公开(公告)号：EP2257968A4

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：EP09724159

申请日：2009-01-29

Applicant: IBM

Inventor： HOVEL HAROLD J ,  HUANG QIANG ,  SHAO XIAOYAN ,  VICHICONTI JAMES ,  WALKER GEORGE F

IPC: H01L21/308 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/02 ,  H01L21/306 ,  H01L29/06 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605 ,  C30B33/10 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/20

公开(公告)号：GB2489830B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：GB201206801

申请日：2011-02-01

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  KIM JEE HWAN ,  INNS DANIEL ,  SADANA DEVENDRA ,  FOGEL KEITH ,  VICHICONTI JAMES

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30

Abstract: A method for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes forming a boron-doped SiGe layer on a bulk silicon substrate; forming an upper silicon (Si) layer over the boron-doped SiGe layer; hydrogenating the boron-doped SiGe layer; bonding the upper Si layer to an alternate substrate; and propagating a fracture at an interface between the boron-doped SiGe layer and the bulk silicon substrate. A system for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes a bulk silicon substrate; a boron-doped SiGe layer formed on the bulk silicon substrate, such that the boron-doped SiGe layer is located underneath an upper silicon (Si) layer, wherein the boron-doped SiGe layer is configured to propagate a fracture at an interface between the boron-doped SiGe layer and the bulk silicon substrate after hydrogenation of the boron-doped SiGe layer; and an alternate substrate bonded to the upper Si layer.

公开(公告)号：GB2489830A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：GB201206801

申请日：2011-02-01

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  KIM JEE HWAN ,  INNS DANIEL ,  SADANA DEVENDRA ,  FOGEL KEITH ,  VICHICONTI JAMES

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30

Abstract: A method for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes forming a boron-doped SiGe layer on a bulk silicon substrate; forming an upper silicon (Si) layer over the boron-doped SiGe layer; hydrogenating the boron-doped SiGe layer; bonding the upper Si layer to an alternate substrate; and propagating a fracture at an interface between the boron-doped SiGe layer and the bulk silicon substrate. A system for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes a bulk silicon substrate; a boron-doped Si Ge layer formed on the bulk silicon substrate, such that the boron-doped SiGe layer is located underneath an upper silicon (Si) layer, wherein the boron- doped SiGe layer is configured to propagate a fracture at an interface between the boron- doped SiGe layer and the bulk silicon substrate after hydrogenation of the boron-doped SiGe layer; and an alternate substrate bonded to the upper Si layer.

公开(公告)号：DE112011100445T5

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE112011100445

申请日：2011-02-01

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  FOGEL KEITH ,  VICHICONTI JAMES ,  KIM JEE HWAN ,  INNS DANIEL

IPC: H01L21/18

Abstract: Ein Verfahren für den Schichttransfer unter Verwendung einer mit Bor dotierten Silicium-Germanium(SiGe)-Schicht beinhaltet das Bilden einer mit Bor dotierten SiGe-Schicht auf einem Volumen-Silicium-Substrat; das Bilden einer oberen Silicium(Si)-Schicht über der mit Bor dotierten SiGe-Schicht; das Wasserstoffpassivieren der mit Bor dotierten SiGe-Schicht; das Verbinden der oberen Si-Schicht mit einem alternativen Substrat; und das Fortpflanzen einer Bruchstelle an einer Grenzfläche zwischen der mit Bor dotierten SiGe-Schicht und dem Volumen-Silicium-Substrat. Ein System für den Schichttransfer unter Verwendung einer mit Bor dotierten Silicium-Germanium(SiGe)-Schicht beinhaltet ein Volumen-Silicium-Substrat; eine auf dem Volumen-Silicium-Substrat gebildete, mit Bor dotierte SiGe-Schicht, so dass sich die mit Bor dotierte SiGe-Schicht unter einer oberen Silicium(Si)-Schicht befindet, wobei die mit Bor dotierte SiGe-Schicht so ausgebildet ist, dass sich nach Wasserstoffpassivieren der mit Bor dotierten SiGe-Schicht eine Bruchstelle an einer Grenzfläche zwischen der mit Bor dotierten SiGe-Schicht und dem Volumen-Silicium-Substrat fortpflanzt; und ein alternatives, mit der oberen Si-Schicht verbundenes Substrat.