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公开(公告)号:KR20180042402A
公开(公告)日:2018-04-25
申请号:KR20187008543
申请日:2016-08-22
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor: VAN DER SCHAAR MAURITS , ZHANG YOUPING , SMILDE HENDRIK JAN HIDDE , TSIATMAS ANAGNOSTIS , VAN LEEST ADRIAAN JOHAN , VERMA ALOK , THEEUWES THOMAS , CRAMER HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , HINNEN PAUL CHRISTIAAN
CPC classification number: G03F7/70491 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 기판은리소그래피프로세스에의해그 위에형성된제 1 및제 2 타겟구조체를포함한다. 각각의타겟구조체는제 1 및제 2 리소그래피단계를사용하여기판상의단일재료층내에형성되는 2-차원주기적구조체를포함하는데, 제 1 타겟구조체내에서, 제 2 리소그래피단계에서형성되는피쳐는제 1 리소그래피단계에서형성되는피쳐에대해서, 제 1 리소그래피단계에서형성되는피쳐의공간주기의절반에가까운제 1 바이어스양만큼변위되고, 제 2 타겟구조체내에서, 제 2 리소그래피단계에서형성되는피쳐는제 1 리소그래피단계에서형성되는피쳐에대해서, 상기공간주기의절반에가깝고제 1 바이어스양과상이한제 2 바이어스양만큼변위된다. 제 1 타겟구조체의각도-분해산란스펙트럼및 제 2 타겟구조체의각도-분해산란스펙트럼이획득되고, 리소그래피프로세스의파라미터의측정이제 1 및제 2 타겟구조체의산란스펙트럼들에서발견되는비대칭을사용하여, 측정으로부터유도된다.
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公开(公告)号:NL2008957A
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:NL2008957
申请日:2012-06-07
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor: FENG HANYING , CAO YU , YE JUN , ZHANG YOUPING
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
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