公开(公告)号：DE102014118080B4

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：DE102014118080

申请日：2014-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  FACHMANN CHRISTIAN ,  SCHIESS KLAUS ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56 ,  H01L23/42 ,  H01L23/498

Abstract: Elektronisches Modul (200), mit:einem Halbleitergehäuse (10) mit einem Chipträger (50) und einem auf dem Chipträger (50) angebrachten Halbleiterchip (12) ;einem Wärmespreizer (20), der außerhalb des Halbleitergehäuses (10) angeordnet ist und der derart an dem Chipträger (50) des Halbleitergehäuses (10) befestigt ist, dass der Chipträger (50) elektrisch mit dem Wärmespreizer (20) verbunden ist, wobei der Wärmespreizer (20) plattenförmig ausgestaltet ist und zwischen dem Wärmespreizer (20) und dem Chipträger (50) eine wärmeleitende Schicht (40) angeordnet ist; undeiner elektrisch isolierenden Schicht (30), die auf dem Wärmespreizer (20) entfernt von dem Halbleitergehäuse (10) derart angeordnet ist, dass die elektrisch isolierende Schicht (30) bis auf eine auf einer Hauptseite des Wärmespreizers (20) befindliche Öffnung vollständig auf dem Wärmespreizer (20) aufgebracht ist und dass die wärmeleitende Schicht (40) in die Öffnung der isolierenden Schicht (30) eingefügt ist.

公开(公告)号：DE102011050934B4

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102011050934

申请日：2011-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: • Bereitstellen eines Werkstücks (200) mit einer ersten unteren Oberfläche (203) gegenüber einer oberen Oberfläche (202) mit einer an der oberen Oberfläche (202) angeordneten Schaltungsanordnung; und • Aussetzen der ersten unteren Oberfläche (203) des Werkstücks (200) einem Wasserstoffplasma, wobei das Wasserstoffplasma ein natives Oxid von der ersten unteren Oberfläche (203) entfernt, um eine zweite untere Oberfläche des Werkstücks (200) zu exponieren, und wobei ein quadratischer Mittelwert der Oberflächenrauheit der zweiten unteren Oberfläche unter 1 nm liegt, Abscheiden einer ersten Metallschicht (400) über der zweiten unteren Oberfläche des Werkstücks (200), wodurch auf der zweiten unteren Oberfläche des Werkstücks (200) eine Metallsilizidschicht (405) ausgebildet wird, wobei die Metallsilizidschicht (405) zwischen der ersten Metallschicht (400) und dem Werkstück (200) ausgebildet wird, • wobei die Metallsilizidschicht (405) eine Dicke von unter fünf Atomlagen aufweist.

公开(公告)号：DE102011050934A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102011050934

申请日：2011-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein Werkstück (200) mit einer unteren Oberfläche (202) gegenüber der oberen Oberfläche (203). Metallisierungsschichten werden über der oberen Oberfläche (203) abgeschieden, und eine Schutzschicht wird über den Metallisierungsschichten abgeschieden. Das Halbleiterbauelement enthält weiterhin eine auf der unteren Oberfläche (202) abgeschiedene Metallsilizidschicht (405). Die Metallsilizidschicht (405) besitzt eine Dicke von unter etwa fünf Atomlagen. Eine Metallschicht (400) wird derart über der Metallsilizidschicht (405) abgeschieden, dass ein Metall der ersten Metallschicht (400) das Gleiche ist wie ein Metall der Metallsilizidschicht (405).

公开(公告)号：DE102014118080A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014118080

申请日：2014-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  FACHMANN CHRISTIAN ,  SCHIESS KLAUS ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/498

Abstract: Ein elektronisches Modul kann ein Halbleitergehäuse, einen an dem Halbleitergehäuse befestigten Wärmespreizer und eine auf dem Wärmespreizer entfernt von dem Halbleitergehäuse angeordnete elektrisch isolierende Schicht aufweisen.

公开(公告)号：DE102011053302A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011053302

申请日：2011-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARRISON MARK ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  PUGATSCHOW ANTON ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STUECKLER FRANZ

IPC: H01L23/488

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Schichtstapel bereitgestellt. Der Schichtstapel kann aufweisen: einen Träger; ein erstes Metall, das auf oder über dem Träger angeordnet ist; ein zweites Metall, das auf oder über dem ersten Metall angeordnet ist; und ein Lötmaterial, das auf oder über dem zweiten Metall angeordnet ist, oder ein Material, das einen Kontakt bereitstellt zu einem Lötmaterial, das von einer externen Quelle zugeführt wird. Das zweite Metall kann eine Schmelztemperatur von mindestens 1800°C haben und ist während eines Lötprozesses und/oder nach dem Lötprozess nicht oder im Wesentlichen nicht in dem Lötmaterial gelöst.