公开(公告)号：DE102018204764A1

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：DE102018204764

申请日：2018-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHARF THORSTEN ,  BEMMERL THOMAS ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  GRUBER MARTIN ,  JÜRSS MICHAEL ,  MEYER THORSTEN ,  OTREMBA RALF ,  SCHLÖGEL XAVER

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36

Abstract: Ein Halbleiter-Packagesystem umfasst ein Halbleiter-Package und eine Kappe. Das Halbleiter-Package umfasst ein Die-Pad, einen auf einer ersten Hauptfläche des Die-Pads montierten oder angeordneten Chip und einen den Chip und das Die-Pad verkapselnden Verkapselungskörper. Die Kappe bedeckt zumindest teilweise eine freiliegende zweite Hauptfläche des Die-Pads. Die Kappe umfasst einen Kappenkörper aus einem elektrisch isolierenden und wärmeleitenden Material und ein Fixiersystem, dass die Kappe an dem Halbleiter-Package fixiert. Das Fixiersystem erstreckt sich von dem Kappenkörper zu dem Verkapselungskörper oder entlang einer Seitenfläche des Halbleiter-Packages.

公开(公告)号：DE102014115770A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014115770

申请日：2014-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK PAUL ,  JÜRSS MICHAEL ,  CHIONG YONG TAY ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Verbindung eines Substrats bereitgestellt, wobei das Substrat eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfassen kann. Das Verfahren kann das Bilden mindestens eines Vorsprungs auf der ersten Hauptfläche des Substrats; Bilden eines Fixiermittels über der ersten Hauptfläche des Substrats und über dem mindestens einen Vorsprung und Anordnen des Substrats auf einem Träger umfassen. Der mindestens eine Vorsprung kann eine Oberfläche des Trägers berühren und so ausgelegt sein, dass er die erste Hauptfläche des Substrats in einem Abstand zur Berührungsfläche des Trägers hält, der einer Höhe des Vorsprungs entspricht, um dadurch einen Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger zu bilden. Während des Anordnens des Substrats auf dem Träger kann wenigstens ein Teil des über dem mindestens einen Vorsprung ausgebildeten Fixiermittels in den Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger verdrängt werden.

公开(公告)号：DE102014115770B4

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102014115770

申请日：2014-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK PAUL ,  JÜRSS MICHAEL ,  CHIONG YONG TAY ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Verfahren zur Verbindung eines Substrats, wobei das Substrat ein Wafer ist und eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfasst, umfassend: Bilden mindestens eines Vorsprungs auf der ersten Hauptfläche des Substrats, aufweisend ein Bilden einer Struktur, die eine Mehrzahl von Wänden aufweist, auf der ersten Hauptfläche des Substrats, wobei die Mehrzahl von Wänden mindestens eine Vertiefung dazwischen definiert und wobei die Wände in Schnittregionen des Substrats gebildet werden; Bilden eines Fixiermittels über der ersten Hauptfläche des Substrats und über dem mindestens einen Vorsprung; Trennen des Substrats in einzelne Chips vor dem Anordnen des Substrats auf einem Träger; und Anordnen des Substrats auf dem Träger, wobei der mindestens eine Vorsprung eine Oberfläche des Trägers berührt und so ausgelegt ist, dass er die erste Hauptfläche des Substrats in einem Abstand zu einer Berührungsfläche des Trägers hält, der einer Höhe des Vorsprungs entspricht, um dadurch einen Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger zu bilden; wobei während des Anordnens des Substrats auf dem Träger wenigstens ein Teil des über dem mindestens einen Vorsprung ausgebildeten Fixiermittels in den Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger verdrängt wird.

公开(公告)号：DE102009000541B4

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：DE102009000541

申请日：2009-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  HEINRICH ALEXANDER ,  JÜRSS MICHAEL ,  HABLE WOLFRAM

IPC: C23F17/00

Abstract: Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrauigkeit einer metallischen Oberfläche (11) eines Körpers (5, 10, 21, 22) mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Körpers (5, 10, 21, 22), der eine metallische Oberfläche (11) mit Erhöhungen (12) und Vertiefungen (13) aufweist; Aufbringen eines metallischen Füllmaterials (16) auf die Oberfläche (11), wobei vor dem Aufbringen des metallischen Füllmaterials (16) im Bereich der Erhöhungen (12), nicht jedoch im Bereich der Vertiefungen (13) ein Mittel (15) auf die Oberfläche (11) aufgetragen wird, welches polare und/oder polarisierbare Moleküle aufweist und welches die Anhaftung des metallischen Füllmaterials (16) an der Oberfläche (11) im Bereich des Auftrags verhindert oder zumindest verringert, wobei das Auftragen des Mittels (15) im Bereich der Erhöhungen (12) durch Anlegen einer hohen elektrischen Spannung an die Oberfläche (11) erfolgt.