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公开(公告)号:DE102018115957A1
公开(公告)日:2019-01-03
申请号:DE102018115957
申请日:2018-07-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: PAVIER MARK , HABLE WOLFRAM , KESSLER ANGELA , PUGATSCHOW ANTON , RIMBERT-RIVIERE CHARLES , SIELAFF MICHAEL , SOBKOWIAK MARCO
IPC: H01L21/48 , H01L23/14 , H01L21/50 , H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: Ein Package (100), das Folgendes aufweist: einen Chipträger (102), mindestens einen elektronischen Chip (104), der auf dem Chipträger (102) montiert ist, eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (106), die mit dem mindestens einen elektronischen Chip (104) elektrisch gekoppelt ist, und ein Verkapselungsmittel vom Moldtyp (108), das einen Teil der elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (106) und zumindest einen Teil des Chipträgers (102) und des mindestens einen elektronischen Chips (104) verkapselt, wobei der Chipträger (102) einen thermisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Kern (122) aufweist, der auf beiden gegenüberliegenden Hauptoberflächen davon zumindest teilweise durch eine jeweilige hartgelötete elektrisch leitfähige Schicht (124, 126) bedeckt ist.
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公开(公告)号:DE102016109166A1
公开(公告)日:2016-12-01
申请号:DE102016109166
申请日:2016-05-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KARLOVSKY KAMIL , EHMANN MICHAEL , HARRISON MARK , NAPETSCHNIG EVELYN , PUGATSCHOW ANTON
Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallschicht, die über einer Halbleiteroberfläche eines Substrats angeordnet ist, eine über der Kontaktmetallschicht angeordnete Diffusionssperrschicht, eine über der Diffusionssperrschicht angeordnete, inerte Schicht und eine über der inerten Schicht angeordnete Lötschicht.
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公开(公告)号:DE102011053302A1
公开(公告)日:2012-04-26
申请号:DE102011053302
申请日:2011-09-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HARRISON MARK , NAPETSCHNIG EVELYN , PUGATSCHOW ANTON , SCHMIDT TOBIAS , STUECKLER FRANZ
IPC: H01L23/488
Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Schichtstapel bereitgestellt. Der Schichtstapel kann aufweisen: einen Träger; ein erstes Metall, das auf oder über dem Träger angeordnet ist; ein zweites Metall, das auf oder über dem ersten Metall angeordnet ist; und ein Lötmaterial, das auf oder über dem zweiten Metall angeordnet ist, oder ein Material, das einen Kontakt bereitstellt zu einem Lötmaterial, das von einer externen Quelle zugeführt wird. Das zweite Metall kann eine Schmelztemperatur von mindestens 1800°C haben und ist während eines Lötprozesses und/oder nach dem Lötprozess nicht oder im Wesentlichen nicht in dem Lötmaterial gelöst.
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