公开(公告)号：DE102015109961A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102015109961

申请日：2015-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  LIU SHUHAI ,  ÖFNER HELMUT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SUSITI ALEXANDER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324

Abstract: Ein Aspekt betrifft einen Magnetic-Czochralski (MCZ) Halbleiterwafer (100), der entgegengesetzte erste und zweite Seiten (101, 102) aufweist, die in einer ersten vertikalen Richtung von der zweiten Seite beabstandet, und der behandelt wird, indem erste Teilchen (10) über die zweite Seite (102) in den Halbleiterwafer implantiert werden, um Kristalldefekte in dem Halbleiterwafer (100) zu erzeugen. Die Kristalldefekte weisen eine maximale Defektkonzentration bei einer ersten Tiefe (d1) auf. In einem ersten thermischen Prozess wird der Halbleiterwafer (100) erwärmt, um strahlungsinduzierte Donatoren zu bilden. Die Implantationsenergie und -dosis sind so gewählt, dass der Halbleiterwafer (100) nach dem ersten thermischen Prozess ein n-dotiertes Halbleitergebiet (118) aufweist, das zwischen der zweiten Seite (102) und der ersten Tiefe (d1) angeordnet ist, und dass das n-dotierte Halbleitergebiet (118) in der ersten vertikalen Richtung (v1) ein lokales Maximum (MAX) einer Netto-Dotierungskonzentration zwischen der ersten Tiefe (d1) und der zweiten Seite (102) aufweist, sowie ein lokales Minimum (MIN) der Netto-Dotierungskonzentration zwischen der ersten Tiefe (d1) und dem ersten Maximum (MAX).

公开(公告)号：DE102014107161B4

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102014107161

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OEFNER HELMUT ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  LIU SHUHAI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines IGBTs (100), wobei das Verfahren aufweist:- Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (40), die von einem gezogenen magnetischen Czochralski-Siliciumkristall (400) oder einem gezogenen Czochralski-Siliciumkristall (400) abgeschnitten ist, eine Hauptseite (101) und eine Rückseite (102) aufweist, die gegenüber der Hauptseite angeordnet ist, und eine Siliciumschicht (1) mit einer Sauerstoffkonzentration von weniger als etwa 2,5 * 10cm, einer Kohlenstoffkonzentration von weniger als etwa 5 * 10cmund einer im Wesentlichen unveränderlichen Stickstoffkonzentration von weniger als etwa 1 * 10cmaufweist,- Implantieren von Protonen von der Rückseite (102) in die Siliciumschicht (1), um eine bestrahlte Teilschicht (1b) in der Siliciumschicht (1) zu bilden; und- thermisches Ausheilen nach dem Implantieren der Protonen, um wasserstoffbedingte flache Donatoren in der Teilschicht (1b) zu bilden, so dass die wasserstoffbedingten flachen Donatoren wenigstens einen Großteil der n-Dotanden in der Teilschicht (1b) bilden.

公开(公告)号：DE102014107161A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102014107161

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OEFNER HELMUT ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  LIU SHUHAI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: Bereitstellen einer Halbleiterscheibe, die von einem gezogenen magnetischen Czochralski-Siliciumkristall oder einem gezogenen Czochralski-Siliciumkristall abgeschnitten ist, eine Hauptseite und eine Rückseite aufweist, die gegenüber der Hauptseite angeordnet ist und eine Sauerstoffkonzentration von weniger als etwa 2,5·1017 cm–3 und eine im Wesentlichen unveränderliche Stickstoffkonzentration von weniger als etwa 1·1015 cm–3 aufweist; Implantieren von Protonen von der Rückseite in die Siliciumschicht, um eine bestrahlte Teilschicht in der Siliciumschicht zu bilden; und thermisches Ausheilen nach dem Implantieren der Protonen, um wasserstoffbedingte flache thermische Donatoren zu bilden, so dass die wasserstoffbedingten thermischen flachen Donatoren wenigstens einen Großteil der n-Dotanden in der Teilschicht bilden. Ferner wird ein IGBT bereitgestellt.