MEHRZWEIG-ANSCHLUSS FÜR EINHEIT MIT INTEGRIERTER SCHALTUNG (IC)

    公开(公告)号:DE102019118795A1

    公开(公告)日:2020-01-16

    申请号:DE102019118795

    申请日:2019-07-11

    Abstract: Ein Beispiel für einen Mehrzweig-Anschluss für eine Einheit mit einer integrierten Schaltung (IC) ist hierin beschrieben. Ein exemplarischer Mehrzweig-Anschluss einer integrierten Schaltung (IC) kann einen ersten Zweig beinhalten, der eine aktive Verbindung mit einem Chip des IC beinhalten kann, wobei die aktive Verbindung einen Draht beinhalten kann, der mit dem Chip des IC verbunden ist; und einen zweiten Zweig, der eine passive Verbindung mit dem Chip des IC beinhalten kann, wobei die passive Verbindung einen Kondensator beinhalten kann, der mit dem zweiten Zweig und einem ersten Anschluss des IC verbunden ist.

    DRAHTGEBONDETES GEHÄUSE MIT EINTEILIGER FREILIEGENDER WÄRME-SENKE UND LEITUNGEN

    公开(公告)号:DE102019112621A1

    公开(公告)日:2019-11-21

    申请号:DE102019112621

    申请日:2019-05-14

    Abstract: Ein Halbleiterbauelementgehäuse beinhaltet ein elektrisch leitfähiges Diepad mit einer Diebefestigungsfläche und einer Außenfläche. Ein Halbleiterdie ist auf der Diebefestigungsfläche montiert. Ein Verkapselungsmaterial verkapselt den Halbleiterdie und legt die Außenfläche des Die frei. Eine erste Leitung berührt direkt den Diepad, erstreckt sich von einer ersten Seitenwand des Verkapselungsmaterials weg und biegt sich zu einer Unterseite des Verkapselungsmaterials hin. Eine zweite Leitung ist elektrisch mit einem Anschluss des Halbleiterdie verbunden, erstreckt sich von einer zweiten Seitenwand des Verkapselungsmaterials weg und biegt sich zur Unterseite des Verkapselungsmaterials hin. Ein erster Seitenabschnitt der ersten Leitung, der die erste Seitenwand schneidet, ist vertikal versetzt von einem zweiten Seitenabschnitt der zweiten Leitung, der die zweite Seitenwand schneidet.

    MEHRZWEIG-ANSCHLUSS FÜR EINHEIT MIT INTEGRIERTER SCHALTUNG (IC)

    公开(公告)号:DE102019118795B4

    公开(公告)日:2025-02-13

    申请号:DE102019118795

    申请日:2019-07-11

    Abstract: Einheit für integrierte Schaltungen, IC-Einheit, (300) umfassend:einen Chip (230);einen ersten Anschluss (110-1, 220-2), der über einen ersten Draht (225-2) mit dem Chip (230) verbunden ist;einen zweiten Anschluss (110-2, 220-3), der über einen zweiten Draht (225-4) mit dem Chip (230) verbunden ist; undeinen Mehrzweig-Anschluss (110-3, 210), umfassend:einen ersten Zweig (120-2), der eine aktive Verbindung zu dem Chip (230) aufweist,einen zweiten Zweig (120-3), der eine passive Verbindung mit dem zweiten Anschluss (110-2, 220-3) aufweist, undeinen dritten Zweig (120-1), der als Teil einer Trägerstruktur der IC-Einheit (105) ausgebildet ist;wobei der erste und der zweite Zweig (120-2, 120-3) jeweils eine mit dem dritten Zweig (102-1) verbundene Basis sowie ein von dem dritten Zweig (120-1) durch einen Spalt beabstandetes Ende aufweisen.

    HALBLEITERGEHÄUSE MIT LEITFÄHIGEM CLIP MIT MEHREREN EBENEN ZUR KÜHLUNG DER OBERSEITE

    公开(公告)号:DE102020111652A1

    公开(公告)日:2020-11-05

    申请号:DE102020111652

    申请日:2020-04-29

    Abstract: Ein Halbleitergehäuse enthält ein Die-Pad mit einer Chipbefestigungsfläche, einen Halbleiterchip, der auf der Chipbefestigungsfläche montiert ist und ein erstes Bondpad an einer oberen Fläche aufweist, die von der Chipbefestigungsfläche weg weist, einen Verbindungsclip mit einem ersten Segment, das zumindest teilweise eine zentrale Öffnung umschließt, einem zweiten Segment, das von dem ersten Segment vertikal versetzt und beabstandet ist, und einem Halter, der sich zwischen dem ersten Segment und dem zweiten Segment erstreckt. Das Gehäuse enthält ferner eine elektrisch isolierende Verkapselung, die den Halbleiterchip bedeckt. Eine obere Fläche des ersten Segments des Verbindungsclips ist an einer ebenen Fläche der Verkapselung freiliegend. Eine untere Fläche des zweiten Segments liegt bündig an der oberen Fläche des Halbleiterchips an und ist leitend mit dem ersten Bondpad verbunden.

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