公开(公告)号：DE102009033594A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE102009033594

申请日：2009-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  JUERSS MICHAEL ,  LANDAU STEFAN

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: A semiconductor device includes a carrier, a chip attached to the carrier, a sealant vapor deposited over the chip and the carrier, and encapsulation material deposited over the sealed chip and the sealed carrier.

公开(公告)号：DE102016106137A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE102016106137

申请日：2016-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  DÖPKE HOLGER ,  HOHLFELD OLAF ,  JUERSS MICHAEL

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07

Abstract: Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Trägers, das Anordnen mindestens eines Halbleiterchips auf dem Träger, wobei der Halbleiterchip mindestens ein Kontaktpad auf einer Hauptseite umfasst, das Aufbringen eines Kontaktelements auf dem Kontaktpad, das Aufbringen einer dielektrischen Schicht auf dem Träger, dem Halbleiterchip und dem Kontaktelement, und das Aufbringen eines Kapselungsmaterials auf der dielektrischen Schicht.

公开(公告)号：DE102012111654A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102012111654

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JUERSS MICHAEL ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER ,  GOH KOK CHAI ,  SCHMIDT TOBIAS ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58

Abstract: Das elektronische Bauelement enthält einen Träger, ein an dem Träger angebrachtes Halbleiter-Substrat und ein zwischen dem Halbleiter-Substrat und dem Träger angeordnetes Schichtsystem. Das Schichtsystem enthält eine auf dem Halbleiter-Substrat angeordnete elektrische Kontaktschicht. Eine Funktionsschicht ist auf der elektrischen Kontaktschicht angeordnet. Eine Klebeschicht ist auf der Funktionsschicht angeordnet. Eine Lötschicht ist zwischen der Klebeschicht und dem Träger angeordnet.

公开(公告)号：DE102012111654B4

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102012111654

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  JUERSS MICHAEL ,  RÖSL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER ,  GOH KOK CHAI ,  SCHMIDT TOBIAS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58 ,  H01L23/482

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (10), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellung eines Halbleiter-Substrats (2);Abscheiden einer Einzelelementschicht aus Al direkt auf das Halbleiter-Substrat (2) zum Bilden einer elektrischen Kontaktschicht (3.1) auf dem Halbleiter-Substrat (2);Abscheiden von Ti oder einer Ti aufweisenden Legierung direkt auf die elektrische Kontaktschicht (3.1) zum Bilden einer Funktionsschicht (3.2);Abscheiden von Ni direkt auf die Funktionsschicht (3.2) zum Bilden einer Haftschicht (3.3);Abscheiden einer Einzelelementschicht aus Sn direkt auf die Haftschicht (3.3) zum Bilden einer Lötschicht (3.4);Abscheiden einer Schutzschicht (43.5) auf der Lötschicht (3.4); Bereitstellung eines Trägers (1, 41), wobei die Oberfläche des Trägers (1, 41) mit einer oder mehreren Metallschichten (41.1) beschichtet ist, und wobei die Metallschicht oder die oberste der mehreren Metallschichten (41.1) Ni als Grundmaterial umfasst; undBonden des Halbleiter-Substrats (2) auf den Träger (1, 41), wobei die Schutzschicht (43.5) die Metallschicht oder die oberste der mehreren Metallschichten (41.1) kontaktiert, bei einer Löttemperatur, die zu einer isothermen Erstarrung unter Bildung einer homogenen Schicht einer Legierungsphase aus Sn und Ni führt.

公开(公告)号：DE102018115509A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115509

申请日：2018-06-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  GRUBER MARTIN ,  JUERSS MICHAEL ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/28 ,  H01L23/373

Abstract: Eine Wärmedissipationsvorrichtung (100) weist einen ersten Teil (104) auf, welcher ein erstes Material aufweist und einen Oberflächenbereich (108) hat; und einen zweiten Teil (110) auf dem Oberflächenbereich, wobei der zweite Teil ein zweites Material aufweist; wobei der zweite Teil (110) eine Porosität hat.

公开(公告)号：DE102009000541A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：DE102009000541

申请日：2009-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  HEINRICH ALEXANDER ,  JUERSS MICHAEL ,  HABLE WOLFRAM

IPC: C23F17/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrauigkeit einer metallischen Oberfläche (11) eines Körpers (10). Hierzu wird ein Körper (10) bereitgestellt, der eine metallische Oberfläche (11) mit Erhöhungen (12) und Vertiefungen (13) aufweist. Auf die Oberfläche (11) wird ein metallisches Füllmaterial (16) aufgebracht, wobei vor dem Aufbringen des metallischen Füllmaterials (16) im Bereich der Erhöhungen (12), nicht jedoch im Bereich der Vertiefungen (13) ein Mittel (15) auf die Oberfläche (11) aufgetragen wird, welches die Anhaftung des metallischen Füllmaterials (16) an der Oberfläche (11) im Bereich des Auftrags verhindert oder zumindest verringert.