）4）4-n表示。 通过使化学式3的碱金属盐（MOCR_2R_3（CH_2）_mOR-4）与化学式2的硅化合物（Si（R 1））n X_4-n）反应来制备硅络合物。 在化学式3中，M是Li，Na或K的碱金属。溶剂是戊烷，己烷，乙醚，四氢呋喃或甲苯。 使用硅配位化合物作为金属有机化学气相沉积（MOCVD）的前体获得硅薄膜或氧化硅薄膜。
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公开(公告)号：KR1020090037005A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：KR1020070102354
申请日：2007-10-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00 , C23C16/40 , C23C16/45525
Abstract: A gallium amino-alkoxide composition and a process for preparing the same are provided to obtain a gallium precursor having a ligand for metallogranic chemical vaper deposition(MOCVD) or atomic layer deposition(ALD). A gallium amino-alkoxide composition is represented by the chemical formula 1. The gallium amino-alkoxide composition is obtained by reacting a compound represented by the chemical formula 5 and alkali metal salts represented by the chemical formula 6. The compound represented by the chemical formula 5 is prepared by reacting a gallium compound represented by the chemical formula 3 and alkali metal salts represented by the chemical formula 4. In the chemical formula 1, 3, 4, 5, and 6, A is C2-C5 alkylene and is more substituted with at least one C1-C5 linear or branched alkyl group; R1 and R2 are independently hydrogen or C1-C5 linear or branched alkyl group; R3 is C1-C5 linear or branched alkyl group or tri (C1-C5) alkylsilyl group; M is Li, Na or K; and X is Cl, Br or I.
Abstract translation: 提供镓氨基 - 醇盐组合物及其制备方法，以获得具有金属化学浮选沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）配体的镓前体。 镓氨基 - 醇盐组合物由化学式1表示。镓氨基醇盐组合物通过化学式5表示的化合物和由化学式6表示的碱金属盐反应而获得。化学式 通过化学式3表示的镓化合物和由化学式4表示的碱金属盐反应制备。在化学式1,3,4,5和6中，A是C 2 -C 5亚烷基且更多取代 与至少一个C 1 -C 5直链或支链烷基; R1和R2独立地是氢或C1-C5直链或支链烷基; R3是C1-C5直链或支链烷基或三（C1-C5）烷基甲硅烷基; M为Li，Na或K; X为Cl，Br或I.
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