公开(公告)号：KR100576932B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020030069585

申请日：2003-10-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  정영숙 ,  한기철

IPC: C07F15/04

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 신규한 니켈 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 니켈 선구 물질은 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 자성 물질 박막의 증착 또는 여러 가지 합금의 증착에 니켈의 원료 물질로서 유용하게 사용할 수 있다:


상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이고, n은 2 내지 4 의 정수이며, R 및 R'은 C
1 -C
4 의
선형 또는 분지형 알킬기이다.

公开(公告)号：KR1020050033737A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：KR1020030069585

申请日：2003-10-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  정영숙 ,  한기철

IPC: C07F15/04

CPC classification number: C07F15/045 ,  C23C16/18

Abstract: Volatile nickel aminoalkoxide complexes, a preparation method thereof and a process for formation of a nickel thin film by using the same compounds are provided, which compounds have high volatility and sufficient thermal stability, and are reduced to nickel by self-pyrolysis without a reducing agent. so that the compounds are useful as a MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) precursor for formation of the nickel thin film. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (1) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (2) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The method for preparing the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) comprises a halogenized hexamine nickel compound of Ni(NH3)6X2 with an alkali metal salt of aminoalkoxide of MOCR'2(CH2)mNR2 or MOCR'2(CH2)mO(CH2)nNR2, wherein X is Cl, Br or I; and M is Li or Na. The process for formation of the nickel thin film comprises growing the nickel thin film by using the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) as a precursor at 250 to 350 deg. C.

Abstract translation: 提供挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其制备方法和通过使用相同化合物形成镍薄膜的方法，该化合物具有高挥发性和足够的热稳定性，并且通过自热解而不用还原剂还原成镍 。 使得这些化合物可用作用于形成镍薄膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）前体。 提供由式（1）表示的挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其中m为1至3的整数; 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 提供由式（2）表示的挥发性镍氨基醇盐络合物，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 制备式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物的方法包括Ni（NH 3）6 X 2的卤化六甲基镍化合物与MOCR'2（CH2）mNR2或MOCR'2（CH2）mNR2的氨基醇盐的碱金属盐 CH2）mO（CH2）nNR2，其中X是Cl，Br或I; M为Li或Na。 形成镍薄膜的方法包括使用式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物作为前体在250至350℃下生长镍薄膜。 C。