公开(公告)号：DE102008033704B4

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：DE102008033704

申请日：2008-07-18

Applicant: EPCOS AG

Inventor： ROESLER ULRIKE DR ,  HAUSER MARKUS DR

IPC: H03H9/145 ,  H01L41/047 ,  H03H9/25

Abstract: Elektronisches Bauelement, umfassend – ein piezoelektrisches Substrat (P), – eine metallische Schicht (S) auf zumindest einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (P), die zumindest in Teilbereichen zu einer Struktur ausgebildet ist, die beim Betrieb des Bauelements akustische Wellen emittiert oder reflektiert, wobei die metallische Schicht (S) mehr als ein Metall umfasst, wobei eines der Metalle Au oder Ag ist, wobei die metallische Schicht (S) eine Schichtenfolge aufweist, in der alternierend Teilschichten (T) aus unterschiedlichen Metallen und/oder Legierungen folgen, wobei alle Teilschichten (T), die aus dem gleichen Metall/der gleichen Legierung bestehen, ausgenommen die beiden Außenschichten, die gleiche Schichtdicke (d) aufweisen, wobei bei einer Schichtenfolge von mindestens 5 Teilschichten (T) die Außenschichten die halbe Schichtdicke (d) der übernächsten weiter innen liegenden Teilschicht (T) aufweisen.

公开(公告)号：DE10302633B4

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE10302633

申请日：2003-01-23

Applicant: EPCOS AG

Inventor： HAUSER MARKUS DR ,  RUILE WERNER DR ,  WOLFF ULRICH ,  ROESLER ULRIKE DR ,  KNAUER ULRICH DR ,  LEIDL ANTON DR ,  SCHOLL GERD DR

IPC: H03H9/145 ,  H01L41/18 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: SAW Bauelement, – mit einem piezoelektrischen Substrat (S), – mit mindestens einer Wandlerelektrode, die auf dem piezoelektrischen Substrat aufgebracht ist und eine Metallisierung (M) aufweist, die aus einem oder mehreren Metallen zusammengesetzt ist, deren gemittelte spezifische Dichte mindestens 50% über der von Al liegt und – bei dem zur Reduzierung des Temperaturgangs ganzflächig oder teilflächig über der Metallisierung eine dünne Kompensationsschicht (K) eines Materials mit einer Temperaturabhängigkeit der elastischen Koeffizienten aufgebracht ist, die dem Temperaturgang des Substrats entgegenwirkt, – bei dem die Kompensationsschicht (K) SiO2 umfasst, – bei dem die Metallisierung (M) überwiegend aus einem Metall besteht und ausgewählt ist aus Kupfer, Molybdän, Wolfram, Gold, Silber und Platin, – bei dem die Metallisierung (M) eine relative Metallisierungshöhe von 6 bis 14% h/λ aufweist, – bei dem die elastischen Konstanten der Metallisierung eine geringere Temperaturabhängigkeit aufweisen als die des Aluminiums, – bei dem die Kompensationsschicht (K) eine Höhe von 4 bis 10% h/λ aufweist, wobei –λ die Wellenlänge der akustischen Welle ist, die in diesem SAW Bauelement ausbreitungsfähig ist.

公开(公告)号：DE102010064575B3

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102010064575

申请日：2010-01-25

Applicant: EPCOS AG

Inventor： JAKOB MICHAEL ,  WAGNER KARL-CHRISTIAN DR ,  MAYER MARKUS DR ,  EBNER THOMAS DR ,  BLEYL INGO DR ,  RUILE WERNER DR ,  HAUSER MARKUS DR ,  SCHMIDHAMMER EDGAR DR ,  RÖSLER ULRIKE DR ,  SAUER WOLFGANG

IPC: H03H9/145

Abstract: Elektroakustischer Wandler, – angeordnet in einer akustischen Spur, – mit einem piezoelektrischen Substrat, das einen höheren elektroakustischen Kopplungskoeffizienten als Quarz aufweist, – mit zwei auf dem Substrat angeordneten Elektroden, die jeweils mit einer Stromsammelschiene verschaltete, ineinander greifende Elektrodenfinger (EF) zur Anregung von akustischen Wellen aufweisen, – mit einer Beschwerungsschicht, – mit einer dielektrischen Deckschicht, die die Elektrodenfinger (EF) oder die Stromsammelschienen bedeckt, – wobei der Wandler so ausgebildet ist, dass in mehreren parallel zur akustischen Spur verlaufenden Bereichen (ZAB, IRB, ARB, SB) die akustische Welle eine unterschiedliche longitudinale Ausbreitungsgeschwindigkeit erfährt, – mit einem zentralen Anregungsbereich (ZAB) mit einer ersten longitudinalen Geschwindigkeit, – mit den zentralen Anregungsbereich auf beiden Seiten flankierenden inneren Randbereichen (IRB), in denen die longitudinale Geschwindigkeit von der longitudinalen Geschwindigkeit des zentralen Anregungsbereichs (ZAB) abweicht, – mit die inneren Randbereiche (IRB) flankierenden äußeren Randbereichen (ARB), in denen die longitudinale Geschwindigkeit höher als in den inneren Randbereichen (IRB) ist, – mit die äußeren Randbereiche (ARB) flankierenden Bereichen der Stromsammelschienen (SB), in denen die longitudinale Geschwindigkeit geringer als in den äußeren Randbereichen (ARB) ist, ...

公开(公告)号：DE102010005596A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：DE102010005596

申请日：2010-01-25

Applicant: EPCOS AG

Inventor： RUILE WERNER DR ,  MAYER MARKUS DR ,  ROESLER ULRIKE DR ,  HAUSER MARKUS DR ,  BLEYL INGO DR ,  WAGNER KARL-CHRISTIAN DR ,  SAUER WOLFGANG DR ,  JAKOB MICHAEL ,  EBNER THOMAS DR ,  SCHMIDHAMMER EDGAR DR

IPC: H03H9/145

Abstract: Es wird ein elektroakustischer Wandler mit verringerter Verlust aufgrund in transversaler Richtung emittierter akustischer Wellen angegeben. Dazu umfasst ein Wandler einen zentralen Anregungsbereich, den zentralen Anregungsbereich flankierende innere Randbereiche, die inneren Randbereiche flankierende äußere Randbereiche sowie die äußeren Randbereiche flankierende Bereiche der Stromsammelschiene. Die longitudinale Geschwindigkeit der Bereiche ist so eingestellt, dass das Anregungsprofil eines Pistonmode erhalten wird.

公开(公告)号：DE102010005596B4

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：DE102010005596

申请日：2010-01-25

Applicant: EPCOS AG

Inventor： RUILE WERNER DR ,  MAYER MARKUS DR ,  RÖSLER ULRIKE DR ,  HAUSER MARKUS DR ,  BLEYL INGO DR ,  WAGNER KARL-CHRISTIAN DR ,  SAUER WOLFGANG ,  JAKOB MICHAEL ,  EBNER THOMAS DR ,  SCHMIDHAMMER EDGAR DR

IPC: H03H9/145

Abstract: Elektroakustischer Wandler, – angeordnet in einer akustischen Spur, – mit einem piezoelektrischen Substrat, das einen höheren elektroakustischen Kopplungskoeffizienten als Quarz aufweist, – mit zwei auf dem Substrat angeordneten Elektroden, die jeweils mit einer Stromsammelschiene verschaltete, ineinander greifende Elektrodenfinger (EF) zur Anregung von akustischen Wellen aufweisen – wobei der Wandler so ausgebildet ist, dass in mehreren parallel zur akustischen Spur verlaufenden Bereichen (ZAB, IRB, ARB, SB) die akustische Welle eine unterschiedliche longitudinale Ausbreitungsgeschwindigkeit erfährt, – mit einem zentralen Anregungsbereich (ZAB) mit einer ersten longitudinalen Geschwindigkeit, – mit den zentralen Anregungsbereich auf beiden Seiten flankierenden inneren Randbereichen (IRB), in denen die longitudinale Geschwindigkeit von der longitudinalen Geschwindigkeit des zentralen Anregungsbereichs (ZAB) abweicht, – mit die inneren Randbereiche (IRB) flankierenden äußeren Randbereichen (ARB), in denen die longitudinale Geschwindigkeit höher als in den inneren Randbereichen (IRB) ist, – mit die äußeren Randbereiche (ARB) flankierenden Bereichen der Stromsammelschienen (SB), in denen die longitudinale Geschwindigkeit geringer als in den äußeren Randbereichen (ARB) ist, – wobei k 2x + (1 + &Ggr;)k 2y = k 20 und &Ggr; > –1, – wobei kx die Komponente des Wellenvektors in longitudinaler Richtung, ky die Komponente des Wellenvektors in transversaler Richtung und k0 der Wellenvektor in Hauptausbreitungsrichtung ist.

公开(公告)号：DE10246784B4

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE10246784

申请日：2002-10-08

Applicant: EPCOS AG

Inventor： FEIERTAG GREGOR DR ,  REITLINGER CLAUS DIPL ING ,  KRUEGER HANS DIPL PHYS ,  HAUSER MARKUS DR ,  SYNOWCYK ANDREAS DR ,  HAMMEDINGER ROBERT ,  ROTTMANN MATTHIAS DR RER NAT ,  KASTNER KONRAD ,  BLEYL INGO ,  STELZL ALOIS

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/00 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/08 ,  H03H9/15

Abstract: Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement, enthaltend: – einen Chip, der mittels Lötverbindungen mit einem Trägersubstrat elektrisch und mechanisch verbunden ist, – elektrisch leitende Strukturen, die auf dem Chip angeordnet sind und zumindest zwei Außenkontakte (AK) sowie Zuleitungen (ZL) umfassen, – wobei ein Teil der elektrisch leitenden Strukturen zumindest einen mit akustischen Volumenwellen arbeitenden Resonator und/oder einen mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Wandler (RE) als akustisch aktive Elemente realisiert, – wobei die elektrisch leitenden Strukturen außerdem zumindest zwei Außenkontakte (AK) und Zuleitungen (ZL) umfassen, – wobei auf den zumindest zwei Außenkontakten (AK) eine erste Struktur und auf einem Teil der Zuleitungen eine zweite Struktur eines lötfähigen strukturierten Mehrschichtaufbaus aus zumindest zwei Metallschichten vorgesehen ist, – wobei die Mehrschichtaufbau-Strukturen (MS) auf den Zuleitungen und den Außenkontakten in einem gemeinsamen Verfahrensschritt hergestellt sind und überall die gleiche Höhe aufweisen – bei dem die erste und die zweite Struktur des Mehrschichtaufbaus eine Unterbrechung aufweisen und nicht verbunden sind.

公开(公告)号：DE102004045181B4

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102004045181

申请日：2004-09-17

Applicant: EPCOS AG

Inventor： KNAUER ULRICH ,  RUILE WERNER DR ,  SCHOLL GERD DR ,  RUPPEL CLEMENS ,  RÖSLER ULRIKE DR ,  RIHA EVELYN DR ,  LEIDL ANTON DR ,  RIHA GERD DR ,  WOLFF ULRICH DR ,  HAUSER MARKUS DR

IPC: H03H9/64 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02

Abstract: Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit reduziertem Temperaturgang der Resonanzfrequenz, – mit einem piezoelektrischen Substrat (PS), das einen ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten TCE1 aufweist und eine Dicke von x mal lambda besitzt, wobei 5

公开(公告)号：DE10237507B4

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE10237507

申请日：2002-08-16

Applicant: EPCOS AG

Inventor： SMOLE PHILIPP ,  HAUSER MARKUS DR

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/22 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Schichtsystems für ein mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelements mit folgenden Verfahrensschritten: a) auf ein Basissubstrat (BS), das zumindest eine Schicht umfaßt, wird eine Wachstumsschicht (WS) aufgebracht, b) auf die Wachstumsschicht wird eine piezoelektrische Schicht (PS) aufgebracht, c) auf die piezoelektrische Schicht wird ein funktioneller Schichtaufbau (SU) aufgebracht, d) das Basissubstrat wird entfernt, e) die Wachstumsschicht (WS) wird entfernt.

公开(公告)号：DE102007012383B4

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：DE102007012383

申请日：2007-03-14

Applicant: EPCOS AG

Inventor： RUILE WERNER DR ,  HAUSER MARKUS DR ,  ROESLER ULRIKE DR

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

Abstract: Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement – mit mindestens einem Substrat (1) und einem auf diesem angeordneten, zur Wellenleitung geeigneten Schichtsystem (3), – wobei das Schichtsystem (3) eine Metallisierungsschicht (33), eine erste dielektrische Schicht (31) und eine zweite dielektrische Schicht (32) umfasst, – wobei die Geschwindigkeit der akustischen Welle in der zweiten dielektrischen Schicht (32) größer ist als in der ersten dielektrischen Schicht (31), – wobei eine der dielektrischen Schichten (31, 32) TeO2 enthält.

公开(公告)号：DE102009032840B4

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102009032840

申请日：2009-07-13

Applicant: EPCOS AG

Inventor： THOMAS RALF ,  KUBAT DR FRANZ ,  DETLEFSEN ANDREAS ,  HAUSER MARKUS DR

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64

Abstract: SAW-Filterschaltung (SAWF) mit verbesserter ESD-Festigkeit, umfassend – einen ersten (SP1) und einen zweiten (SP2) Signalport, – ein DMS-Filter (DMS) auf einem piezoelektrischen Substrat (PS) mit einem ersten DMS-Port (DMSP1) und mindestens einem damit verschalteten ersten DMS-Wandler (W1) und einem zweiten DMS-Port (DMSP2) mit mindestens einem damit verschalteten zweiten DMS-Wandler (W2), – eine erste Verschaltung (SV, PV), umfassend eine erste Serienverschaltung (SV) und eine Parallelverschaltung in einem parallelen Zweig, aus SAW-Resonatoren mit Wandlern, wobei die erste Verschaltung zwischen dem ersten Signalport (SP1) und mit dem ersten DMS-Port (DMSP1) verschaltet ist, wobei – die statische Kapazität der ersten Serienverschaltung (SV) maximal das Vierfache der statischen Kapazität der damit verschalteten ersten DMS-Wandler (W1) beträgt und – unmittelbar benachbarte Elektrodenfinger (EF) unterschiedlicher Wandler die gleiche Polarität umfassen und die unmittelbar benachbarten Elektrodenfinger (EF) in einem ersten Mehrtorresonator verschaltet sind und der erste Mehrtorresonator in dem parallelen Zweig verschaltet ist.