公开(公告)号：DE102019208487A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102019208487

申请日：2019-06-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WANG HAITING ,  PANDEY SHESH MANI ,  SHU JIEHUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  ZANG HUI ,  XIE RUILONG ,  XU GUOWEI ,  HU ZHAOYING

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Es werden parallele Finnen (in einer ersten Orientierung) gebildet und Source/Drain-Strukturen werden in oder auf den Finnen gebildet, wobei Kanalbereiche der Finnen zwischen den Source/Drain-Strukturen liegen. Es werden parallele Gate-Strukturen so gebildet, dass sie die Finnen (in einer zweiten Orientierung senkrecht zur ersten Orientierung) schneiden, Source/Drain-Kontakte werden auf Source/Drain-Strukturen gebildet, die sich auf gegenüberliegenden Seiten der Gate-Strukturen befinden, und Kappen werden auf den Source/Drain-Kontakten gebildet. Nach dem Bilden der Kappen wird eine Gate-Schnitt-Struktur gebildet, die den Abschnitt der Gate-Struktur unterbricht, der sich zwischen benachbarten Finnen erstreckt. Der obere Abschnitt der Gate-Schnitt-Struktur umfasst Verlängerungen, wobei sich eine erste Verlängerung in eine der Kappen auf einer ersten Seite der Gate-Schnitt-Struktur erstreckt und eine zweite Verlängerung sich in den Zwischen-Gate-Isolator auf einer zweiten Seite der Gate-Schnitt-Struktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102019215248A1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：DE102019215248

申请日：2019-10-02

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  PANDEY SHESH MANI ,  PARK CHANRO ,  XIE RUILONG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Prozesse bilden integrierte Schaltkreisvorrichtungen, die parallele Finnen umfassen, wobei die Finnen in einer ersten Richtung strukturiert sind. Parallele Gatestrukturen kreuzen die Finnen in einer zweiten Richtung, die zu der ersten Richtung senkrecht ist, wobei die Gatestrukturen einen unteren Teil neben den Finnen und einen von den Finnen entfernten oberen Teil aufweisen. Auf den Finnen befinden sich zwischen den Gatestrukturen Source/Drain-Strukturen. Auf den Source/Drain-Strukturen sind Source/Drain-Kontakte angeordnet, und mehrere Isolatorschichten sind zwischen den Gatestrukturen und den Source/Drain-Kontakten angeordnet. Zusätzliche obere Seitenwandabstandshalter sind zwischen dem oberen Teil der Gatestrukturen und den mehreren Isolatorschichten angeordnet.