-
1.发明申请
公开(公告)号：WO2012148085A9
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/KR2012/002056
申请日：2012-03-22
IPC: C07F9/90 , C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.
-
公开(公告)号：WO2011102584A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/KR2010/006959
申请日：2010-10-12
IPC: C07F5/00 , C07C229/10 , C07C227/18 , C23C16/40
CPC classification number: C07C229/10
Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 금속 디알킬글리신 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 수분에서 안정하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 금속 디알킬글리신 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用改性甘氨酸的新型二烷基甘氨酸金属及其制备方法，其中二烷基甘氨酸金属在水中稳定，易于储存，并具有热稳定性。
-
-
公开(公告)号：KR101255850B1
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：KR1020100094200
申请日：2010-09-29
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형된 글리콜레이트를 사용한 신규의 갈륨 글리콜레이트 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨 글리콜레이트 화합물에 관한 것이며, 본 발명에 따른 갈륨 글리콜레이트 화합물은 금속 산화물 박막 및 금속 산화물 나노입자 형성을 위한 전구체로 사용되며, 수분에 덜 민감하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 우수한 특성이 있다.
-
公开(公告)号：KR101255099B1
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110020943
申请日：2011-03-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 플루오르를 포함하는 알콕사이드 리간드를 갖는 신규의 주석 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Sn[OA-OR
1 ]
2
상기 화학식 1에서,
A, R
1
및 R
2 는 각각 발명의 상세한 설명에서 정의한 바와 같다.
본 발명에 따르는 주석 알콕사이드 화합물은 주석 전구체로서 상온에서 액체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 주석을 포함하는 물질의 박막의 증착 또는 여러 가지 합금 증착에 주석 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100054313A
公开(公告)日：2010-05-25
申请号：KR1020080113183
申请日：2008-11-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G15/00
Abstract: PURPOSE: Novel gallium alkoxide compounds and a preparing method thereof are provided, which makes manufacture of the pure gallium oxide possible in the low temperature. CONSTITUTION: A gallium alkoxide compound is represented as the chemical formula 1, Ga[O-A-NR^1R^2]_x[R^3]_3-x. In the chemical formula 1, A is alkylene of C2-C5, A is substituted for linear or branched alkyl of one or more C1-C5, R^1 to R^3 are each other independently linear or the branched alkyl of C1-C5, X is fixed number of 1 to 3. The manufacturing method of the gallium alkoxide compound of the chemical formula 1 is to react the gallium compound of the chemical formula 3, GaR^3_3 and alcohol of chemical formula 4, HO-A-NR^1R^2.
Abstract translation: 目的：提供新型的烷氧化镓化合物及其制备方法，这使得纯氧化镓在低温下的制造成为可能。 构成：烷氧基铝化合物以化学式1表示，Ga [O-A-NR] 1R ^ 2] _x [R ^ 3] _3-x。 在化学式1中，A是C 2 -C 5的亚烷基，A代替一个或多个C 1 -C 5的直链或支链烷基，R 1至R 3各自独立地为直链或C1-C5的支链烷基 X为1〜3的固定数。化学式1的烷氧化镓化合物的制造方法是使化学式3的镓化合物，GaR 3 3 3和化学式4的醇HO-A-NR ^ 1R ^ 2。
-
公开(公告)号：KR1020100112260A
公开(公告)日：2010-10-19
申请号：KR1020090030679
申请日：2009-04-09
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , H01L31/0392
Abstract: PURPOSE: A novel indium alkoxide compound with an alkoxide as a ligand and a method for preparing the same are provided to use as a indium ingredient for depositing various alloys. CONSTITUTION: An indium alkoxide compound is denoted by chemical formula 1, In(O-A-NR^1R^2)_x(OR^3)_3-x. The indium alkoxide compound of chemical formula 1 is prepared by reacting alcohol of chemical formula 6, HO-A-NR^1R^2 with indium compound of chemical formula 5, In(NR^6_2)_3. The indium alkoxide compound of chemical formula 1 is also prepared by reacing indium compound of chemical formula 7, In(OR^3)_3-x(NR^6_2)_x with amino alcohol of chemical formula 6. An indium-containing thin film is formed by MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) or ALD(atomic layer deposition).
Abstract translation: 目的：提供一种具有醇盐作为配体的新型烷氧基铝化合物及其制备方法，用作沉积各种合金的铟成分。 构成：通过化学式1表示烷氧基铟化合物，In（O-A-NR ^ 1R ^ 2）_x（OR ^ 3）_3-x。 化学式1的烷氧基化铟化合物通过使化学式6的醇，HO-A-NR 1 1R 2与化学式5的铟化合物In（NR 6 - 6）3反应来制备。 化学式1的烷氧基化铟化合物也可以通过用化学式6的氨基醇取代化学式7的铟化合物In（OR 3 3）_3-x（NR 6 6））来制备。含铟薄膜是 由MOCVD（金属有机化学气相沉积）或ALD（原子层沉积）形成。
-
公开(公告)号：KR101190161B1
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020090053697
申请日：2009-06-17
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/06 , H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 아연 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Zn[OA-NR
1 R
2 ]
2
[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고; 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있으며; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.]
본 발명에 따르는 아연 아미노알콕사이드 화합물은 아연 전구체로서 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 아연을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 아연 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
아연, 전구체, 투명, 전극, 전도성, 박막-
公开(公告)号：KR101116246B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090048255
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 본발명에따른실리콘아미노알콕사이드화합물은상온에서액체상태로존재하며낮은온도에서휘발되는특성을나타냄으로실리콘을포함하는물질의박막증착또는여러가지합금제조에실리콘원료물질로유용하게사용될수 있다.
-
公开(公告)号：KR101082330B1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：KR1020090030679
申请日：2009-04-09
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명에따르는인듐알콕사이드화합물은인듐선구물질로서상온에서액체상태로존재하며증기압이매우높아인듐을포함하는물질의박막증착또는여러가지합금증착에인듐원료물질로유용하게사용될수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.135 seconds)
