폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 FTO 전도막제조 방법
    1.
    发明公开
    폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 FTO 전도막제조 방법 有权
    通过聚合反应制备无色和高透明度的多金属氧化铅膜

    公开(公告)号:KR1020090033526A

    公开(公告)日:2009-04-06

    申请号:KR1020070098568

    申请日:2007-10-01

    Abstract: A non-colored FTO(f-dopped tin oxide) conductive film having high quality and high transmittance is provided to reduce optical coloration effect through a series of polymer post-treatment so as to produce a transmittance-increased FTO film. A non-colored FTO(f-dopped tin oxide) conductive film using a series of polymer post-treatment comprises the following steps of: heating a glass substrate up to a temperature range of 400-600°C to form a SiO2 barrier film; forming the FTO film on the SiO2 barrier film using a spray/ultrasonic spraying method; and coating the FTO film with polymer in post-treatment which is performed by dropping a polymer solution onto the FTO film and spin-coating or dip-coating the FTO film with the polymer solution.

    Abstract translation: 提供具有高质量和高透射率的无色FTO(f-掺杂的氧化锡)导电膜,以通过一系列聚合物后处理来降低光学着色效果,从而产生透射率增加的FTO膜。 使用一系列聚合物后处理的无色FTO(f-掺杂的氧化锡)导电膜包括以下步骤:将玻璃基板加热至400-600℃的温度范围以形成SiO 2阻挡膜; 使用喷雾/超声波喷涂方法在SiO 2阻挡膜上形成FTO膜; 并在后处理中用聚合物涂覆FTO膜,其通过将聚合物溶液滴加到FTO膜上并用聚合物溶液旋涂或浸涂FTO膜来进行。

    습기제거용 불소 함유 산화주석(FTO) 투명전도막 유리및 이의 제조방법
    3.
    发明公开
    습기제거용 불소 함유 산화주석(FTO) 투명전도막 유리및 이의 제조방법 有权
    透明导电F-DOPPED氧化锌玻璃,用于防止和制造

    公开(公告)号:KR1020090020136A

    公开(公告)日:2009-02-26

    申请号:KR1020070084613

    申请日:2007-08-22

    Abstract: Transparent conductive F-doped tin oxide glass for defogging is provided to have excellent heat resistance, chemical resistance and abrasion resistance and to include FTO transparent oxide conductive having low resistance and high transmittance. Transparent conductive F-doped tin oxide glass for defogging is made by laminating a glass plate layer, a dielectric barrier layer, a functional layer, a metal electrode layer, a plastic interlayer and a glass plate layer in the order. A molar ratio of F/Sn in the functional layer is 0.5~2. A thickness of the FTO transparency conductive film layer is 0.1~1.3 mum. The dielectric barrier layer is made by SiO2 or mixing a transition metal selected from Ti, Zn and Al with SiO2. A thickness of the thickness is 5 ~ 200 nm.

    Abstract translation: 提供用于除雾的透明导电F掺杂氧化锡玻璃以具有优异的耐热性,耐化学性和耐磨性,并且包括具有低电阻和高透射率的FTO透明氧化物导电。 用于除雾的透明导电F掺杂氧化锡玻璃按照顺序层压玻璃板层,介电阻挡层,功能层,金属电极层,塑料中间层和玻璃板层来制造。 功能层中F / Sn的摩尔比为0.5〜2。 FTO透明导电膜层的厚度为0.1〜1.3μm。 介电阻挡层由SiO 2制成,或将选自Ti,Zn和Al的过渡金属与SiO 2混合。 厚度为5〜200nm。

    유연 기판 투명전도막 양면 코팅 방법
    5.
    发明授权
    유연 기판 투명전도막 양면 코팅 방법 有权
    柔性基板上透明导电氧化物双面涂层的方法

    公开(公告)号:KR101472377B1

    公开(公告)日:2014-12-15

    申请号:KR1020130112688

    申请日:2013-09-23

    Abstract: 본 발명은 「(a) 유연 기판이 일측면으로 들어가 코팅공정 후 타측면으로 나오도록 구성된 코팅챔버를 준비하는 단계; (b) 유연 기판을 상기 코팅챔버 내부로 이송하고, 상기 유연 기판의 상·하면이 공간에 노출되도록 하는 단계; (c) 상기 유연 기판을 고정하되, 공정 진행 방향 기준으로 상기 유연 기판의 전방과 후방 가장자리를 고정하는 단계; 및 (d) 투명전도막 프리커서를 상기 유연 기판의 상·하면과 평행을 이루면서 공정 진행 방향과는 수직을 이루는 방향으로 흘려주어 상기 유연 기판에 증착시키는 단계;를 포함하여 구성된 유연 기판 투명전도막 양면 코팅 방법」을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种涂覆柔性基板的透明导电膜的两面的方法,包括:制备涂覆室的步骤(a),其形成为允许柔性基板进入一侧并从另一侧出来 涂装后; 将柔性基板转移到涂布室的内部并将柔性基板的上侧和下侧暴露于空间的步骤(b) 固定柔性基板的步骤(c),以及基于加工方向固定柔性基板的前后边缘; 以及通过在与柔性基板的上侧和下侧平行的方向上使垂直于处理方向的方向流过透明导电膜前体而在柔性基板上沉积透明导电膜前体的步骤(d)。

    초고순도 실리콘카바이드 파우더의 제조방법
    7.
    发明公开
    초고순도 실리콘카바이드 파우더의 제조방법 有权
    超高纯度碳化硅粉末的制造

    公开(公告)号:KR1020110113524A

    公开(公告)日:2011-10-17

    申请号:KR1020100032965

    申请日:2010-04-09

    CPC classification number: C01B32/956 C01P2006/80 C04B35/565 C08G77/02

    Abstract: 본 발명은 초고순도 실리콘카바이드 파우더의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란의 저온 합성방법과 이를 이용하여 단순공정으로 제조되는 초고순도의 실리콘카바이드 파우더를 제조하는 것으로, 본 발명에 따른 촉매 공정을 통해 통상의 합성조건 즉, 470 내지 470℃의 고온고압 반응 또는 400℃의 촉매반응 조건보다 낮은 온도 및 낮은 압력에서 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란을 제조할 수 있으며, 이로부터 얻어진 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란을 단순분쇄하여 곱고 균일한 파우더를 만든 후 산화안정화를 거치지 않고 분위기를 제어하며 직접 열처리 함으로써 산소의 오염이 없는 초고순도의 실리콘카바이드 화인파우더를 제조할 수 있다.

    탄소나노튜브 전극 제조방법
    8.
    发明授权
    탄소나노튜브 전극 제조방법 失效
    碳纳米管电极的制造方法

    公开(公告)号:KR101064943B1

    公开(公告)日:2011-09-15

    申请号:KR1020090035774

    申请日:2009-04-24

    Abstract: 본 발명은 에어로졸 증착기술을 이용하여 유기물이 없는 탄소나노튜브 전극을 제조하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명은 (a) 탄소나노튜브 원료를 에어로졸화시키는 단계; 및 (b) 에어로졸화된 탄소나노튜브를 진공팽창 원리에 의해 가속하여 기판에 분사 증착시킴으로써 탄소나노튜브 박막으로 이루어진 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 탄소나노튜브 전극 제조방법을 제공한다.
    탄소나노튜브, 전극, 캐소드, 백라이트유닛, 디스플레이

    양자점 재료 증착박막 형성방법 및 그 생성물
    9.
    发明授权
    양자점 재료 증착박막 형성방법 및 그 생성물 失效
    量子态及其制品结构的制备方法

    公开(公告)号:KR100981309B1

    公开(公告)日:2010-09-10

    申请号:KR1020070126439

    申请日:2007-12-06

    Inventor: 허승헌 류도형

    Abstract: 본 발명은 양자점 재료 함유의 구조체 형성방법 및 그 구조체에 관한 것으로, 양자점 재료를 에어로졸화하는 단계; 및 상기 생성된 에어로졸을 적어도 30m/s 이상의 속도로 모재에 충돌시켜 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.
    이와 같은 발명을 제공하게 되면, 모재 또는 기판과 강하게 결합되도록 할 수 있으며, 적층 시킬 수 있고, 별도의 바인더 수지를 포함하지 않아 다양한 형태의 형광, 디스플레이, LED에 유용한 박막을 용이하게 얻을 수 있는 효과가 있다. 또한 나노입자와의 혼합 박막 및 다층 박막을 제조하는 것도 가능하며, 다양한 후처리 공정, 도핑 공정, 패시베이션 공정 등을 통하여 산업적으로 요구되는 유용한 박막을 얻을 수 있는 효과가 있다.
    양자점(Quantum Dot), 나노입자, 에어로 졸, 모재, 기판

    알루미나 분말 촉매를 이용한 폴리카보실란의 제조 방법 및이를 열분해하여 실리콘카바이드를 제조하는 방법
    10.
    发明授权
    알루미나 분말 촉매를 이용한 폴리카보실란의 제조 방법 및이를 열분해하여 실리콘카바이드를 제조하는 방법 有权
    使用氧化铝粉末作为催化剂的聚碳酸酯的制造方法和来自聚碳酸酯的碳化硅的制造方法

    公开(公告)号:KR100942186B1

    公开(公告)日:2010-02-11

    申请号:KR1020070125571

    申请日:2007-12-05

    Abstract: 알루미나 분말을 촉매로 사용하여 폴리디메틸실란으로부터 폴리카보실란을 합성하는 방법이 개시된다. 본 발명의 폴리카보실란 제조 방법은 반응 응기 내에 폴리디메틸실란과 가격이 저렴한 알파 (α-Al
    2 O
    3 ) 또는 감마상 (γ-Al
    2 O
    3 ) 의 알루미나 분말을 0.1-10 % 무게비로 혼합하여 폴리카보실란으로 전환하는 방법을 포함한다. 촉매가 없는 경우 보다 저온 저압에서 촉매 반응을 유도시키는 만큼 제조 공정상 상당한 이익을 가져오며, 이를 통하여 제조되는 폴리카보실란 전구체를 방사함으로서 폴리카보실란 섬유를 제조하고 일련의 열처리를 통하여 다양한 SiC 섬유를 제조할 수 있게 한다.
    알파 알루미나, 감마 알루미나, 폴리디메틸실란(PDMS), 폴리카보실란(PCS), 전환반응, 중합반응, 실리콘 카바이드(SiC)

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