公开(公告)号：DE102015100863B4

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102015100863

申请日：2015-01-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÄCHTER CLAUS VON ,  PORWOL DANIEL ,  DÖPKE HOLGER ,  MEYER-BERG GEORG ,  MAIER DOMINIC ,  SCHMIDT TOBIAS ,  BAUER MICHAEL

IPC: H01L21/683 ,  B32B37/26 ,  H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats (100), wobei das Verfahren umfasst:Verkleben eines Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) durch- Aufbringen einer Schicht aus einem permanenten Klebstoff (106) auf eine Oberfläche des Trägers (104);- Bereitstellen einer strukturierten Zwischenschicht (108);- Verkleben des Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) unter Verwendung des aufgebrachten permanenten Klebstoffs (106), wodurch die strukturierte Zwischenschicht (108) zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) angeordnet ist, wobei eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht (108) und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs (106) in direktem Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats (100) sind, und wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) verringert, und wobei das Produktsubstrat (100) entlang Sägelinien (112) geschnitten wird, und die Zwischenschicht (108) strukturiert ist, um mit dem Produktsubstrat (100) im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu sein.

公开(公告)号：DE102016117826A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102016117826

申请日：2016-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK PAUL ,  SEIFERT JOACHIM ,  SCHMIDT TOBIAS ,  GRAETZ ERIC ,  ADEMA GRETCHEN ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  EHMANN MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  BERTAUD THOMAS ,  KARLOVSKY KAMIL ,  WOEHLERT STEFAN ,  WAGNER FRANK ERIC

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Es werden eine elektronische Vorrichtung, ein die elektronische Vorrichtung umfassendes Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung dieser gezeigt. Die elektronische Vorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und einen auf dem Halbleitersubstrat angeordneten Metallstapel, wobei der Metallstapel eine erste Schicht umfasst, wobei die erste Schicht NiSi umfasst.

公开(公告)号：DE102012111654B4

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102012111654

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  JUERSS MICHAEL ,  RÖSL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER ,  GOH KOK CHAI ,  SCHMIDT TOBIAS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58 ,  H01L23/482

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (10), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellung eines Halbleiter-Substrats (2);Abscheiden einer Einzelelementschicht aus Al direkt auf das Halbleiter-Substrat (2) zum Bilden einer elektrischen Kontaktschicht (3.1) auf dem Halbleiter-Substrat (2);Abscheiden von Ti oder einer Ti aufweisenden Legierung direkt auf die elektrische Kontaktschicht (3.1) zum Bilden einer Funktionsschicht (3.2);Abscheiden von Ni direkt auf die Funktionsschicht (3.2) zum Bilden einer Haftschicht (3.3);Abscheiden einer Einzelelementschicht aus Sn direkt auf die Haftschicht (3.3) zum Bilden einer Lötschicht (3.4);Abscheiden einer Schutzschicht (43.5) auf der Lötschicht (3.4); Bereitstellung eines Trägers (1, 41), wobei die Oberfläche des Trägers (1, 41) mit einer oder mehreren Metallschichten (41.1) beschichtet ist, und wobei die Metallschicht oder die oberste der mehreren Metallschichten (41.1) Ni als Grundmaterial umfasst; undBonden des Halbleiter-Substrats (2) auf den Träger (1, 41), wobei die Schutzschicht (43.5) die Metallschicht oder die oberste der mehreren Metallschichten (41.1) kontaktiert, bei einer Löttemperatur, die zu einer isothermen Erstarrung unter Bildung einer homogenen Schicht einer Legierungsphase aus Sn und Ni führt.

公开(公告)号：DE102015100863A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100863

申请日：2015-01-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÄCHTER CLAUS VON ,  PORWOL DANIEL ,  DÖPKE HOLGER ,  MEYER-BERG GEORG ,  MAIER DOMINIC ,  SCHMIDT TOBIAS ,  BAUER MICHAEL

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats schließt das Verkleben eines Trägers mit dem Produktsubstrat ein. Eine Schicht aus einem permanenten Klebstoff wird auf eine Oberfläche des Trägers aufgebracht. Eine strukturierte Zwischenschicht wird vorgesehen. Der aufgebrachte permanente Klebstoff verbindet den Träger mit dem Produktsubstrat. Die strukturierte Zwischenschicht ist zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger vorgesehen. Eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs befinden sich im direkten Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats. Die strukturierte Zwischenschicht verringert die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger.

公开(公告)号：DE102014107557A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102014107557

申请日：2014-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  FISCHER THOMAS ,  GISSIBL ANJA ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STRANZL GUDRUN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  WENDT HERMANN

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks wird bereitgestellt, welches möglicherweise Folgendes beinhaltet: Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks, das einen Metallisierungsschichtstapel, der an einer Seite des Halbleiterwerkstücks angeordnet ist, beinhaltet, wobei der Metallisierungsschichtstapel mindestens eine erste Schicht und eine zweite Schicht, die über der ersten Schicht angeordnet ist, beinhaltet, wobei die erste Schicht ein erstes Material enthält und die zweite Schicht ein zweites Material, das anders geartet ist als das erste Material, enthält (102); Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels, wobei Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels Nassätzen der ersten Schicht und der zweiten Schicht mittels einer Ätzlösung, die mindestens im Wesentlichen die gleiche Ätzrate für das erste Material und das zweite Material aufweist (104), beinhaltet.

公开(公告)号：DE102011053302A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011053302

申请日：2011-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  PUGATSCHOW ANTON ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L23/488

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Schichtstapel bereitgestellt. Der Schichtstapel kann aufweisen: einen Träger; ein erstes Metall, das auf oder über dem Träger angeordnet ist; ein zweites Metall, das auf oder über dem ersten Metall angeordnet ist; und ein Lötmaterial, das auf oder über dem zweiten Metall angeordnet ist, oder ein Material, das einen Kontakt bereitstellt zu einem Lötmaterial, das von einer externen Quelle zugeführt wird. Das zweite Metall kann eine Schmelztemperatur von mindestens 1800°C haben und ist während eines Lötprozesses und/oder nach dem Lötprozess nicht oder im Wesentlichen nicht in dem Lötmaterial gelöst.

公开(公告)号：DE102016117562A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：DE102016117562

申请日：2016-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN ,  SPORN MARTIN ,  SCHMIDT TOBIAS

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/302 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterchip enthält einen Körper mit einer Vorderseite, einer Rückseite gegenüber der Vorderseite, und Seitenwänden, die sich zwischen der Rückseite und Vorderseite erstrecken, wobei mindestens ein Abschnitt jeder Seitenwand eine definierte Oberflächenstruktur mit hydrophoben Charakteristika besitzt, um eine Bewegung eines Bondmaterials entlang den Seitenwänden während des Anbringens des Halbleiterchips an einem Träger mit dem Bondmaterial zu blockieren.

公开(公告)号：DE102015102535A1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：DE102015102535

申请日：2015-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÄCHTER CLAUS VON ,  PORWOL DANIEL ,  HÖCKELE UWE ,  DÖPKE HOLGER ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  ALTSCHAEFFL CHRISTIAN ,  SCHMIDT TOBIAS ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  SCHWEIGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verbundsystem weist einen rekonstituierten Wafer mit einem hygroskopischen Material auf. Eine Feuchtigkeitssperrschicht ist über einer Oberfläche des rekonstituierten Wafers angeordnet. Eine Haftschicht ist über einer dem rekonstituierten Wafer gegenüberliegenden Oberfläche der Feuchtigkeitssperre angeordnet. Ein Träger ist über einer der Feuchtigkeitssperre gegenüberliegenden Oberfläche der Haftschicht angeordnet. Die Haftschicht verbindet den rekonstituierten Wafer haftend mit dem Träger.

公开(公告)号：DE102012111654A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102012111654

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JUERSS MICHAEL ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER ,  GOH KOK CHAI ,  SCHMIDT TOBIAS ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58

Abstract: Das elektronische Bauelement enthält einen Träger, ein an dem Träger angebrachtes Halbleiter-Substrat und ein zwischen dem Halbleiter-Substrat und dem Träger angeordnetes Schichtsystem. Das Schichtsystem enthält eine auf dem Halbleiter-Substrat angeordnete elektrische Kontaktschicht. Eine Funktionsschicht ist auf der elektrischen Kontaktschicht angeordnet. Eine Klebeschicht ist auf der Funktionsschicht angeordnet. Eine Lötschicht ist zwischen der Klebeschicht und dem Träger angeordnet.