公开(公告)号：DE102008028942A1

公开(公告)日：2009-01-02

申请号：DE102008028942

申请日：2008-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEEGANS MANFRED ,  LEICHT MARKUS ,  WOEHLERT STEFAN ,  RIEDL EDMUND

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: A method of electrically interconnecting a semiconductor chip to another electronic device including providing a carrier including contact pins and a chip attached to the carrier, the chip having a copper contact pad that faces away from the carrier, extending a copper electrical connector between the contact pins and the contact pad, and diffusion soldering the copper electrical connector to the active area with a solder material including tin to form a solder connection including a contiguous bronze coating disposed between and in direct contact with both the copper electrical connector and the contact pad.

公开(公告)号：DE102010039325A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：DE102010039325

申请日：2010-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  LEICHT MARKUS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

公开(公告)号：DE102010039325B4

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102010039325

申请日：2010-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  LEICHT MARKUS ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiteranordnung, die aufweist:einen Halbleiterkörper (100);eine Anzahl von Transistorzellen (30), die in dem Halbleiterkörper (100) integriert sind, wobei jede Transistorzelle ein erstes aktives Transistorgebiet (31) und eine Gateelektrode (33) aufweist und wobei die Transistorzellen (30) ein gemeinsames zweites aktives Transistorgebiet (36), das in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) zu den ersten aktiven Transistorgebieten (31) beabstandet ist, und eine durchgehende gemeinsame Driftzone (35) die zwischen den ersten aktiven Transistorgebieten (31) und dem gemeinsamen zweiten aktiven Transistorgebiet (36) angeordnet ist, aufweisen;eine Anzahl von ersten Kontaktelektroden (41), wobei jede erste Kontaktelektrode das erste aktive Transistorgebiet (31) wenigstens einer Transistorzelle über wenigstens einen Kontaktstöpsel (42) kontaktiert, der in einem ersten Durchgangsloch einer ersten Isolationsschicht (51) angeordnet ist;eine zweite Kontaktelektrode (43), die eine erste Gruppe der ersten Kontaktelektroden (41), aber nicht eine zweite Gruppe der ersten Kontaktelektroden (41) kontaktiert, wobei die erste Gruppe von ersten Kontaktelektroden (41) wenigstens zwei erste Kontaktelektroden aufweist, und wobei die zweite Kontaktelektrode (43) die erste Gruppe der ersten Kontaktelektroden (41) über zweite Durchgangslöcher in einer zweiten Isolationsschicht (52) kontaktiert, wobei die ersten Durchgangslöcher durch die ersten Kontaktelektroden (41) von den zweiten Durchgangslöchern getrennt sind;wobei die Transistorzellen (30), die durch die ersten Kontaktelektroden (41) der ersten Gruppe kontaktiert sind, einen Lasttransistor bilden, wobei die zweite Kontaktelektrode (43) einen Lastanschluss des Lasttransistors (10) bildet; undwobei die Transistorzellen (30), die durch die ersten Kontaktelektroden (41) der zweiten Gruppe kontaktiert sind, einen Messtransistor (20) bilden.

公开(公告)号：DE102010000093A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：DE102010000093

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHARF THORSTEN ,  THEUSS HORST ,  LEICHT MARKUS

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L29/06