Abstract:
A non-colored FTO(f-dopped tin oxide) conductive film having high quality and high transmittance is provided to reduce optical coloration effect through a series of polymer post-treatment so as to produce a transmittance-increased FTO film. A non-colored FTO(f-dopped tin oxide) conductive film using a series of polymer post-treatment comprises the following steps of: heating a glass substrate up to a temperature range of 400-600°C to form a SiO2 barrier film; forming the FTO film on the SiO2 barrier film using a spray/ultrasonic spraying method; and coating the FTO film with polymer in post-treatment which is performed by dropping a polymer solution onto the FTO film and spin-coating or dip-coating the FTO film with the polymer solution.
Abstract:
본 발명은 폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 FTO 전도막 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 흐릿하며 광학적 착색이 있어 투과율이 낮고 시각적 방해가 있는 FTO(F-dopped Tin Oxide) 투명 전도막을 간단한 후처리 공정을 통하여 투과율을 높이고 무색에 가까운 FTO 막을 제조할 수 있도록 한 폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 FTO 전도막 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 유리기판을 400~600℃로 가열한 후, SiO 2 베리어 막을 형성하는 단계와; 스프레이/초음파 분무법을 이용하여 상기 베리어 막 위에 FTO 막을 형성하는 단계와; 상기 FTO 막에 폴리머를 코팅 또는 접합시키는 후처리 공정을 실시하는 단계; 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 FTO 전도막 제조 방법을 제공한다. 폴리머, 후처리 공정, FTO, 전도막, 유리기판, 베리어 막, 무색 투명
Abstract:
Transparent conductive F-doped tin oxide glass for defogging is provided to have excellent heat resistance, chemical resistance and abrasion resistance and to include FTO transparent oxide conductive having low resistance and high transmittance. Transparent conductive F-doped tin oxide glass for defogging is made by laminating a glass plate layer, a dielectric barrier layer, a functional layer, a metal electrode layer, a plastic interlayer and a glass plate layer in the order. A molar ratio of F/Sn in the functional layer is 0.5~2. A thickness of the FTO transparency conductive film layer is 0.1~1.3 mum. The dielectric barrier layer is made by SiO2 or mixing a transition metal selected from Ti, Zn and Al with SiO2. A thickness of the thickness is 5 ~ 200 nm.
Abstract:
본 발명은 유리판층, 유전체 배리어층, 기능성층, 금속 전극층, 플라스틱 중간층 및 유리판층의 순으로 적층되어 이루어진 습기제거용 불소 함유 산화주석(FTO) 투명전도막 유리 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상기 기능성층으로서 Sn 대비 F가 0.5 ~ 2 범위 몰비를 갖고, (301) 결정면을 주로 포함하는 FTO 투명전도막을 스프레이 코팅하여 제조된 것을 포함하여 이루어진 저저항 및 고투과율을 갖는 습기제거용 FTO 투명전도막 유리 및 이의 제조방법에 관한 것이다. FTO 투명전도막 유리, 저저항, 고투과율, 습기제거용
Abstract:
본 발명은 「(a) 유연 기판이 일측면으로 들어가 코팅공정 후 타측면으로 나오도록 구성된 코팅챔버를 준비하는 단계; (b) 유연 기판을 상기 코팅챔버 내부로 이송하고, 상기 유연 기판의 상·하면이 공간에 노출되도록 하는 단계; (c) 상기 유연 기판을 고정하되, 공정 진행 방향 기준으로 상기 유연 기판의 전방과 후방 가장자리를 고정하는 단계; 및 (d) 투명전도막 프리커서를 상기 유연 기판의 상·하면과 평행을 이루면서 공정 진행 방향과는 수직을 이루는 방향으로 흘려주어 상기 유연 기판에 증착시키는 단계;를 포함하여 구성된 유연 기판 투명전도막 양면 코팅 방법」을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 초고순도 실리콘카바이드 파우더의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란의 저온 합성방법과 이를 이용하여 단순공정으로 제조되는 초고순도의 실리콘카바이드 파우더를 제조하는 것으로, 본 발명에 따른 촉매 공정을 통해 통상의 합성조건 즉, 470 내지 470℃의 고온고압 반응 또는 400℃의 촉매반응 조건보다 낮은 온도 및 낮은 압력에서 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란을 제조할 수 있으며, 이로부터 얻어진 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란을 단순분쇄하여 곱고 균일한 파우더를 만든 후 산화안정화를 거치지 않고 분위기를 제어하며 직접 열처리 함으로써 산소의 오염이 없는 초고순도의 실리콘카바이드 화인파우더를 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 에어로졸 증착기술을 이용하여 유기물이 없는 탄소나노튜브 전극을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 탄소나노튜브 원료를 에어로졸화시키는 단계; 및 (b) 에어로졸화된 탄소나노튜브를 진공팽창 원리에 의해 가속하여 기판에 분사 증착시킴으로써 탄소나노튜브 박막으로 이루어진 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 탄소나노튜브 전극 제조방법을 제공한다. 탄소나노튜브, 전극, 캐소드, 백라이트유닛, 디스플레이
Abstract:
본 발명은 양자점 재료 함유의 구조체 형성방법 및 그 구조체에 관한 것으로, 양자점 재료를 에어로졸화하는 단계; 및 상기 생성된 에어로졸을 적어도 30m/s 이상의 속도로 모재에 충돌시켜 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 발명을 제공하게 되면, 모재 또는 기판과 강하게 결합되도록 할 수 있으며, 적층 시킬 수 있고, 별도의 바인더 수지를 포함하지 않아 다양한 형태의 형광, 디스플레이, LED에 유용한 박막을 용이하게 얻을 수 있는 효과가 있다. 또한 나노입자와의 혼합 박막 및 다층 박막을 제조하는 것도 가능하며, 다양한 후처리 공정, 도핑 공정, 패시베이션 공정 등을 통하여 산업적으로 요구되는 유용한 박막을 얻을 수 있는 효과가 있다. 양자점(Quantum Dot), 나노입자, 에어로 졸, 모재, 기판
Abstract:
알루미나 분말을 촉매로 사용하여 폴리디메틸실란으로부터 폴리카보실란을 합성하는 방법이 개시된다. 본 발명의 폴리카보실란 제조 방법은 반응 응기 내에 폴리디메틸실란과 가격이 저렴한 알파 (α-Al 2 O 3 ) 또는 감마상 (γ-Al 2 O 3 ) 의 알루미나 분말을 0.1-10 % 무게비로 혼합하여 폴리카보실란으로 전환하는 방법을 포함한다. 촉매가 없는 경우 보다 저온 저압에서 촉매 반응을 유도시키는 만큼 제조 공정상 상당한 이익을 가져오며, 이를 통하여 제조되는 폴리카보실란 전구체를 방사함으로서 폴리카보실란 섬유를 제조하고 일련의 열처리를 통하여 다양한 SiC 섬유를 제조할 수 있게 한다. 알파 알루미나, 감마 알루미나, 폴리디메틸실란(PDMS), 폴리카보실란(PCS), 전환반응, 중합반응, 실리콘 카바이드(SiC)