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    ENERGIESPARENDE ERKENNUNG FEUERGEFÄHRLICHER GASE
    2.
    发明专利
    ENERGIESPARENDE ERKENNUNG FEUERGEFÄHRLICHER GASE 未知

    公开(公告)号：DE112018003101T5

    公开(公告)日：2020-03-26

    申请号：DE112018003101

    申请日：2018-08-02

    Applicant: IBM

    Inventor： VAN KESSEL THEODORE ,  CHANG JOSEPHINE ,  HAMANN HENDRIK ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  GUHA SUPRATIK ,  LIU JIAXING

    IPC: G01N27/00

    Abstract: Bereitgestellt werden energiesparende Sensoren für feuergefährliche Gase unter Verwendung einer Thermoelementbauform. Bei einem Aspekt umfasst ein Sensor für feuergefährliche Gase: mindestens eine erste Elektrode; mindestens eine zweite Elektrode, die aus einem Material gebildet ist, das ungleich dem der ersten Elektrode ist; und ein katalytisches Material an einer aktiven Reaktionsverbindungsstelle zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, wobei die aktive Reaktionsverbindungsstelle zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ein Thermoelement bildet. Eine Erkennungseinheit umfasst z.B. mehrere Sensoren und ein Verfahren zum Erkennen von feuergefährlichem Gas unter Verwendung der vorliegenden Sensoren werden ebenfalls bereitgestellt.

    Selbstreinigendes Ultraschallsystem
    3.
    发明专利
    Selbstreinigendes Ultraschallsystem 未知

    公开(公告)号：DE112018000917T5

    公开(公告)日：2019-11-14

    申请号：DE112018000917

    申请日：2018-04-18

    Applicant: IBM

    Inventor： HORESH LIOR ,  HORESH RAYA ,  COHEN GUY ,  VAN KESSEL THEODORE ,  WISNIEFF ROBERT LUKE

    IPC: G03B17/12

    Abstract: Verfahren und Systeme zum Reinigen einer optischen Einheit beinhalten Messen eines Zustands der optischen Einheit. Dabei wird ermittelt, ob die optische Einheit auf Grundlage des gemessenen Zustands der optischen Einheit gereinigt werden muss. Die optische Einheit wird mit Ultraschallschwingungen gereinigt, wenn die optische Einheit gereinigt werden muss.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE69630501D1

    公开(公告)日：2003-12-04

    申请号：DE69630501

    申请日：1996-08-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM ,  TOSHIBA KK

    Inventor： HASEGAWA ISAHIRO ,  MULLER KARL PAUL ,  POSCHENRIEDER BERNHARD L ,  TIMME HANS-JOERG ,  VAN KESSEL THEODORE

    IPC: C23C16/52 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L35/28

    Abstract: A temperature control apparatus for single wafer etching tools comprising a cathode electrode, an isolation layer, and chuck means, respectfully, which are vertically stacked to support a wafer to be etched. A layer of thermoelectric elements is disposed between the isolation layer and the chuck means. The layer of thermoelectric elements comprises a center area closed loop of connected Peltier elements and an outer area closed loop of connected Peltier elements. The center area closed loop is coupled to a power source and is arranged to correspond to the center area of the wafer. The outer area closed loop is coupled to a power source and is arranged to correspond to the outer area of the wafer. Accordingly, the temperatures associated with each of the specific areas of the wafer are individually controlled by one of the closed loops.

    ENERGIESPARENDE ERKENNUNG FEUERGEFÄHRLICHER GASE
    7.
    发明专利
    ENERGIESPARENDE ERKENNUNG FEUERGEFÄHRLICHER GASE 未知

    公开(公告)号：DE112018003101B4

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：DE112018003101

    申请日：2018-08-02

    Applicant: IBM

    Inventor： VAN KESSEL THEODORE ,  CHANG JOSEPHINE ,  HAMANN HENDRIK ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  GUHA SUPRATIK ,  LIU JIAXING

    IPC: G01N25/32 ,  G01N27/00

    Abstract: Sensor für feuergefährliche Gase, aufweisend:mindestens eine erste Elektrode;mindestens eine zweite Elektrode, die aus einem Material gebildet ist, das ungleich dem der ersten Elektrode ist;ein inertes Substrat, an dem die mindestens eine erste Elektrode und die mindestens eine zweite Elektrode befestigt sind, wobei die mindestens eine erste Elektrode und die mindestens eine zweite Elektrode jeweils als Streifen eingerichtet sind, die rechtwinklig zueinander auf dem Substrat angeordnet sind; undein katalytisches Material an einer aktiven Reaktionsverbindungsstelle zwischen der mindestens einen ersten Elektrode und der mindestens einen zweiten Elektrode, wo sich die Streifen kreuzen, wobei die aktive Reaktionsverbindungsstelle zwischen der mindestens einen ersten Elektrode und der mindestens einen zweiten Elektrode ein Thermoelement bildet.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT399336T

    公开(公告)日：2008-07-15

    申请号：AT05804583

    申请日：2005-10-18

    Applicant: IBM

    Inventor： COLBURN MATTHEW ,  MARTIN YVES ,  RETTNER CHARLES ,  VAN KESSEL THEODORE ,  WICKRAMASINGHE HEMATHA

    IPC: G03F7/00

    Abstract: A method (and resultant structure) of forming a plurality of masks, includes creating a reference template, using imprint lithography to print at least one reference template alignment mark on all of a plurality of mask blanks for a given chip set, and printing sub-patterns on each of the plurality of mask blanks, and aligning the sub-patterns to the at least one reference template alignment mark.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE69630501T2

    公开(公告)日：2004-08-05

    申请号：DE69630501

    申请日：1996-08-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM ,  TOSHIBA KK

    Inventor： HASEGAWA ISAHIRO ,  MULLER KARL PAUL ,  POSCHENRIEDER BERNHARD L ,  TIMME HANS-JOERG ,  VAN KESSEL THEODORE

    IPC: C23C16/52 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L35/28

    Abstract: A temperature control apparatus for single wafer etching tools comprising a cathode electrode, an isolation layer, and chuck means, respectfully, which are vertically stacked to support a wafer to be etched. A layer of thermoelectric elements is disposed between the isolation layer and the chuck means. The layer of thermoelectric elements comprises a center area closed loop of connected Peltier elements and an outer area closed loop of connected Peltier elements. The center area closed loop is coupled to a power source and is arranged to correspond to the center area of the wafer. The outer area closed loop is coupled to a power source and is arranged to correspond to the outer area of the wafer. Accordingly, the temperatures associated with each of the specific areas of the wafer are individually controlled by one of the closed loops.

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