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公开(公告)号:DE102011056315B4
公开(公告)日:2018-03-22
申请号:DE102011056315
申请日:2011-12-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HEITZER LUDWIG , MEYER THORSTEN
IPC: H01L23/49 , H01L21/60 , H01L23/50 , H01L23/522
Abstract: Halbleiterbauelement (100, 200, 300), umfassend: eine Umverdrahtungsschicht, die über einem Chip (110, 320) oder über einem Chip (320) und einem Fan-Out-Gebiet (310) angeordnet ist, wobei die Umverdrahtungsschicht eine erste Umverdrahtungsleitung (150, 151, 152, 153) umfasst; eine Isolationsschicht (160), die über der Umverdrahtungsschicht angeordnet ist, wobei die Isolationsschicht (160) eine auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100, 200, 300) angeordnete erste Öffnung aufweist, die einen ersten Pad-Bereich (170, 171, 172, 173) ausbildet; und eine erste Zwischenverbindung (180, 181, 182, 183), die sich in der ersten Öffnung und in Kontakt mit der ersten Umverdrahtungsleitung (150, 151, 152, 153) befindet, wobei die erste Umverdrahtungsleitung in dem ersten Pad-Bereich (170, 171, 172, 173) orthogonal zu einer von der ersten Öffnung zum Mittelpunkt der Oberfläche des Halbleiterbauelements verlaufenden ersten Richtung (AR, AR1, AR2, AR3) angeordnet ist, und wobei die erste Umverdrahtungsleitung (150, 151, 152, 153) indem ersten Pad-Bereich (170, 171, 172, 173) nicht parallel zu einer Kante des Halbleiterbauelements verläuft.
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公开(公告)号:DE102006046851B4
公开(公告)日:2011-02-10
申请号:DE102006046851
申请日:2006-10-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BAUER MICHAEL , STUEMPFL CHRISTIAN , HEITZER LUDWIG
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/28 , H01L23/50
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公开(公告)号:DE102005048153B4
公开(公告)日:2010-08-05
申请号:DE102005048153
申请日:2005-10-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BAUER MICHAEL , STROBEL PETER , HEITZER LUDWIG , KUERZEL ERIC
IPC: H01L21/301
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公开(公告)号:DE102005043557A1
公开(公告)日:2006-09-28
申请号:DE102005043557
申请日:2005-09-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BRUNNBAUER MARKUS , FUERGUT EDWARD , POHL JENS , BAUER MICHAEL , HEITZER LUDWIG
IPC: H01L23/50 , H01L21/50 , H01L25/065
Abstract: Device has a through contact (2) arranged in an end region (5) of the device. A semiconductor chip is partly embedded in a plastic frame ground (10). Contact surfaces (11) on an active topside of the chip stay in electrical communication with the contact, which is arranged in a prefabricated through contact flat rod (15). The rod is positioned in the end region, and exhibits a through opening (16) filled with metal. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor device that includes a through contact.
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公开(公告)号:DE102014115882B3
公开(公告)日:2016-02-25
申请号:DE102014115882
申请日:2014-10-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BAUER MICHAEL , HEITZER LUDWIG , STUEMPFL CHRISTIAN
IPC: H01L23/485 , H01L21/58
Abstract: Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Halbleiter-Die, wobei der Halbleiter-Die eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche und mindestens ein elektrisches Kontaktelement auf der ersten Hauptfläche umfasst, das Aufbringen einer Isolierschicht auf der zweiten Hauptfläche des Halbleiter-Die, das Aufbringen einer Interconnect-Lotschicht auf der Isolierschicht und das Anbringen des Halbleiter-Die mit der Interconnect-Lotschicht an einem Träger.
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公开(公告)号:DE102011000836A1
公开(公告)日:2011-08-25
申请号:DE102011000836
申请日:2011-02-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MEYER THORSTEN , HEITZER LUDWIG , MAIER DOMINIC
Abstract: Ein Bauelement (100) umfasst einen Halbleiterchip (10), der auf einer ersten Hauptseite (12) angeordnete Kontaktstellen (11) aufweist. Ein Material (13) mit einer Bruchdehnung von mehr als 35% bedeckt die erste Hauptseite (12) des Halbleiterchips (10). Ein Einkapselungskörper (14) bedeckt den Halbleiterchip (10). Eine Metallschicht (15) ist elektrisch mit den Kontaktstellen (11) des Halbleiterchips (10) gekoppelt und erstreckt sich über den Einkapselungskörper (14).
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公开(公告)号:DE102006001602A1
公开(公告)日:2007-05-24
申请号:DE102006001602
申请日:2006-01-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BAUER MICHAEL , STROBEL PETER , POHL JENS , STUEMPFL CHRISTIAN , HEITZER LUDWIG
IPC: H01L23/498 , H01L23/50
Abstract: Semiconductor component comprises a wiring substrate (2) with bond surfaces (5) and a chip on an island where there is a metal layer structure (15) comprises a copper base layer (10) facing the wiring substrate and a noble metal cover layer (12) facing the chip with an intermediate layer (11) of nickel or nickel alloy. The intermediate layer facing the cover layer has a surface roughness of 0.1-3 mu m : An independent claim is also included for a production process for the above.
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公开(公告)号:DE102005048153A1
公开(公告)日:2007-04-19
申请号:DE102005048153
申请日:2005-10-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BAUER MICHAEL , STROBEL PETER , HEITZER LUDWIG , KUERZEL ERIC
IPC: H01L21/301
Abstract: A semiconductor device includes a semiconductor chip and an adhesive film between the back side of the semiconductor chip and a chip pad of a leadframe. The adhesive film includes a film core and adhesive layers that cover both sides of the film core. The film core includes a brittle, fragile hard material.
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公开(公告)号:DE102006044836B4
公开(公告)日:2012-08-30
申请号:DE102006044836
申请日:2006-09-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HEITZER LUDWIG , STUEMPFL CHRISTIAN , BAUER MICHAEL
IPC: H01L23/42 , H01L21/50 , H01L23/367 , H01L23/552 , H01L25/065
Abstract: Modul (400; 500; 600; 700; 800) umfassend – einen Träger (25), – ein auf dem Träger (25) angeordnetes erstes Bauelement (20) und ein zweites Bauelement (21), welche übereinander gestapelt sind, und – ein Wärmeableitungselement (22), welches zumindest teilweise zwischen dem ersten und dem zweiten Bauelement (20, 21) angeordnet ist und welches mindestens eine frei liegende Oberfläche (23) aufweist, wobei das erste Bauelement (20) und das zweite Bauelement (21) zumindest teilweise mit einem Vergussmaterial (24) umhüllt sind und die mindestens eine frei liegende Oberfläche (23) des Wärmeableitungselements (22) dazu vorgesehen ist, an eine Wärmesenke gekoppelt zu werden und wobei das Wärmeableitungselement (22) von dem Träger (25) thermisch entkoppelt ist.
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公开(公告)号:DE102006022067A1
公开(公告)日:2007-11-15
申请号:DE102006022067
申请日:2006-05-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HEITZER LUDWIG , STUEMPFL CHRISTIAN , BAUER MICHAEL
Abstract: The production of an electronic component with a semiconductor element (1) bonded and fastened on a substrate, comprises applying a structured gold layer (5) on the substrate surface, reversible spray coating of the semiconductor element and/or the substrate surface (2) with an adhesive structure from a hardening or curing component (3) and an electrically conductive, non-curing component (4), producing a border area section-wise coated with the curing component by a shadow panel, and central area section-wise coated with the non-curing component by a perforated sheet. The production of an electronic component with a semiconductor element (1) bonded and fastened on a substrate, comprises applying a structured gold layer (5) on the substrate surface, reversible spray coating of the semiconductor element and/or the substrate surface (2) with an adhesive structure from a hardening or curing component (3) and an electrically conductive, non-curing component (4), producing a border area section-wise coated with the curing component by a shadow panel, and central area section-wise coated with the non-curing component by a perforated sheet, and producing an alternating adhesive structure with strips out of the components. The curing component is ultraviolet (UV) or infrared (IR) networked. For hardening the curing component, an UV radiation of the adhesive layer is carried out. An independent claim is included for an electronic component.
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