公开(公告)号：WO2018115129A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：PCT/EP2017083830

申请日：2017-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  OEFNER HELMUT ,  AHRENS CARSTEN

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324

Abstract: A method for forming a semiconductor substrate comprises heating a starting semiconductor substrate in order to reduce a concentration of oxygen in the starting semiconductor substrate at least at a depth of 5 µm from a surface of the starting semiconductor substrate to less than 80% of a maximum concentration of oxygen in the starting semiconductor substrate. The maximum concentration of oxygen in the starting semiconductor substrate is less than 3*1017 atoms per cm3. In addition, the starting semiconductor substrate prior to heating has a mean resistivity of at least 1 kΩcm. The method furthermore comprises forming an epitaxial layer at the surface of the starting semiconductor substrate. The epitaxial layer formed has a mean resistivity of at least 1 kΩcm.

公开(公告)号：DE102014116666A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014116666

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  JELINEK MORIZ ,  OEFNER HELMUT ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Implantieren einer definierten Dosis von Protonen in ein Halbleitersubstrat und das Tempern des Halbleitersubstrats gemäß einem definierten Temperaturprofil. Zumindest eines der definierten Dosis von Protonen und des definierten Temperaturprofils wird abhängig von einem Kohlenstoff-bezogenen Parameter ausgewählt, der Informationen über eine Kohlenstoffkonzentration innerhalb von zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats anzeigt.

公开(公告)号：DE102020119953A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102020119953

申请日：2020-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KUENLE MATTHIAS ,  OEFNER HELMUT ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend ein Bilden einer ersten Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat, wobei die erste Halbleiterschicht von dem gleichen Dotierstofftyp wie das Halbleitersubstrat ist, wobei die erste Halbleiterschicht eine höhere Dotierstoffkonzentration als das Halbleitersubstrat aufweist, ein Erhöhen der Porosität der ersten Halbleiterschicht, ein erstes Tempern der ersten Halbleiterschicht bei einer Temperatur von zumindest 1050°C, ein Bilden einer zweiten Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht und ein Trennen der zweiten Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat durch Spalten innerhalb der ersten Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE102017118975A1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：DE102017118975

申请日：2017-08-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SUSITI ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  OEFNER HELMUT ,  WÜBBEN THOMAS

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L29/32 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Reduzieren einer Sauerstoffkonzentration in einem ersten Teil eines CZ-Halbleiterkörpers durch eine thermische Behandlung. Der erste Teil grenzt an eine erste Oberfläche des Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper wird an der ersten Oberfläche bearbeitet. Eine Dicke des Halbleiterkörpers wird durch Abdünnen des Halbleiterkörpers an einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche reduziert. Danach wird in dem Halbleiterkörper eine Feldstoppzone durch Protonenimplantationen durch die zweite Oberfläche und Ausheilen des Halbleiterkörpers gebildet. Die Feldstoppzone erstreckt sich in den ersten Teil des CZ-Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102016125340A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102016125340

申请日：2016-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  OEFNER HELMUT ,  AHRENS CARSTEN

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleitersubstrats umfasst Erhitzen eines Ausgangshalbleitersubstrats, um eine Konzentration von Sauerstoff in dem Ausgangshalbleitersubstrat zumindest in einer Tiefe von 5µm von einer Oberfläche des Ausgangshalbleitersubstrats auf weniger als 80% einer maximalen Konzentration von Sauerstoff in dem Ausgangshalbleitersubstrat zu reduzieren. Die maximale Konzentration von Sauerstoff in dem Ausgangshalbleitersubstrat beträgt weniger als 3*10Atome pro cm. Zudem weist das Ausgangshalbleitersubstrat vor dem Erhitzen einen mittleren spezifischen Widerstand von zumindest 1kΩcm auf. Das Verfahren umfasst ferner Bilden einer Epitaxieschicht an der Oberfläche des Ausgangshalbleitersubstrats. Die gebildete Epitaxieschicht weist einen mittleren spezifischen Widerstand von zumindest 1kΩcm auf.

公开(公告)号：DE102014116666B4

公开(公告)日：2022-04-21

申请号：DE102014116666

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  JELINEK MORIZ ,  OEFNER HELMUT ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Implantieren (110) einer definierten Dosis von Protonen in ein Halbleitersubstrat, wobei das Implantieren (110) der definierten Dosis von Protonen in das Halbleitersubstrat das Implantieren einer definierten Dosis von Protonen in eine Driftschichtregion des zu bildenden Halbleiterbauelements aufweist; undTempern (120) des Halbleitersubstrats gemäß einem definierten Temperaturprofil, wobei zumindest eines der definierten Dosis von Protonen und des definierten Temperaturprofils abhängig von einem Kohlenstoff-bezogenen Parameter ausgewählt wird, der Informationen über eine Kohlenstoffkonzentration innerhalb von zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats angibt.

公开(公告)号：DE102017104863A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102017104863

申请日：2017-03-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  OEFNER HELMUT

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L29/30

Abstract: Ein Verfahren zum Reduzieren von Defekten in einer epitaxialen Schicht. Das Verfahren beinhaltet das Ausbilden einer oder mehrerer Barrierenstrukturen innerhalb eines Umfangsrandgebiets eines Wafersubstrats und das Ausbilden einer epitaxialen Schicht über einer Oberfläche des Wafersubstrats.

公开(公告)号：DE102014107161B4

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102014107161

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OEFNER HELMUT ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  LIU SHUHAI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines IGBTs (100), wobei das Verfahren aufweist:- Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (40), die von einem gezogenen magnetischen Czochralski-Siliciumkristall (400) oder einem gezogenen Czochralski-Siliciumkristall (400) abgeschnitten ist, eine Hauptseite (101) und eine Rückseite (102) aufweist, die gegenüber der Hauptseite angeordnet ist, und eine Siliciumschicht (1) mit einer Sauerstoffkonzentration von weniger als etwa 2,5 * 10cm, einer Kohlenstoffkonzentration von weniger als etwa 5 * 10cmund einer im Wesentlichen unveränderlichen Stickstoffkonzentration von weniger als etwa 1 * 10cmaufweist,- Implantieren von Protonen von der Rückseite (102) in die Siliciumschicht (1), um eine bestrahlte Teilschicht (1b) in der Siliciumschicht (1) zu bilden; und- thermisches Ausheilen nach dem Implantieren der Protonen, um wasserstoffbedingte flache Donatoren in der Teilschicht (1b) zu bilden, so dass die wasserstoffbedingten flachen Donatoren wenigstens einen Großteil der n-Dotanden in der Teilschicht (1b) bilden.

公开(公告)号：DE102016122269A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：DE102016122269

申请日：2016-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OEFNER HELMUT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  B81C1/00 ,  H01L21/302

Abstract: Ein Wafer, der eine Frontoberfläche, eine Rückoberfläche und eine Kante zwischen der Frontoberfläche und der Rückoberfläche umfasst, die ein gekrümmtes Kantenprofil zwischen einer Kante der Frontoberfläche und einer Seitenfläche der Kante des Wafers aufweist. Das gekrümmte Kantenprofil beinhaltet eine erste konvexe Krümmung, die in die Kante der Frontoberfläche übergeht, und eine konkave Krümmung, die in die erste konvexe Krümmung übergeht. Eine Tangente an dem Kantenprofil an einem Wendepunkt zwischen der ersten konvexen Krümmung und der konkaven Krümmung ist senkrecht zu. einer Ebene, die mit der Frontoberfläche komplanar ist, oder trifft bei einem radialen Abstand von einem Mittelteil der Frontoberfläche, der kleiner als eine senkrechte Projektion des Wendepunkts auf die Ebene ist, auf die Ebene.

公开(公告)号：DE102014107161A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102014107161

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OEFNER HELMUT ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  LIU SHUHAI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: Bereitstellen einer Halbleiterscheibe, die von einem gezogenen magnetischen Czochralski-Siliciumkristall oder einem gezogenen Czochralski-Siliciumkristall abgeschnitten ist, eine Hauptseite und eine Rückseite aufweist, die gegenüber der Hauptseite angeordnet ist und eine Sauerstoffkonzentration von weniger als etwa 2,5·1017 cm–3 und eine im Wesentlichen unveränderliche Stickstoffkonzentration von weniger als etwa 1·1015 cm–3 aufweist; Implantieren von Protonen von der Rückseite in die Siliciumschicht, um eine bestrahlte Teilschicht in der Siliciumschicht zu bilden; und thermisches Ausheilen nach dem Implantieren der Protonen, um wasserstoffbedingte flache thermische Donatoren zu bilden, so dass die wasserstoffbedingten thermischen flachen Donatoren wenigstens einen Großteil der n-Dotanden in der Teilschicht bilden. Ferner wird ein IGBT bereitgestellt.