公开(公告)号：DE102011112879B4

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102011112879

申请日：2011-09-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  HOFFMANN FRANK ,  KAUTZSCH THORALF ,  RUDOLPH UWE

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst: Entfernen von Halbleitermaterial in einem ersten und zweiten Abschnitt (102a, b) eines Halbleitersubstrats (100), sodass eine Halbleiterstruktur (104) in dem Halbleitersubstrat (100) zwischen den Abschnitten (102a, b) ausgebildet wird; Ausbilden einer Schutzschicht (106) an einer Wand eines ersten Teils der Halbleiterstruktur (104), während eine Wand eines zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) nicht von der Schutzschicht (106) bedeckt ist, wobei der zweite Teil der Halbleiterstruktur (104) über dem ersten Teil der Halbleiterstruktur (104) ist; wobei die Schutzschicht (106) ein von dem Halbleitermaterial verschiedenes Material aufweist zum Schützen des Materials des ersten Teils der Halbleiterstruktur (104) vor einer Migration während eines nachfolgenden Migrationsprozesses; Anwenden des Migrationsprozesses auf das Halbleitersubstrat (104), sodass der erste Teil der Halbleiterstruktur (104) nach dem Migrationsprozess zurückbleibt und Halbleitermaterial des zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) derart migriert, dass ein kontinuierlicher Raum (112), der frei von Halbleitermaterial ist und sich über dem verbleibenden ersten Teil der Halbleiterstruktur (104) erstreckt, und eine kontinuierliche Halbleitermaterialschicht (114), die sich über dem kontinuierlichen Raum (112) von dem ersten zu dem zweiten Abschnitt (102a, b) erstreckt, durch die Migration des Halbleitermaterials des zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) ausgebildet werden.

公开(公告)号：DE102008039322B4

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE102008039322

申请日：2008-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOFFMANN FRANK ,  VOIGTLÄNDER KNUT DR

IPC: G01B11/24 ,  G01B9/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/30

Abstract: Verfahren zum Ermitteln des Tiefenprofils einer Oberflächenstruktur, aufweisend: – Bestrahlen der Oberflächenstruktur während ihrer Entstehung mit Bestrahlungslicht, das Lichtkomponenten mit unterschiedlichen Wellenlängen aufweist, – Empfangen von Reflexionslicht, das durch Reflexion des Bestrahlungslichts an der Oberflächenstruktur erzeugt wird, – Ermitteln eines Datensatzes, welcher die zeitabhängigen Intensitäten unterschiedlicher Wellenlängen des Reflexionslichts wiedergibt, – Ermitteln von Hauptkomponenten unter Verwendung einer Hauptkomponentenanalyse des Datensatzes, – Erzeugen einer endgültigen Entwicklungskurve durch lineare Überlagerung der Hauptkomponenten, und – Ermitteln des Tiefenprofils der Oberflächenstruktur unter Verwendung der Entwicklungskurve.

公开(公告)号：DE102013223560A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013223560

申请日：2013-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HOFFMANN FRANK

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/301 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren zum Abtrennen einer Schicht von einem Substrat. Das Verfahren enthält das Bereitstellen mehrerer Gräben, die sich von einer ersten Hauptoberfläche des Substrats in das Substrat hinein erstrecken. Eine Wärmebehandlung des Substrats wird so ausgeführt, dass Ränder der Gräben an der ersten Hauptoberfläche zusammenwachsen, um eine geschlossene Schicht an der ersten Hauptoberfläche zu bilden, wobei untere Bereiche der Gräben einen oder mehrere Hohlräume innerhalb des Substrats bilden. Danach wird die geschlossene Schicht entlang dem einen oder den mehreren Hohlräumen vom Substrat abgetrennt.

公开(公告)号：DE102015208133B3

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：DE102015208133

申请日：2015-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MANGER DIRK ,  TEGEN STEFAN ,  PRIBIL ANDREAS ,  HOFFMANN FRANK ,  PROBST MARC

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/331 ,  H01L27/06 ,  H01L29/737

Abstract: Verfahren (10) zur Herstellung eines Bipolartransistors (100), wobei das Verfahren (10) Folgendes umfasst: Bereitstellen (12) eines Substrats (102) eines ersten leitfähigen Typs und eines Schichtstapels (104), der auf dem Substrat (102) angeordnet ist, worin der Schichtstapel (104) eine erste Isolationsschicht (106), die auf einem Oberflächengebiet (108) des Substrats (102) angeordnet ist, eine Opferschicht (110), die auf der ersten Isolationsschicht (106) angeordnet ist, und eine zweite Isolationsschicht (112), die auf der Opferschicht (110) angeordnet ist, umfasst, worin der Schichtstapel (104) ein Fenster (114) umfasst, das in dem Schichtstapel (104) durch die zweite Isolationsschicht (112), die Opferschicht (110) und die erste Isolationsschicht (106) bis zum Oberflächengebiet (108) des Substrats (102) ausgebildet ist; Bereitstellen (14) einer Kollektorschicht (130) des ersten halbleitfähigen Typs auf dem Substrat (102) innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104); Bereitstellen (16) einer Basisschicht (132) eines zweiten halbleitfähigen Typs auf der Kollektorschicht innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104); Bereitstellen (18) einer Emitterschicht (152) oder eines Emitterschichtstapels (150) auf der Basisschicht (132) innerhalb vom Fenster (114) des Schichtstapels (104), sodass ein Überfüllen des Fensters (114) des Schichtstapels (104) erreicht wird, worin der Emitterschichtstapel (150) die Emitterschicht (152) und eine Abdeckschicht (154) umfasst, worin die Emitterschicht (152) vom ersten halbleitfähigen Typ ist; und selektives Entfernen (20) der Emitterschicht (152) oder des Emitterschichtstapels zumindest bis zur zweiten Isolationsschicht (112).

公开(公告)号：DE102011112879A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011112879

申请日：2011-09-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  HOFFMANN FRANK ,  KAUTZSCH THORALF ,  RUDOLPH UWE

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Es werden Ausführungsformen bezüglich der Halbleiterherstellung und Halbleiterbauelemente mit einer Halbleiterstruktur beschrieben und gezeigt.

公开(公告)号：DE102008039322A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：DE102008039322

申请日：2008-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOFFMANN FRANK ,  VOIGTLAENDER KNUT

IPC: G01B11/24 ,  G01B9/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/30

Abstract: According to one embodiment of the present invention, a method of determining the depth profile of a surface structure includes: irradiating the surface structure with irradiation light including light components of different wavelengths; and determining the depth profile of the surface structure in dependence on interferometric effects caused by the reflection of the irradiation light at the surface structure.