公开(公告)号：DE102013105009B4

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102013105009

申请日：2013-05-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SUSITI ALEXANDER ,  ZUNDEL MARKUS ,  PLOSS REINHARD

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/52 ,  H01L29/36

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung, geeignet zum Leiten von Strömen größer als 1A, und umfassend:einen Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Oberfläche (110),eine kontinuierliche, zusammenhängende Silikatglasstruktur (115) über der ersten Oberfläche (110), wobeiein erster Teil (115a) der kontinuierlichen, zusammenhängenden Glasstruktur (115) über einem aktiven Gebiet (105a) des Halbleiterkörpers (105) eine erste Zusammensetzung von Dotierstoffen aufweist, die von einer zweiten Zusammensetzung von Dotierstoffen in einem zweiten Teil (115b) der kontinuierlichen, zusammenhängenden Glasstruktur (115) über einem Randabschlussgebiet (105b) des Halbleiterkörpers (105) außerhalb des aktiven Gebiets (105a) abweicht; und wobeider erste Teil (115a) aus einer Schicht oder einem vertikal zusammenhängenden Schichtstapel besteht; undder zweite Teil (115b) aus einer Schicht oder einem vertikal zusammenhängenden Schichtstapel besteht.

公开(公告)号：DE102017118975A1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：DE102017118975

申请日：2017-08-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SUSITI ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  OEFNER HELMUT ,  WÜBBEN THOMAS

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L29/32 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Reduzieren einer Sauerstoffkonzentration in einem ersten Teil eines CZ-Halbleiterkörpers durch eine thermische Behandlung. Der erste Teil grenzt an eine erste Oberfläche des Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper wird an der ersten Oberfläche bearbeitet. Eine Dicke des Halbleiterkörpers wird durch Abdünnen des Halbleiterkörpers an einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche reduziert. Danach wird in dem Halbleiterkörper eine Feldstoppzone durch Protonenimplantationen durch die zweite Oberfläche und Ausheilen des Halbleiterkörpers gebildet. Die Feldstoppzone erstreckt sich in den ersten Teil des CZ-Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102011113549B4

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：DE102011113549

申请日：2011-09-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NEIDHART THOMAS ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  SUSITI ALEXANDER

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/74 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend:- einen Halbleiterkörper (11, 21) mit einer ersten Seite (12, 22) und einer zur ersten Seite (12, 22) gegenüberliegenden zweiten Seite (13, 23),- eine Feldstoppzone (14, 27) in dem Halbleiterkörper (11, 21), ausgebildet mit einem als Donator wirkenden Sauerstoff/Leerstellen-Komplex über eine Strecke L von mindestens 10 µm Länge entlang einer Richtung (X) von der ersten Seite (12, 22) zur zweiten Seite (13, 23), wobei die Feldstoppzone über die Strecke L eine Sauerstoffkonzentration im Bereich von 1 × 10cmbis 5 × 10cmaufweist, wobei der Halbleiterkörper (11, 21) eine Grunddotierung mit einer Grunddotierstoffkonzentration (30) aufweist und die Feldstoppzone (14, 27) eine zur Grunddotierstoffkonzentration (30) höhere Dotierstoffkonzentration aufweist.

公开(公告)号：DE102015109961A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102015109961

申请日：2015-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  LIU SHUHAI ,  ÖFNER HELMUT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SUSITI ALEXANDER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324

Abstract: Ein Aspekt betrifft einen Magnetic-Czochralski (MCZ) Halbleiterwafer (100), der entgegengesetzte erste und zweite Seiten (101, 102) aufweist, die in einer ersten vertikalen Richtung von der zweiten Seite beabstandet, und der behandelt wird, indem erste Teilchen (10) über die zweite Seite (102) in den Halbleiterwafer implantiert werden, um Kristalldefekte in dem Halbleiterwafer (100) zu erzeugen. Die Kristalldefekte weisen eine maximale Defektkonzentration bei einer ersten Tiefe (d1) auf. In einem ersten thermischen Prozess wird der Halbleiterwafer (100) erwärmt, um strahlungsinduzierte Donatoren zu bilden. Die Implantationsenergie und -dosis sind so gewählt, dass der Halbleiterwafer (100) nach dem ersten thermischen Prozess ein n-dotiertes Halbleitergebiet (118) aufweist, das zwischen der zweiten Seite (102) und der ersten Tiefe (d1) angeordnet ist, und dass das n-dotierte Halbleitergebiet (118) in der ersten vertikalen Richtung (v1) ein lokales Maximum (MAX) einer Netto-Dotierungskonzentration zwischen der ersten Tiefe (d1) und der zweiten Seite (102) aufweist, sowie ein lokales Minimum (MIN) der Netto-Dotierungskonzentration zwischen der ersten Tiefe (d1) und dem ersten Maximum (MAX).

公开(公告)号：DE102013105009A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：DE102013105009

申请日：2013-05-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SUSITI ALEXANDER ,  ZUNDEL MARKUS ,  PLOSS REINHARD

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/52 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Oberfläche (110). Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin eine kontinuierliche Silikatglasstruktur (115) über der ersten Oberfläche (110). Ein erster Teil (115a) der kontinuierlichen Glasstruktur (115) über einem aktiven Gebiet (105a) des Halbleiterkörpers (105) umfasst eine erste Zusammensetzung von Dotierstoffen, die von einer zweiten Zusammensetzung von Dotierstoffen in einem zweiten Teil (115b) der kontinuierlichen Glasstruktur (115) über einem Gebiet (105b) des Halbleiterkörpers (105) außerhalb des aktiven Gebietes (105a) verschieden ist.

公开(公告)号：DE102011113549A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102011113549

申请日：2011-09-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NEIDHART THOMAS ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  SUSITI ALEXANDER

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/74 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper mit einer ersten Seite und einer zur ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite auf. In dem Halbleiterkörper ist ein Dotierstoffgebiet durch einen Dotierstoff aus einem Sauerstoff-Komplex ausgebildet. Das Dotierstoffgebiet erstreckt sich über eine Strecke L von mindestens 10 μm Länge entlang einer Richtung von der ersten Seite zur zweiten Seite. Das Dotierstoffgebiet weist über die Strecke L eine Sauerstoffkonzentration von 1 × 1017 cm–3 bis 5 × 1017 cm–3 auf.