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    KR102232488B1 - COMPOSITTE INCLUDING SiC WHISKER GROWN ON SURFACE OF SiC FIBER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    1.
    发明专利
    KR102232488B1 - COMPOSITTE INCLUDING SiC WHISKER GROWN ON SURFACE OF SiC FIBER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权

    公开(公告)号：KR102232488B1

    公开(公告)日：2021-03-29

    申请号：KR1020180168349A

    申请日：2018-12-24

    Applicant: 한국세라믹기술원

    Inventor： 신동근 ,  조광연

    IPC: C01B32/963 ,  B01J27/22

    CPC classification number: C01B32/963 ,  B01J27/22 ,  C01P2004/10 ,  C01P2006/12

    Abstract: 본 발명의 일 실시예는 탄화규소를 포함하는 기재; 및 상기 탄화규소를 포함하는 기재 표면에 성장된 탄화규소 휘스커를 포함하는 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 탄화규소 휘스커는 상기 탄화규소를 포함하는 기재에 화학적으로 결합될 수 있다. 탄화규소 전구체 고분자에 촉매로 작용하는 기능성 원소를 복합 도핑하고, 열처리를 통해 세라믹으로 전환되는 과정에서 기능성 원소의 촉매 작용에 의해 세라믹 표면에서 휘스커가 성장하므로, 탄화규소 기재와 탄화규소 휘스커가 화학적 결합을 이루어 안정한 복합체를 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 첨가하는 도핑 촉매의 양, 열처리 조건 등의 공정 조건을 조절함으로써 목적으로 하는 용도에 따라 휘스커의 형태, 비표면적 및 성장 정도를 다양하게 맞춤화하여 제어할 수 있다.

    SIOIC 섬유와 금속 도핑 SIOIC 섬유, 이를 포함하는 마이크로파 흡수 및 발열체 및 그 제조방법
    3.
    发明申请
    SIOIC 섬유와 금속 도핑 SIOIC 섬유, 이를 포함하는 마이크로파 흡수 및 발열체 및 그 제조방법 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019117473A1

    公开(公告)日：2019-06-20

    申请号：PCT/KR2018/013562

    申请日：2018-11-08

    Applicant: 한국세라믹기술원

    Inventor： 조광연 ,  주영준

    IPC: C03B37/00 ,  D06M11/83

    Abstract: 본 발명의 일 실시예는 실리콘(Si) 30~50 중량%, 산소(O) 5~15 중량%, 아이오다인(I) 3~15 중량% 및 탄소(C) 20~50 중량%를 포함하는 SiOIC 섬유, 실리콘(Si) 3~30 중량%, 산소(O) 3~40 중량%, 아이오다인(I) 5~50 중량%, 탄소(C) 5~40 중량% 및 금속 5~50 중량%를 포함하는 금속 도핑 SiOIC 섬유, 이를 포함하는 마이크로파 흡수 및 발열체, 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 마이크로파 대응 발열 효율을 현저하게 높일 수 있으며, 동시에 산소에 의한 산화 반응을 방지 또는 최소화하여 발열체의 내구성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

    폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 ＦＴＯ 전도막제조 방법
    4.
    发明公开
    폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 ＦＴＯ 전도막제조 방법 有权
    通过聚合反应制备无色和高透明度的多金属氧化铅膜

    公开(公告)号：KR1020090033526A

    公开(公告)日：2009-04-06

    申请号：KR1020070098568

    申请日：2007-10-01

    Applicant: 현대자동차주식회사 ,  한국세라믹기술원 ,  기아자동차주식회사

    Inventor： 김상학 ,  오선미 ,  김창열 ,  류도형 ,  송철규 ,  조광연 ,  허승헌

    IPC: C03C17/34

    CPC classification number: C03C17/42 ,  B29K2029/00 ,  B29K2029/04 ,  B29K2033/12 ,  B29K2995/0026 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10174 ,  B32B17/10761 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/77 ,  C03C2217/94

    Abstract: A non-colored FTO(f-dopped tin oxide) conductive film having high quality and high transmittance is provided to reduce optical coloration effect through a series of polymer post-treatment so as to produce a transmittance-increased FTO film. A non-colored FTO(f-dopped tin oxide) conductive film using a series of polymer post-treatment comprises the following steps of: heating a glass substrate up to a temperature range of 400-600°C to form a SiO2 barrier film; forming the FTO film on the SiO2 barrier film using a spray/ultrasonic spraying method; and coating the FTO film with polymer in post-treatment which is performed by dropping a polymer solution onto the FTO film and spin-coating or dip-coating the FTO film with the polymer solution.

    Abstract translation: 提供具有高质量和高透射率的无色FTO（f-掺杂的氧化锡）导电膜，以通过一系列聚合物后处理来降低光学着色效果，从而产生透射率增加的FTO膜。 使用一系列聚合物后处理的无色FTO（f-掺杂的氧化锡）导电膜包括以下步骤：将玻璃基板加热至400-600℃的温度范围以形成SiO 2阻挡膜; 使用喷雾/超声波喷涂方法在SiO 2阻挡膜上形成FTO膜; 并在后处理中用聚合物涂覆FTO膜，其通过将聚合物溶液滴加到FTO膜上并用聚合物溶液旋涂或浸涂FTO膜来进行。

    습기제거용 불소 함유 산화주석（ＦＴＯ） 투명전도막 유리및 이의 제조방법
    5.
    发明公开
    습기제거용 불소 함유 산화주석（ＦＴＯ） 투명전도막 유리및 이의 제조방법 有权
    透明导电F-DOPPED氧化锌玻璃，用于防止和制造

    公开(公告)号：KR1020090020136A

    公开(公告)日：2009-02-26

    申请号：KR1020070084613

    申请日：2007-08-22

    Applicant: 현대자동차주식회사 ,  한국세라믹기술원

    Inventor： 김상학 ,  김창열 ,  류도형 ,  송철규 ,  조광연 ,  허승헌

    IPC: C03C17/00 ,  C03C17/22 ,  C03C17/36

    CPC classification number: C03C17/36 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10174 ,  B32B17/10761 ,  C03C17/3673 ,  C03C2217/77 ,  C03C2217/94 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31851

    Abstract: Transparent conductive F-doped tin oxide glass for defogging is provided to have excellent heat resistance, chemical resistance and abrasion resistance and to include FTO transparent oxide conductive having low resistance and high transmittance. Transparent conductive F-doped tin oxide glass for defogging is made by laminating a glass plate layer, a dielectric barrier layer, a functional layer, a metal electrode layer, a plastic interlayer and a glass plate layer in the order. A molar ratio of F/Sn in the functional layer is 0.5~2. A thickness of the FTO transparency conductive film layer is 0.1~1.3 mum. The dielectric barrier layer is made by SiO2 or mixing a transition metal selected from Ti, Zn and Al with SiO2. A thickness of the thickness is 5 ~ 200 nm.

    Abstract translation: 提供用于除雾的透明导电F掺杂氧化锡玻璃以具有优异的耐热性，耐化学性和耐磨性，并且包括具有低电阻和高透射率的FTO透明氧化物导电。 用于除雾的透明导电F掺杂氧化锡玻璃按照顺序层压玻璃板层，介电阻挡层，功能层，金属电极层，塑料中间层和玻璃板层来制造。 功能层中F / Sn的摩尔比为0.5〜2。 FTO透明导电膜层的厚度为0.1〜1.3μm。 介电阻挡层由SiO 2制成，或将选自Ti，Zn和Al的过渡金属与SiO 2混合。 厚度为5〜200nm。

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