公开(公告)号：DE102019204737A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE102019204737

申请日：2019-04-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  WU XUSHENG ,  ZHANG JOHN ,  HUANG HAIGOU ,  ZHAN HUI ,  HAN TAO ,  WANG HAITING ,  LIU JINPING ,  ZANG HUI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: In Verbindung mit einem Austausch-Metall-Gate (RMG) -Prozess zur Bildung eines Finnen-Feldeffekttransistors (FinFET) nutzen Gate-Isolationsverfahren und zugehörige Strukturen die Bildung von unterschiedlichen schmalen und breiten Gateschnittbereichen in einem Opfergate. Die Bildung eines schmalen Gateschnitts zwischen eng beabstandeten Finnen kann das Ausmaß des Ätzschadens an dielektrischen Zwischenschichtschichten benachbart zu dem schmalen Gateschnitt verringern, indem die Abscheidung solcher dielektrischen Schichten bis nach der Bildung der schmalen Gateschnittöffnung verzögert wird. Die Verfahren und resultierenden Strukturen verringern auch die Neigung zu Kurzschlüssen zwischen später gebildeten benachbarten Gates.