公开(公告)号：DE102016115939A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：DE102016115939

申请日：2016-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAEMMER KERSTIN ,  FEICK HENNING ,  BARTELS MARTIN

IPC: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8246

Abstract: Speicherzellen und entsprechende Speicheranordnungen werden bereitgestellt. Die Speicherzelle umfasst ein Schmelzelement und einen Bipolartransistor, der angrenzend an das Schmelzelement angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015109842A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102015109842

申请日：2015-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERTRAMS THOMAS ,  FEICK HENNING ,  KAEMMER KERSTIN ,  SCHMEIDE MATTHIAS ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/085 ,  H01L27/112

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines Trägers (102) enthalten: Dotieren eines Trägers (102) mit Fluor, so dass eine erste Oberflächenregion des Trägers (102) fluordotiert ist und eine zweite Oberflächenregion des Trägers (102) frei von der Fluordotierung und/oder weniger fluordotiert als die erste Oberflächenregion ist; und Oxidieren des Trägers (102) um eine erste Gateoxidschicht (104a) von der ersten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer ersten Dicke und gleichzeitig von der zweiten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer zweiten Dicke, die sich von der ersten Dicke unterscheidet, zu wachsen.

公开(公告)号：DE102012103517A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：DE102012103517

申请日：2012-04-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUEBINGER FRANK ,  KAEMMER KERSTIN ,  ROTHENHAEUSSER STEFFEN

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/283 ,  H01L23/58 ,  H01L29/423

Abstract: Es werden ein Halbleiterbauelement (200) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (200) offenbart. Das Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (200) weist auf: Ausbilden einer Materialschicht auf einem Substrat (230), Strukturieren eines ersten halbglobalen Gebiets (210) mit einem ersten Hauptmuster und Strukturieren eines zweiten halbglobalen Gebiets (220) mit einem zweiten Hauptmuster, wobei das erste Hauptmuster von dem zweiten Hauptmuster verschieden ist. Das Verfahren umfasst weiterhin: Einführen eines ersten Dummy-Musters in dem ersten halbglobalen Gebiet (210), so dass eine erste Seitenwandbereichsoberflächendichte des ersten Hauptmusters und des ersten Dummy-Musters in dem ersten halbglobalen Gebiet (210) und eine zweite Seitenwandbereichsoberflächendichte des zweiten Hauptmusters in dem zweiten halbglobalen Gebiet (220) im Wesentlichen eine gleiche Dichte aufweisen.

公开(公告)号：DE102021120714A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102021120714

申请日：2021-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： UHLIG INES ,  THYSSEN NORBERT ,  OFFENBERG DIRK ,  KAEMMER KERSTIN

IPC: H01L27/146 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02B3/00 ,  G02B5/04 ,  G02B5/20 ,  G02B27/00

Abstract: Eine Vorrichtung für einen Bildsensor ist bereitgestellt. Die Vorrichtung umfasst ein Halbleiterbauelement mit einer photosensitiven Region und einem Metallisierungsstapel zum elektrischen Kontaktieren der photosensitiven Region. Die photosensitive Region ist ausgebildet, basierend auf einfallendem Licht ein elektrisches Signal zu erzeugen. Ferner umfasst die Vorrichtung einen optischen Stapel, der auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements gebildet ist, um das einfallende Licht in Richtung der photosensitiven Region zu lenken. Der optische Stapel umfasst eine Mehrzahl von aufeinander gestapelten Regionen. Die Mehrzahl von Regionen umfassen eine Filterregion, die ausgebildet ist, das einfallende Licht nur in einem Zielwellenlängenbereich selektiv durchzulassen.