公开(公告)号：DE102019206271A1

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE102019206271

申请日：2019-05-02

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  WONG CHUN YU ,  ECONOMIKOS LAERTIS

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden einer CT-Säule mit verringerter Breite und vergrößertem Abstand von benachbarten Finnen und die resultierenden Vorrichtungen bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines ersten Paares von Finnen und eines zweiten Paares von Finnen in einer Oxidschicht, wobei das erste Paar von Finnen und das zweite Paar von Finnen Si umfassen; und ein Bilden einer CT-Säule, die SiN umfasst, zwischen dem ersten und dem zweiten Paar von Finnen und über einem Abschnitt der Oxidschicht, wobei die Breite der CT-Säule und der Abstand zwischen der CT-Säule und dem ersten Paar von Finnen und dem zweiten Paar von Finnen umgekehrt proportional sind.

公开(公告)号：DE102019204737A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE102019204737

申请日：2019-04-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  WU XUSHENG ,  ZHANG JOHN ,  HUANG HAIGOU ,  ZHAN HUI ,  HAN TAO ,  WANG HAITING ,  LIU JINPING ,  ZANG HUI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: In Verbindung mit einem Austausch-Metall-Gate (RMG) -Prozess zur Bildung eines Finnen-Feldeffekttransistors (FinFET) nutzen Gate-Isolationsverfahren und zugehörige Strukturen die Bildung von unterschiedlichen schmalen und breiten Gateschnittbereichen in einem Opfergate. Die Bildung eines schmalen Gateschnitts zwischen eng beabstandeten Finnen kann das Ausmaß des Ätzschadens an dielektrischen Zwischenschichtschichten benachbart zu dem schmalen Gateschnitt verringern, indem die Abscheidung solcher dielektrischen Schichten bis nach der Bildung der schmalen Gateschnittöffnung verzögert wird. Die Verfahren und resultierenden Strukturen verringern auch die Neigung zu Kurzschlüssen zwischen später gebildeten benachbarten Gates.

公开(公告)号：DE102019209318A1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：DE102019209318

申请日：2019-06-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  WANG HAITING ,  YU HONG ,  ECONOMIKOS LAERTIS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Feldeffekttransistors vom Finnentyp (FinFET) umfasst die Kointegration von verschiedenen Isolationsstrukturen, umfassend Gateschnittstrukturen und flache Diffusionsunterbrechungsstrukturen, die mit gemeinsamen Maskierungs- und Ätzschritten gebildet werden. Nach einem zusätzlichen Strukturierungsschritt, um eine Segmentierung von leitfähigen Source/Drain-Kontakten bereitzustellen, wird ein einzelner Abscheidungsschritt verwendet, um eine dielektrische Isolationsschicht innerhalb von jeder der Gateschnittöffnungen, der flachen Diffusionsunterbrechungsöffnungen und von Aussparungen über einer Flachgrabenisolation zwischen aktiven Vorrichtungsgebieten zu bilden.

公开(公告)号：DE102019208487A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102019208487

申请日：2019-06-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WANG HAITING ,  PANDEY SHESH MANI ,  SHU JIEHUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  ZANG HUI ,  XIE RUILONG ,  XU GUOWEI ,  HU ZHAOYING

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Es werden parallele Finnen (in einer ersten Orientierung) gebildet und Source/Drain-Strukturen werden in oder auf den Finnen gebildet, wobei Kanalbereiche der Finnen zwischen den Source/Drain-Strukturen liegen. Es werden parallele Gate-Strukturen so gebildet, dass sie die Finnen (in einer zweiten Orientierung senkrecht zur ersten Orientierung) schneiden, Source/Drain-Kontakte werden auf Source/Drain-Strukturen gebildet, die sich auf gegenüberliegenden Seiten der Gate-Strukturen befinden, und Kappen werden auf den Source/Drain-Kontakten gebildet. Nach dem Bilden der Kappen wird eine Gate-Schnitt-Struktur gebildet, die den Abschnitt der Gate-Struktur unterbricht, der sich zwischen benachbarten Finnen erstreckt. Der obere Abschnitt der Gate-Schnitt-Struktur umfasst Verlängerungen, wobei sich eine erste Verlängerung in eine der Kappen auf einer ersten Seite der Gate-Schnitt-Struktur erstreckt und eine zweite Verlängerung sich in den Zwischen-Gate-Isolator auf einer zweiten Seite der Gate-Schnitt-Struktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102019206553A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102019206553

申请日：2019-05-07

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ECONOMIKOS LAERTIS ,  ZANG HUI ,  XIE RUILONG ,  PARK CHANRO

IPC: H01L21/336 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/283 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, wie beispielsweise einer FinFET-Vorrichtung, umfasst ein Bilden eines Gatestapels über einem Kanalbereich einer Halbleiterfinne zwischen Abstandshalterschichten, ein Aussparen des Gatestapels und der Abstandshalterschichten und ein Bilden einer Gateleiterschicht über dem ausgesparten Gatestapel und den Abstandshalterschichten. Die Gateleiterschicht ist so ausgebildet, dass sie einen Ätzschaden an den Abstandshalterschichten während eines nachfolgenden Ätzschrittes verhindert, der zur Bildung von Kontaktöffnungen über Source/Drain-Bereichen der Finne verwendet wird. Die resultierende Struktur zeigt eine verbesserte elektrische Isolation zwischen Gate- und Source/Drain-Kontakten.

公开(公告)号：DE102019201354A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019201354

申请日：2019-02-04

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PANDEY SHESH M ,  SHU JIEHUI ,  ZANG HUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Es werden eine Gate-Schnitt-Struktur für FinFETs und ein verwandtes Verfahren werden offenbart. Die Gate-Schnitt-Struktur trennt und isoliert ein Ende eines ersten Metallgateleiters eines ersten FinFET von einem Ende eines zweiten Metallgateleiters eines zweiten FinFET. Die Gate-Schnitt-Struktur umfasst einen Körper, der das Ende des ersten und des zweiten Metallgateleiters kontaktiert. Ein Liner-Abstandshalter trennt einen unteren Abschnitt des Körpers von einem Zwischenschichtdielektrikum (ILD) und ein oberer Abschnitt des Körpers kontaktiert die ILD. Während der Ausbildung ermöglicht der Liner-Abstandshalter, dass eine größere Gate-Schnitt-Öffnung verwendet wird, um eine qualitativ hochwertige Reinigung der Gate-Schnitt-Öffnung zu ermöglichen, aber auch den Abstand zwischen den metallischen Gateleiterenden der FinFETs zu verringern. In einem Beispiel kann der Körper einen unteren Abschnitt haben, der eine Breite aufweist, die geringer ist als sein oberer Abschnitt.

公开(公告)号：DE102018206438A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018206438

申请日：2018-04-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  WU XUSHENG ,  HUANG HAIGOU ,  ZHANG JOHN H ,  LIU PEI ,  ECONOMIKOS LAERTIS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere einen Kontakt über einer Aktivgate-Struktur und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst: eine Aktivgate-Struktur gebildet aus einem leitfähigen Material, das zwischen einem Seitenwandmaterial angeordnet ist; ein oberes Seitenwandmaterial über dem Seitenwandmaterial, wobei das obere Seitenwandmaterial von dem Material des Seitenwandmaterials verschieden ist; und eine Kontaktstruktur in einem elektrischen Kontakt mit dem leitfähigen Material der Aktivgate-Struktur. Die Kontaktstruktur ist zwischen dem Seitenwandmaterial und zwischen dem oberen Seitenwandmaterial angeordnet.

公开(公告)号：DE102019215248A1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：DE102019215248

申请日：2019-10-02

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  PANDEY SHESH MANI ,  PARK CHANRO ,  XIE RUILONG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Prozesse bilden integrierte Schaltkreisvorrichtungen, die parallele Finnen umfassen, wobei die Finnen in einer ersten Richtung strukturiert sind. Parallele Gatestrukturen kreuzen die Finnen in einer zweiten Richtung, die zu der ersten Richtung senkrecht ist, wobei die Gatestrukturen einen unteren Teil neben den Finnen und einen von den Finnen entfernten oberen Teil aufweisen. Auf den Finnen befinden sich zwischen den Gatestrukturen Source/Drain-Strukturen. Auf den Source/Drain-Strukturen sind Source/Drain-Kontakte angeordnet, und mehrere Isolatorschichten sind zwischen den Gatestrukturen und den Source/Drain-Kontakten angeordnet. Zusätzliche obere Seitenwandabstandshalter sind zwischen dem oberen Teil der Gatestrukturen und den mehreren Isolatorschichten angeordnet.