公开(公告)号：DE102017110969A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017110969

申请日：2017-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  FELDRAPP KARLHEINZ ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  STRENGER CHRISTIAN ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) aus einem Halbleitermaterial mit großer Bandlücke erstrecken. Die Graben-Gatestrukturen (150) trennen Mesabereiche (190) des Halbleiterkörpers (100) voneinander. In den Mesabereichen (190) bilden Bodygebiete (120) erste pn-Übergänge (pn1) mit einer Drainstruktur (130) und grenzen direkt an erste Mesa-Seitenwände (191). Sourcegebiete (110) in den Mesabereichen (190) bilden zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodygebieten (120), wobei die Bodygebiete (120) die Sourcegebiete (110) von der Drainstruktur (130) trennen. Die Sourcegebiete (110) grenzen direkt an die ersten Mesa-Seitenwände (191) und den ersten Mesa-Seitenwänden (191) gegenüberliegende zweite Mesa-Seitenwände (192).