Abstract:
The invention relates to a power module (3) and a method for producing the same. Said power module (3) comprises a first substrate (1) which is provided with power semiconductor chips (4) and a second substrate (2) which is fitted with signal semiconductor chips (5). Said substrates (1) and (2) are aligned one above the other in a parallel manner, their component sides (7) and (8) being arranged in relation to each other. The second substrate (2) is held at a defined distance (d) from the first substrate (1) by means of contacting wire (9) which is bent in the form of a hinge, and is mechanically fixed and electrically connected in a plastic housing (18).
Abstract:
Elektronisches Modul, das Folgendes aufweist:einen ersten Carrier;einen elektronischen Chip, der mindestens eine elektronische Komponente aufweist und auf dem ersten Carrier angeordnet ist;ein Spacerelement, das auf dem elektronischen Chip angeordnet und in wärmeleitfähiger Verbindung mit der mindestens einen elektronischen Komponente ist;einen zweiten Carrier, der auf dem Spacerelement angeordnet ist; undeine Formmasse, die den elektronischen Chip und das Spacerelement mindestens teilweise einschließt;wobei das Spacerelement ein Material mit einem Wert eines Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist,der mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Formmasse abgeglichen ist undder mit mindestens einem Wärmeausdehnungskoeffizienten abgeglichen ist, der aus der Gruppe von Wärmeausdehnungskoeffizienten ausgewählt ist, die aus Folgendem besteht:einem Wärmeausdehnungskoeffizienten des ersten Carriers,einem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zweiten Carriers undeinem Wärmeausdehnungskoeffizienten des elektronischen Chips;wobei der Wärmeausdehnungskoeffizient des Spacermaterials im Bereich von 7 ppm/K und 15 ppm/K ist.
Abstract:
Ein Leistungsmodul (100), das einen Halbleiterchip (102), mindestens eine Kühlplatte (120) mit mindestens einem Kühlkanal (104), thermisch mit dem Halbleiterchip (102) gekoppelt und so konfiguriert, dass ein Kühlmittel durch den mindestens einen Kühlkanal (104) leitbar ist, und ein Kapselungsmittel (108) umfasst, das mindestens einen Anteil des Halbleiterchips (102) und einen Anteil des mindestens einen Kühlkanals (104) kapselt, wobei mindestens ein Anteil einer Hauptoberfläche der Kühlplatte (120) einen Anteil einer externen Oberfläche des Leistungsmoduls (100) bildet.
Abstract:
Das Halbleiterchipgehäuse umfasst einen Träger, mehrere auf dem Träger angeordnete Halbleiterchips, eine oberhalb der Halbleiterchips angeordnete erste Verkapselungsschicht, eine oberhalb der ersten Verkapselungsschicht angeordnete Metallisierungsschicht, wobei die Metallisierungsschicht mehrere erste metallische Bereiche umfasst, die elektrische Verbindungen zwischen ausgewählten der Halbleiterchips bilden, eine oberhalb der Lötstoppschicht angeordnete zweite Verkapselungsschicht und mehrere externe Anschlüsse, wobei jeder der externen Anschlüsse mit einem der ersten metallischen Bereiche verbunden ist und sich auswärts durch eine Oberfläche der zweiten Verkapselungsschicht hindurch erstreckt.
Abstract:
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform wird ein Leistungsmodul vorgesehen, welches umfasst: einen Halbleiterchip, ein Bondsubstrat mit einer elektrisch leitfähigen Platte und einer elektrischen Isolatorplatte, die direkt an der elektrisch leitfähigen Platte angebracht ist und die mit dem Halbleiterchip thermisch gekoppelt ist, und eine Anordnung von Kühlstrukturen, die direkt an der elektrisch leitfähigen Platte angebracht und zum Abführen von Wärme aus dem Halbleiterchip ausgelegt ist, wenn sie mit Kühlfluid in Wechselwirkung tritt.
Abstract:
A power module has a circuit carrier that, on its upper side is coated with a structured metal layer and mounted with power components. The power components are driven by flat conductors, the inner flat-conductor ends of which interact, via thermocompression heads, with contact-connection surfaces, while the outer flat-conductor ends project out of the housing of the power module. A process is described for producing the power module.
Abstract:
Ein Chipträger (100), der eine wärmeleitfähige und elektrisch isolierende Sheet-Struktur (102), eine erste elektrisch leitfähige Struktur (104) auf einer ersten Hauptfläche der Sheet-Struktur (102) und eine zweite elektrisch leitfähige Struktur (106) auf einer zweiten Hauptfläche der Sheet-Struktur (102) umfasst, wobei die erste elektrisch leitfähige Struktur (104) und die zweite elektrisch leitfähige Struktur (106) über einen Seitenrand der Sheet-Struktur (102) hinausragen.
Abstract:
Verschiedene Ausführungsformen stellen ein elektronisches Modul bereit, umfassend einen Interposer, umfassend einen Fluidkanal, ausgebildet in einem elektrisch isolierenden Material, und eine elektrisch leitfähige strukturierte Schicht; mindestens einen elektronischen Chip, der an der elektrisch leitfähigen strukturierten Schicht befestigt ist und in thermischem Kontakt mit dem Fluidkanal steht; und eine gemoldete Kapselung, die mindestens teilweise um den einen elektronischen Chip herum ausgebildet ist, wobei die elektrisch leitfähige strukturierte Schicht direkt auf dem elektrisch isolierenden Material gebildet ist.
Abstract:
Es wird eine Chip-Anordnung bereitgestellt, die einen Träger (404, 4041, 4042); mindestens einen Chip (4061, 4062), der elektrisch an eine Trägeroberseite (6141, 6142) angeschlossen ist; ein Einkapselungsmaterial (948), das zumindest teilweise den mindestens einen Chip (4061, 4062) und die Trägeroberseite (6141, 6142) umgibt, wobei das Einkapselungsmaterial (948) an einer oder mehreren lateralen Seite(n) des Trägers (404, 4041, 4042) gebildet ist; und ein keramisches Material (966), das auf einer Trägerbodenseite (616) und an mindestens einer Seite (968, 972) des Einkapselungsmaterials (948) gebildet ist, enthält.