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    Leistungshalbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
    4.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102018132237B4

    公开(公告)日：2025-02-06

    申请号：DE102018132237

    申请日：2018-12-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

    IPC: H10D62/10 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D30/67

    Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109);- ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist;- ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert;- eine Isolationsschicht (15), die auf der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, wobei ein lateraler Rand (151) der Isolationsschicht (15) wenigstens ein Kontaktloch (H) definiert, wobei das Kontaktloch (H) mit einer Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) gefüllt ist, die sich in Kontakt mit einem dotierten Halbleitergebiet (1711) des Halbleiterkörpers (10) befindet; und- eine Hartpassivierungsschicht (18), die auf eine solche Weise auf der Vorderseite (10-1) in wenigstens einem Teil des Randabschlussgebiets (17) angeordnet ist, dass sich die Hartpassivierungsschicht (18) nicht oberhalb des lateralen Randes (151) der Isolationsschicht (15) erstreckt, wobei die Hartpassivierungsschicht (18) die Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) zumindest teilweise bedeckt.

    HALBLEITERBAUELEMENT
    5.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102017116574A1

    公开(公告)日：2019-01-24

    申请号：DE102017116574

    申请日：2017-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  HUMBEL OLIVER ,  KARLOVSKY KAMIL ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MILLONIG HANS ,  PLAPPERT MATHIAS ,  PRELLER FALKO ,  UNTERMOSER HEINZ

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst Bilden einer Bondpadmaterialschicht mit einer Reliefoberfläche, die eine Vertiefung zwischen Erhöhungen umfasst. Das Verfahren umfasst Abscheiden eines Hartmaterials in der Vertiefung. Ferner umfasst das Verfahren Abscheiden einer homogenen Schicht auf einer an den Erhöhungen durch die Bondpadmaterialschicht und an der Vertiefung durch das Hartmaterial gebildeten Abscheidungsfläche. Ein Halbleiter-Die einen aktiven Bereich, der eine Schaltungsstrukturschicht mit einer Reliefkontur, die einer anderen Materialschicht oben auf der Strukturschicht zugekehrt ist, umfasst. Die Reliefkontur umfasst eine Vertiefung zwischen Erhöhungen. Ein Grund der Vertiefung ist durch ein Hartmaterial bedeckt.

    HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
    6.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014115072A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：DE102014115072

    申请日：2014-10-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HUMBEL OLIVER ,  MILLONIG HANS

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiterbauteils (10) bereitgestellt, welches ein Halbleitersubstrat (1) mit einer ersten Seite (15) und eine Randregion (12) umfasst. Das Verfahren umfasst das Ausbilden eines Emitters (5) an der ersten Seite (15) des Halbleitersubstrats (1) durch die Dotierung mit einem Dotanden, worin die Dotandenkonzentration im Emitter (5) höher ist als in der Randregion (12); das Züchten einer Oxidschicht (14) auf der ersten Seite (15) zumindest teilweise mittels Tempern, wobei die Oxidschicht eine erste Dicke in einer ersten Region (20) aufweist, die den Emitter (5) bedeckt, und worin die Oxidschicht (14) eine zweite Dicke in einer zweiten Region (25) aufweist, die die Randregion (12) bedeckt; und worin die erste Dicke größer als die zweite Dicke ist; das Implantieren von Schwermetallionen (40) mit einer ersten Energie durch die erste Seite (15); das Implantieren von Schwermetallionen (40) mit einer zweiten Energie durch die erste Seite (15); worin die erste Energie und die zweite Energie unterschiedlich gewählt sind, sodass die implantierte Schwermetallkonzentration aufgrund einer Absorption eines Teils der Schwermetallionen (40) mit der geringeren Energie in der ersten Region (20) der Oxidschicht, die den Emitter (5) bedeckt, in der Randregion (12) höher als im Emitter (5) ist, was in der Randregion (12) zu einer geringeren Ladungsträgerlebensdauer als im Emitter (5) führt. Ferner werden eine Halbleitervorrichtung sowie ein Zwischenprodukt bereitgestellt.

    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER KORROSIONSBESTÄNDIGEN METALLISIERUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
    8.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER KORROSIONSBESTÄNDIGEN METALLISIERUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014115174B4

    公开(公告)日：2022-11-24

    申请号：DE102014115174

    申请日：2014-10-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHÄFFER CARSTEN

    IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06

    Abstract: Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101), einer der ersten Seite (101) gegenüberliegenden zweiten Seite (102), einem aktiven Bereich (103), einem Außenrand (119) und einem Randabschlussbereich (104), der zwischen dem Außenrand (119) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet ist, undeine Metallisierungsstruktur (131, 132), die auf der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet ist und wenigstens eine erste Metallschicht (131) aus einem ersten metallischen Material und eine zweite Metallschicht (132) aus einem zweiten metallischen Material aufweist, wobei das erste metallische Material elektrochemisch stabiler ist als das zweite metallische Material,eine Isolierschicht (121), die im Randabschlussbereich (104) zwischen der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) und der ersten Metallschicht (131) angeordnet ist,wobei sich die erste Metallschicht (131) lateral weiter zum Außenrand (119) erstreckt als die zweite Metallschicht (132),wobei das erste metallische Material aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus TiW, Ti/TiN, WN, W, Ta/TaN, WTiN, Siliciden, wie WSi2, CoSi, TiSi und Kombinationen davon, besteht.

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