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    Leistungshalbleitervorrichtungs-Abschlussstruktur
    2.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtungs-Abschlussstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102016120301A1

    公开(公告)日：2018-04-26

    申请号：DE102016120301

    申请日：2016-10-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FALCK ELMAR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BRANDENBURG JENS ,  BAUER JOSEF-GEORG

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

    Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der an einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) der Leistungshalbleitervorrichtung (1) gekoppelt ist und ein Driftgebiet (100) umfasst, wobei das Driftgebiet (100) Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; ein aktives Gebiet (16), das wenigstens eine Leistungszelle (14) aufweist, die sich wenigstens teilweise in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und die mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist und die einen Abschnitt des Driftgebiets (100) umfasst, wobei die wenigstens eine Leistungszelle (14) konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen den Anschlüssen (11, 12) zu leiten und eine zwischen den Anschlüssen (11, 12) angelegte Sperrspannung zu sperren; einen Rand (19), der den Halbleiterkörper (10) seitlich abschließt; und eine inaktive Abschlussstruktur (18), die zwischen dem Rand (19) und dem aktiven Gebiet (16) angeordnet ist. Die Abschlussstruktur (18) umfasst Folgendes: wenigstens ein dotiertes Halbleitergebiet (181, 182, 183), das in dem Halbleiterkörper (10) implementiert ist; eine Leiterstruktur (189), die an einem Isolatorblock (188) angebracht ist, der über einer Oberfläche (10-1) des Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist; und einen ohmschen Weg (187), der die Leiterstruktur (189) mit einem elektrischen Potential des ersten Lastanschlusses (11) elektrisch koppelt, wobei der ohmsche Weg (187) über der Oberfläche (10-1) angeordnet ist.

    Leistungshalbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
    3.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102018132237B4

    公开(公告)日：2025-02-06

    申请号：DE102018132237

    申请日：2018-12-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

    IPC: H10D62/10 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D30/67

    Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109);- ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist;- ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert;- eine Isolationsschicht (15), die auf der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, wobei ein lateraler Rand (151) der Isolationsschicht (15) wenigstens ein Kontaktloch (H) definiert, wobei das Kontaktloch (H) mit einer Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) gefüllt ist, die sich in Kontakt mit einem dotierten Halbleitergebiet (1711) des Halbleiterkörpers (10) befindet; und- eine Hartpassivierungsschicht (18), die auf eine solche Weise auf der Vorderseite (10-1) in wenigstens einem Teil des Randabschlussgebiets (17) angeordnet ist, dass sich die Hartpassivierungsschicht (18) nicht oberhalb des lateralen Randes (151) der Isolationsschicht (15) erstreckt, wobei die Hartpassivierungsschicht (18) die Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) zumindest teilweise bedeckt.

    HALBLEITERBAUELEMENT
    4.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102017116574A1

    公开(公告)日：2019-01-24

    申请号：DE102017116574

    申请日：2017-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  HUMBEL OLIVER ,  KARLOVSKY KAMIL ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MILLONIG HANS ,  PLAPPERT MATHIAS ,  PRELLER FALKO ,  UNTERMOSER HEINZ

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst Bilden einer Bondpadmaterialschicht mit einer Reliefoberfläche, die eine Vertiefung zwischen Erhöhungen umfasst. Das Verfahren umfasst Abscheiden eines Hartmaterials in der Vertiefung. Ferner umfasst das Verfahren Abscheiden einer homogenen Schicht auf einer an den Erhöhungen durch die Bondpadmaterialschicht und an der Vertiefung durch das Hartmaterial gebildeten Abscheidungsfläche. Ein Halbleiter-Die einen aktiven Bereich, der eine Schaltungsstrukturschicht mit einer Reliefkontur, die einer anderen Materialschicht oben auf der Strukturschicht zugekehrt ist, umfasst. Die Reliefkontur umfasst eine Vertiefung zwischen Erhöhungen. Ein Grund der Vertiefung ist durch ein Hartmaterial bedeckt.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE59901023D1

    公开(公告)日：2002-04-25

    申请号：DE59901023

    申请日：1999-07-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRUNNER HEINRICH ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/74 ,  H01L29/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/749

    Abstract: The power semiconductor element has an emitter region and a stop zone in front of the emitter region. The conductivities of the emitter region and of the stop zone are opposed to one another. In order to reduce not only the static but also the dynamic loss of the power semiconductor foreign atoms are used in the stop-zone. The foreign atoms have at least one energy level within the band gap of the semiconductor and at least 200 meV away from the conduction band and valence band of the semiconductor.

    Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren
    8.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren 未知

    公开(公告)号：DE102019111786A1

    公开(公告)日：2020-11-12

    申请号：DE102019111786

    申请日：2019-05-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHEIPER THILO ,  SCHRAML KONRAD

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst ein aktives Gebiet (1-2) mit wenigstens einer Leistungszelle (1-1), wobei das aktive Gebiet (1-2) ein Gesamtvolumen aufweist, wobei das Gesamtvolumen Folgendes aufweist: ein zentrales Volumen (1-21), das wenigstens 20 % des Gesamtvolumens bildet; ein Peripherievolumen (1-22), das wenigstens 20 % des Gesamtvolumens bildet und das zentrale Volumen (1-21) umgibt; und ein äußerstes Peripherievolumen (1-23), das wenigstens 5 % des Gesamtvolumens bildet und das Peripherievolumen (1-22) umgibt. Die Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst ferner Folgendes: ein Randabschlussgebiet (1-3), das das äußerste Peripherievolumen (1-23) des aktiven Gebiets (1-2) umgibt, wobei das Peripherievolumen (1-22) eine konstante laterale Entfernung von dem Randabschlussgebiet (1-3) hat; einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (110) und einer Rückseite (120), wobei der Halbleiterkörper (10) sowohl einen Teil des aktiven Gebiets (1-2) als auch einen Teil des Randabschlussgebiets (1-3) bildet; einen ersten Lastanschluss (11) auf der Halbleiterkörpervorderseite (110) und einen zweiten Lastanschluss (12) auf der Halbleiterkörperrückseite (120); ein erstes dotiertes Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (10) gebildet ist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (11) verbunden ist; ein zweites dotiertes Halbleitergebiet (102), das in dem Halbleiterkörper (10) gebildet ist und elektrisch mit dem zweiten Lastanschluss (12) verbunden ist. Das erste dotierte Halbleitergebiet (101) und/oder das zweite dotierte Halbleitergebiet (102) weisen einen zentralen Teil (101-21; 102-21) auf, der sich in das zentrale Volumen (1-21) des aktiven Gebiets (1-2) erstreckt und eine zentrale Durchschnittsdotierungsstoffdosis aufweist; einen Peripherieteil (101-22; 102-22), der sich in das Peripherievolumen (1-22) des aktiven Gebiets (1-2) hinein erstreckt und eine Peripheriedurchschnittsdotierungsstoffdosis aufweist, wobei die zentrale Durchschnittsdotierungsstoffdosis um wenigstens 5 % oder um wenigstens 10 % niedriger als die Peripheriedurchschnittsdotierungsstoffdosis ist.

    Leistungshalbleitervorrichtung
    9.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102018132237A1

    公开(公告)日：2020-06-18

    申请号：DE102018132237

    申请日：2018-12-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), die eine Leistungshalbleitertransistorkonfiguration aufweist, die Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109); ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist; und ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert. Das Randabschlussgebiet (17) umfasst auf der Vorderseite (10-1) ein Schutzgebiet (172), das keinerlei metallische Strukturen umfasst, außer die metallische Struktur ist elektrisch von unten durch eine Polysiliciumschicht (178) abgeschirmt, die sich um eine laterale Entfernung (d5) von wenigstens 20 µm weiter zu dem lateralen Chiprand (109) als die metallische Struktur erstreckt. Das Schutzgebiet (172) ist in einem sperrenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) dazu konfiguriert, eine Spannungsänderung von wenigstens 90 % einer Sperrspannung innerhalb des Halbleiterkörpers in einer lateralen Richtung von dem aktiven Gebiet (16) zu dem lateralen Chiprand (109) hin aufzunehmen..

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