公开(公告)号：DE102018127797A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：DE102018127797

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSE FLORIAN ,  ENGLERT BARBARA ,  BERGNER WOLFGANG ,  STRENGER CHRISTIAN ,  BAIER AXEL SASCHA

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Körper (100) umfasst eine Driftstruktur (130) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, ein Bodygebiet (120) und ein Abschirmgebiet (140). Das Bodygebiet (120) und das Abschirmgebiet (140) weisen einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf und sind zwischen der Driftstruktur (130) und einer ersten Oberfläche (101) des Siliziumcarbid-Körpers (100) gelegen. Ein erster und ein zweiter Graben-Gatestreifen (150) erstrecken sich in den Siliziumcarbid-Körper (100). Das Bodygebiet (120) ist mit einer ersten Seitenwand (151) des ersten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt. Das Abschirmgebiet (140) ist mit einer zweiten Seitenwand (152) des zweiten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt. Die zweite Seitenwand (152) hat eine erste Länge (L1) in einer laterlaen ersten Richtung (291) parallel zur ersten Oberfläche (101). Ein Ergänzungsgebiet (170) des ersten Leitfähigkeitstyps ist mit einer oder mehreren Grenzflächenzonen (175) der zweiten Seitenwand (152) in Kontakt. Die eine oder mehreren Grenzflächenzonen (175) haben eine kombinierte zweite Länge (L2+ L2+ ... + L2) entlang der ersten Richtung (291) . Die zweite Länge (L2) beträgt höchstens 40 % der ersten Länge (L1) .

公开(公告)号：DE102017110969A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017110969

申请日：2017-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  FELDRAPP KARLHEINZ ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  STRENGER CHRISTIAN ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) aus einem Halbleitermaterial mit großer Bandlücke erstrecken. Die Graben-Gatestrukturen (150) trennen Mesabereiche (190) des Halbleiterkörpers (100) voneinander. In den Mesabereichen (190) bilden Bodygebiete (120) erste pn-Übergänge (pn1) mit einer Drainstruktur (130) und grenzen direkt an erste Mesa-Seitenwände (191). Sourcegebiete (110) in den Mesabereichen (190) bilden zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodygebieten (120), wobei die Bodygebiete (120) die Sourcegebiete (110) von der Drainstruktur (130) trennen. Die Sourcegebiete (110) grenzen direkt an die ersten Mesa-Seitenwände (191) und den ersten Mesa-Seitenwänden (191) gegenüberliegende zweite Mesa-Seitenwände (192).

公开(公告)号：DE102018127797B4

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102018127797

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSE FLORIAN ,  ENGLERT BARBARA ,  BERGNER WOLFGANG ,  STRENGER CHRISTIAN ,  BAIER AXEL SASCHA

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/49

Abstract: Halbleitervorrichtung, aufweisend:einen Siliziumcarbid-Körper (100), der eine Driftstruktur (130) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, ein Bodygebiet (120) und ein Abschirmgebiet (140) aufweist, wobei das Bodygebiet (120) und das Abschirmgebiet (140) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen und zwischen der Driftstruktur (130) und einer ersten Oberfläche (101) des Siliziumcarbid-Körpers (100) gelegen sind;einen ersten und einen zweiten Graben-Gatestreifen (150), die sich in den Siliziumcarbid-Körper (100) erstrecken, wobei das Bodygebiet (120) mit einer ersten Seitenwand (151) des ersten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt ist und das Abschirmgebiet (140) mit einer zweiten Seitenwand (152) des zweiten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt ist; wobei die zweite Seitenwand (152) eine erste Länge (L1) in einer ersten Richtung (291) parallel zur ersten Oberfläche (101) aufweist; undein Ergänzungsgebiet (170) des ersten Leitfähigkeitstyps, wobei das Ergänzungsgebiet (170) mit einer oder mehreren Grenzflächenzonen (175) der zweiten Seitenwand (152) in Kontakt ist,wobei die eine oder mehreren Grenzflächenzonen (175) eine kombinierte zweite Länge (L21+ L22+ ... + L2n) entlang der ersten Richtung (291) aufweisen, wobei die zweite Länge (L2) höchstens 40% der ersten Länge (L1) beträgt.