公开(公告)号：DE102011050934B4

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102011050934

申请日：2011-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: • Bereitstellen eines Werkstücks (200) mit einer ersten unteren Oberfläche (203) gegenüber einer oberen Oberfläche (202) mit einer an der oberen Oberfläche (202) angeordneten Schaltungsanordnung; und • Aussetzen der ersten unteren Oberfläche (203) des Werkstücks (200) einem Wasserstoffplasma, wobei das Wasserstoffplasma ein natives Oxid von der ersten unteren Oberfläche (203) entfernt, um eine zweite untere Oberfläche des Werkstücks (200) zu exponieren, und wobei ein quadratischer Mittelwert der Oberflächenrauheit der zweiten unteren Oberfläche unter 1 nm liegt, Abscheiden einer ersten Metallschicht (400) über der zweiten unteren Oberfläche des Werkstücks (200), wodurch auf der zweiten unteren Oberfläche des Werkstücks (200) eine Metallsilizidschicht (405) ausgebildet wird, wobei die Metallsilizidschicht (405) zwischen der ersten Metallschicht (400) und dem Werkstück (200) ausgebildet wird, • wobei die Metallsilizidschicht (405) eine Dicke von unter fünf Atomlagen aufweist.

公开(公告)号：DE102013113917B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102013113917

申请日：2013-12-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  MATOY KURT ,  SPORN MARTIN ,  HARRISON MARK

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: Verfahren zum Fertigen eines Schichtstapels auf einem Substrat, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Aufbringen einer ersten Ti-basierten Schicht auf einem Substrat;Aufbringen einer Al-basierten Zwischenschicht mit einer Dicke in einem Bereich von 30 nm bis 50 nm auf der ersten Schicht;Aufbringen einer zweiten NiV-basierten Schicht auf der Zwischenschicht;Aufbringen einer dritten Ag-basierten Schicht auf der zweiten Schicht; undTempern derart, dass mindestens eine intermetallische Phase zwischen mindestens zwei Metallen, die aus der aus Ti, Al, Ni und V bestehenden Gruppe ausgewählt sind, gebildet wird.

公开(公告)号：DE102016109166A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102016109166

申请日：2016-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARLOVSKY KAMIL ,  EHMANN MICHAEL ,  HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  PUGATSCHOW ANTON

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallschicht, die über einer Halbleiteroberfläche eines Substrats angeordnet ist, eine über der Kontaktmetallschicht angeordnete Diffusionssperrschicht, eine über der Diffusionssperrschicht angeordnete, inerte Schicht und eine über der inerten Schicht angeordnete Lötschicht.

公开(公告)号：DE102015110957A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：DE102015110957

申请日：2015-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  SPORN MARTIN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: Ein Verfahren für ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung enthält das Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das eine Unterseite entgegengesetzt einer Oberseite aufweist, wobei eine Schaltungsanordnung an der Oberseite angeordnet ist. Das Verfahren enthält ferner das Bilden einer ersten Metallschicht, die ein erstes Metall aufweist, über der Unterseite des Halbleitersubstrats. Die erste Metallschicht wird durch Aufbringen eines Adhäsionspromoters, gefolgt von dem ersten Metall gebildet.

公开(公告)号：DE102013113917A1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：DE102013113917

申请日：2013-12-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  MATOY KURT ,  SPORN MARTIN ,  HARRISON MARK

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: In einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf dem Substrat eine erste Ti-basierte Schicht aufgebracht. Eine Al-basierte Zwischenschicht wird auf der ersten Schicht aufgebracht, eine zweite NiV-basierte Schicht wird auf der Zwischenschicht aufgebracht, und eine dritte Ag-basierte Schicht wird auf der zweiten Schicht aufgebracht. Der Schichtstapel wird derart getempert, dass mindestens eine intermetallische Phase zwischen mindestens zwei Metallen der Ti, Al, Ni und V enthaltenden Gruppe gebildet wird.

公开(公告)号：DE102011053302A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011053302

申请日：2011-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  PUGATSCHOW ANTON ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L23/488

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Schichtstapel bereitgestellt. Der Schichtstapel kann aufweisen: einen Träger; ein erstes Metall, das auf oder über dem Träger angeordnet ist; ein zweites Metall, das auf oder über dem ersten Metall angeordnet ist; und ein Lötmaterial, das auf oder über dem zweiten Metall angeordnet ist, oder ein Material, das einen Kontakt bereitstellt zu einem Lötmaterial, das von einer externen Quelle zugeführt wird. Das zweite Metall kann eine Schmelztemperatur von mindestens 1800°C haben und ist während eines Lötprozesses und/oder nach dem Lötprozess nicht oder im Wesentlichen nicht in dem Lötmaterial gelöst.

公开(公告)号：DE102011050934A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102011050934

申请日：2011-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein Werkstück (200) mit einer unteren Oberfläche (202) gegenüber der oberen Oberfläche (203). Metallisierungsschichten werden über der oberen Oberfläche (203) abgeschieden, und eine Schutzschicht wird über den Metallisierungsschichten abgeschieden. Das Halbleiterbauelement enthält weiterhin eine auf der unteren Oberfläche (202) abgeschiedene Metallsilizidschicht (405). Die Metallsilizidschicht (405) besitzt eine Dicke von unter etwa fünf Atomlagen. Eine Metallschicht (400) wird derart über der Metallsilizidschicht (405) abgeschieden, dass ein Metall der ersten Metallschicht (400) das Gleiche ist wie ein Metall der Metallsilizidschicht (405).